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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
JANS1N4956DUS/TR	577.7400	RFQ	9491	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-		150-JANS1N4956DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V						8.2 v	1.5欧姆
JANTX1N6312CUS/TR	44.6250	RFQ	9640	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-		150-JANTX1N6312CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1 V						3.3 v	27欧姆
JANTX1N6344CUS/TR	39.9450	RFQ	6860	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-		150-JANTX1N6344CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V						68 v	155欧姆
JANS1N6642UB2R/TR	80.3400	RFQ	7076	微芯片技术	MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	标准		UB2	-		150-JANS1N6642UB2R/TR			50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
JANS1N4962CUS/TR	368.3100	RFQ	2561	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-		150-JANS1N4962CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V						15 v	3.5欧姆
JANS1N6344CUS/TR	527.7150	RFQ	8374	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-		150-JANS1N6344CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V						68 v	155欧姆
JANTX1N4475DUS/TR	49.7250	RFQ	3718	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-		150-JANTX1N444475DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 21.6 V						27 V	18欧姆
JANTXV1N4493DUS/TR	56.5650	RFQ	6660	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-		150-JANTXV1N444493DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V						150 v	700欧姆
JANTXV1N4493CUS/TR	45.2850	RFQ	1538年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-		150-JANTXV1N4493CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V						150 v	700欧姆
JANTX1N444467CUS/TR	31.6200	RFQ	6505	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-		150-JANTX1N444467CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		200 na @ 9.6 V						12 v	7欧姆
JANTXV1N989DUR-1/TR	-	RFQ	2348	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		400兆	do-213aa	-		150-JANTXV1N989DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V						150 v	1500欧姆
JANS1N4958CUS/TR	462.1650	RFQ	8096	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-		150-JANS1N4958CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V						10 v	2欧姆
JANS1N6642UB2/tr	80.3400	RFQ	1678年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	标准		UB2	-		150-JANS1N6642UB2/tr			50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
JANTX1N6319DUS/TR	55.7550	RFQ	7612	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-		150-JANTX1N6319DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V						6.2 v	3欧姆
MV21003-150A/TR	-	RFQ	3494	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死			芯片	-	到达不受影响	150-MV21003-150A/TR	Ear99	8541.10.0040	1										0.5pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				3.4	C0/C30	7000 @ 4V，50MHz
MV21010-190	-	RFQ	3280	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死			芯片	-	到达不受影响	150-MV21010-190	Ear99	8541.10.0060	1										2.2pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				4.6	C0/C30	4000 @ 4V，50MHz
MV21001-150A	-	RFQ	9074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死			芯片	-	到达不受影响	150-MV21001-150ATR	Ear99	8541.10.0040	1										0.3pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				2.8	C0/C30	8000 @ 4V，50MHz
MV21003-M23	-	RFQ	9704	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜175°C	-	-			-	-	到达不受影响	150-MV21003-M23	Ear99	8541.10.0060	1										0.5pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				3.4	C0/C30	7000 @ 4V，50MHz
MV21008-82	-	RFQ	6786	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死			芯片	-	到达不受影响	150-MV21008-82	Ear99	8541.10.0060	1										1.5pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				4.3	C0/C30	5000 @ 4V，50MHz
GC1608-85	-	RFQ	8990	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C	-	-			-	-	到达不受影响	150-GC1608-85	Ear99	8541.10.0060	1										3.9pf @ 4V，1MHz	单身的	45 v				5.4	C0/C45	1900 @ 4V，50MHz
GC4943-12	-	RFQ	8878	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C〜150°C		2-SMD，平坦的铅			-	-	到达不受影响	150-GC4943-12	Ear99	8541.10.0040	1										0.03pf @ 10V，2.2GHz	PIN-单	50V			3ohm @ 10mA，2.2GHz
GC2511-00	-	RFQ	2218	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	死			芯片	-	到达不受影响	150-GC2511-00	Ear99	8541.10.0040	1										0.6pf @ 6V，1MHz	单身的	15 v					-	-
GC4721-01	-	RFQ	7974	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死			芯片	-	到达不受影响	150-GC4721-01	Ear99	8541.10.0040	1			5 w							0.15pf @ 6V，1MHz	PIN-单	120V			1.5OHM @ 10mA，100MHz
GC4731-30	-	RFQ	6184	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜150°C		螺柱			-	-	到达不受影响	150-GC4731-30	Ear99	8541.10.0060	1			2 w							0.1pf @ 6V，1MHz	PIN-单	15V			2ohm @ 10mA，100MHz
GC4410-115-2	-	RFQ	2828	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		模块			-	-	到达不受影响	150-GC4410-115-2	Ear99	8541.10.0070	1		50 mA								0.1pf @ 50V，1MHz	PIN-单	100V			600MOHM @ 100mA，100MHz
GC15007-127A	-	RFQ	9751	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	2-SMD，平坦的铅			-	-	到达不受影响	150-GC15007-127A	Ear99	8541.10.0060	1										0.2pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v				13	C0/C20	1000 @ 4V，50MHz
GC1510-30	-	RFQ	6209	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	螺柱坐骑	螺柱			-	-	到达不受影响	150-GC1510-30	Ear99	8541.10.0060	1										5.6pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				4	C0/C30	2600 @ 4V，50MHz
GC9941-TSR	-	RFQ	9173	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		3-SMD，平坦的铅			-	下载	到达不受影响	150-GC9941-TSR	Ear99	8541.10.0040	1										0.1pf @ 0v，1MHz	肖特基 -单身	4V			20ohm @ 5mA，1MHz
GC4944-12	-	RFQ	1601	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C〜150°C		2-SMD，平坦的铅			-	-	到达不受影响	150-GC4944-12	Ear99	8541.10.0040	1										0.025pf @ 10v，2.2GHz	PIN-单	50V			3.5OHM @ 10mA，2.2GHz
GC15011-00	-	RFQ	4515	微芯片技术	GC15000	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	死			芯片	-	到达不受影响	150-GC15011-00	Ear99	8541.10.0040	1										4.1pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v				13	C0/C20	500 @ 4V，50MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²