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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1月1N5283-1 | 31.5150 |  | 4719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5283 | 500MW | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||||||||||||||||||||
 | 1月1N5711-1 | 5.9550 | | 3250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5711 | 肖特基 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 200 na @ 70 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||||
 | Jan1n751a-1 | 2.0600 | | 21 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N751 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | |||||||||||||||||||
| 1月1N965B-1 | 1.9050 | | 2841 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N965 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||||||||
| 1月1N966B-1 | 1.9950 | | 8821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N966 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 17欧姆 | |||||||||||||||||||
| 1月1N978B-1 | - | | 2930 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 v | 125欧姆 | ||||||||||||||||||||
 | Jan2n2945a | 192.2900 | | 8910 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/382 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AB，TO-46-3金属可以 | 2N2945 | 400兆 | TO-46 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 ma | 10µA（ICBO） | PNP | - | 70 @ 1mA，500mv | - | |||||||||||||||||
 | JAN2N4150 | 10.1612 | | 2019 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/394 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 2N4150 | 1 w | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 v | 10 a | 10µA | NPN | 2.5V @ 1a，10a | 40 @ 5A，5V | - | |||||||||||||||||
 | JAN2N6299 | 29.8984 | | 8630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/540 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-213AA，TO-66-2 | 2N6299 | 64 W | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 8 a | 500µA | pnp-达灵顿 | 2V @ 16mA，4a | 750 @ 4A，3V | - | ||||||||||||||||||
 | JAN2N6351 | - | | 5311 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/472 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AC，TO-33-4金属可以 | 1 w | TO-33 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 5 a | - | npn-达灵顿 | 2.5V @ 10mA，5a | 1000 @ 5A，5V | - | ||||||||||||||||||
 | JANS1N4105UR-1 | 47.1000 | | 1 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4105 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 8.5 V | 11 V | 200欧姆 | |||||||||||||||||||
 | JANS1N4469US | - | | 3923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 12 V | 15 v | 600欧姆 | ||||||||||||||||||||
| JANS1N4568AR-1 | 81.7500 | | 3585 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4568 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | ||||||||||||||||||||
 | JANS1N4960US | 92.0400 | | 9381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，E | 1N4960 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||
| JANS1N4962US | 92.9250 | | 2509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，E | 1N4962 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 3.5欧姆 | |||||||||||||||||||
| JANS1N4996US | 552.4500 | | 10 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||
 | JANS1N5418 | 56.3850 | | 7657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B，轴向 | 1N5418 | 标准 | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | 165pf @ 4V | |||||||||||||||||
 | JANS1N6324US | 136.0950 | | 3397 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，b | 1N6324 | 500兆 | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 8 V | 10 v | 500欧姆 | |||||||||||||||||||
 | JANS1N6326US | 136.0950 | | 7730 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，b | 1N6326 | 500兆 | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 9 V | 12 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||||
 | JANSR2N2369AUB | 214.4100 | | 8665 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/317 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 2n2369a | 360兆w | UB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10mA，100mA | 20 @ 100mA，1V | - | ||||||||||||||||||
| JANTX1N1186 | 107.3700 | | 7379 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/297 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 1N1186 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 35a | - | ||||||||||||||||||
 | JANTX1N1202A | 69.5850 | | 6491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 1N1202 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 2.3 V @ 240 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||||||||
 | JANTX1N1614 | - | | 9522 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/162 | 大部分 | 在sic中停产 | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 1.5 V @ 15 A | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||||||
 | JANTX1N3020B-1 | 8.5800 | | 4061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3020 | 1 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||||
| JANTX1N3025B-1 | 8.6700 | | 8 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3025 | 1 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||||||||||||
| JANTX1N3033B-1 | 10.0650 | | 8102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N3033 | 1 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||
 | JANTX1N3289 | - | | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa，do-8，螺柱 | 1N3289 | 标准 | DO-205AA（DO-8） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 200 v | 1.55 V @ 310 A | 10 mA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | ||||||||||||||||||
 | JANTX1N3671A | 54.1800 | | 2902 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 1N3671 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 800 v | 2.3 V @ 240 A | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||||||||
 | JANTX1N3891 | 299.2500 | | 9929 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/304 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 1N3891 | 标准 | do-203aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 200 v | 1.5 V @ 38 A | 200 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 12a | - | |||||||||||||||||
| JANTX1N4099UR-1 | 10.5300 | | 7101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4099 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.17 V | 6.8 v | 200欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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