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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
CDLL4749/TR	3.2319	RFQ	7054	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4749/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 18.2 V						24 V	25欧姆
CD5262B	1.4497	RFQ	5112	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5262B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 39 V						51 v	125欧姆
JAN1N3045C-1/TR	15.5078	RFQ	8389	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3045C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V						110 v	450欧姆
jankca1n4567a	-	RFQ	9852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4567A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
JANTXV1N751A-1/TR	6.4372	RFQ	9477	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	-	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N751A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						5.1 v	14欧姆
1N5265A/TR	2.6068	RFQ	9501	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5265A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 45 V						62 v	185欧姆
1N5259A/tr	3.9102	RFQ	9651	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5259A/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 29 V						39 v	80欧姆
Jan1n5187/tr	7.9650	RFQ	9773	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/424	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5187/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			200 v	1.5 V @ 9 A	200 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
1月1N96666DUR-1/TR	12.7680	RFQ	5361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N966DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V						16 V	17欧姆
JANTX1N4132CUR-1/TR	21.7056	RFQ	5785	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4132CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V						82 v	800欧姆
BZV55C16/tr	2.7664	RFQ	3952	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-BZV55C16/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.2 V						16 V
1N746A-1E3	2.2100	RFQ	404	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N746A-1E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V						3.3 v	24欧姆
Jan1n5536b-1/tr	5.0407	RFQ	7704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5536B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
LXS701-23-0/TR	6.1800	RFQ	9773	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS701			SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXS701-23-0/tr	Ear99	8541.10.0060	1,000		1 a	250兆							2pf @ 0v，1MHz	肖特基 -单身	70V			-
JANTXV1N4618-1/TR	5.2535	RFQ	6313	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4618-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
LXS701-23-2	6.7350	RFQ	6381	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS701			SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXS701-23-2	Ear99	8541.10.0060	1		1 a	250兆							2pf @ 0v，1MHz	肖特基 -1对系列连接	70V			-
CD5820	8.1150	RFQ	1667年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5820	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			20 v	550 mv @ 3 a		100 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	3a	-
JAN1N3025CUR-1/TR	29.0339	RFQ	2646	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3025CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
JANTXV1N977C-1/TR	9.5228	RFQ	5594	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N977C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V						47 V	105欧姆
JANTX1N4107DUR-1/TR	22.8494	RFQ	9740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4107DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V						13 V	200欧姆
Jan1n5532d-1/tr	15.8137	RFQ	9544	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5532D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.8 V						12 v	90欧姆
JANTX1N3329RB	-	RFQ	5093	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3329RB	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 32.7 V						45 v	4.5欧姆
JANTX1N4134-1/TR	4.8412	RFQ	4991	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4134-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V						91 v	1200欧姆
CDLL645/tr	5.0540	RFQ	1416	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL645/tr	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			225 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
CD936A	12.4650	RFQ	7399	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD936A	Ear99	8541.10.0050	1													9 V	30欧姆
CD4465	4.3624	RFQ	9921	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4465	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N5416US/TR	11.7000	RFQ	2225	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5416US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N3028BUR-1/TR	13.0739	RFQ	8313	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3028BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V						22 v	23欧姆
Jan1n649-1/tr	-	RFQ	8979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N649-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JANTX1N751A-1/TR	2.2211	RFQ	1926年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N751A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V						5.1 v	14欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²