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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
jankca1n754c	-	RFQ	9902	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Jankca1n754c	Ear99	8541.10.0050	100											1.1 V @ 200 ma	100 na @ 1 V											6.8 v	5欧姆
R30430	49.0050	RFQ	5521	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-R30430			1
1N6012ur/tr	3.7400	RFQ	4295	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	-					Ear99	8541.10.0050	264											1.1 V @ 200 ma	100 na @ 21 V											33 V	110欧姆
CDLL4903A/TR	184.4550	RFQ	7190	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa				500兆		do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4903A/TR	Ear99	8541.10.0050	1												15 µA @ 8 V											12.8 v	200欧姆
CDS5532B-1	-	RFQ	1495	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-CDS5532B-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANS1N4991CUS	277.2150	RFQ	8996	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E				5 w		D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	2 µA @ 182 V											240 v	650欧姆
1N5529B-1/tr	1.9950	RFQ	5626	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5529B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	477											1.1 V @ 200 ma	100 na @ 8.2 V											9.1 v	45欧姆
CDLL4732/tr	2.3408	RFQ	8324	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf						do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4732/tr	Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V											4.7 v	8欧姆
SMBG5375BE3/TR13	1.1400	RFQ	3489	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5375			5 w		SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	500 NA @ 59 V											82 v	65欧姆
JANTXV1N4483DUS	56.4150	RFQ	4098	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a				1.5 w		D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N444483DUS	Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	250 na @ 44.8 V											56 v	70欧姆
JANTXV1N4103D-1	28.9500	RFQ	9826	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103			500兆		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 na @ 7 V											9.1 v	200欧姆
APT40GP90J	39.4100	RFQ	8312	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT40GP90			284 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												pt	900 v	68 a		3.9V @ 15V，40a				250 µA	不			3.3 NF @ 25 V
CDLL964B/TR	4.1230	RFQ	5431	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				500兆		do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL964B/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 9.9 V											13 V	13欧姆
jankca1n5525c	-	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5525C	Ear99	8541.10.0050	100											1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5 V											6.2 v	30欧姆
JANTXV2N7371	-	RFQ	4507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/623	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				100 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														100 v	12 a						1ma					pnp-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
APT44GA60B	7.5700	RFQ	1651年	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT44GA60	标准		337 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，26a，4.7Ohm，15V										pt	600 v	78 a	130 a	2.5V @ 15V，26a	409µJ（在）上，258µJ（OFF）	128 NC	16ns/84ns
JANTX1N937B-1/TR	-	RFQ	7014	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N937B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												10 µA @ 6 V											8.55 v	20欧姆
JANTXV1N4462	12.0150	RFQ	6100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.5 w		do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	1 µA @ 4.5 V											7.5 v	2.5欧姆
2N2604	9.0307	RFQ	2669	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N2604			400兆		TO-46-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	30 ma						10NA					PNP	300mv @ 500µA，10mA	60 @ 500µA，5V	-
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准		366 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，50a，4.3Ohm，15V										沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
1 PMT4113C/TR7	1.2450	RFQ	2599	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点			1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 14.44 V											19 v	150欧姆
CDLL3823/tr	9.1371	RFQ	3405	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				1 w		do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3823/tr	Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V											3.9 v	9欧姆
JANTXV1N4114D-1/TR	25.8153	RFQ	3920	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4114D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.2 V											20 v	150欧姆
CD4107	1.3699	RFQ	3760	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4107	Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 200 ma	50 NA @ 9.87 V											13 V	200欧姆
JANTXV1N746DUR-1/TR	18.5269	RFQ	7879	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				500兆		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N746DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V											3.3 v	28欧姆
JANS2N3421S	60.9302	RFQ	1143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANS2N3421			1														80 V	3 a						5µA					NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
1N977B	2.0700	RFQ	4137	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N977			500兆		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N977BMS	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 35.8 V											47 V	105欧姆
JANS1N6312C	280.2750	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6312			500兆		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A	5 µA @ 1 V											3.3 v	27欧姆
apt10026jll	97.4600	RFQ	3051	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10026		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	30A（TC）	260mohm @ 15a，10v	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V	7114 PF @ 25 V	-
1N5351C/TR12	3.3900	RFQ	9407	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5351			5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	1 µA @ 10.1 V											14 V	2.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²