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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
Jan1n5621/tr	5.7750	RFQ	2105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N5621/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			800 v	1.6 V @ 3 A	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
Jan1n6857ur-1/tr	-	RFQ	1832年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N6857UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			16 V	750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
Jan1n962b-1/tr	1.8088	RFQ	6210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N962B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V									11 V	9.5欧姆
CDLL4768A/TR	141.1050	RFQ	3412	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4768A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V									9.1 v	350欧姆
JAN1N3821DUR-1/TR	39.9266	RFQ	7246	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N3821DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V									3.3 v	10欧姆
1N943/tr	18.4950	RFQ	2802	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N943/tr	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V									11.7 v	30欧姆
CDS5524BUR-1	-	RFQ	7827	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDS5524BUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
GMV15006-GM1	8.9250	RFQ	3893	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-GMV15006-GM1	Ear99	8541.10.0080	1
JANTX1N4112D-1/TR	15.1886	RFQ	3130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4112D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V									18 V	100欧姆
LXS701-23-4	6.7350	RFQ	3416	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS701			SOT-23-3	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-LXS701-23-4	Ear99	8541.10.0060	1		1 a	250兆							2pf @ 0v，1MHz			肖特基 -1对普通阴极	70V				-
JANTX1N6320/TR	13.1005	RFQ	1340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N6320/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V									6.8 v	3欧姆
UM7101F	24.4650	RFQ	1186	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜175°C		-				-	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-UM7101F	Ear99	8541.10.0060	1			100000 w							1.2pf @ 100V，1MHz			PIN-单	100V				600MOHM @ 100mA，100MHz
CDLL4905/tr	28.1850	RFQ	5635	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4905/tr	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V									12.8 v	100欧姆
1N4733A/tr	3.2319	RFQ	1452	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4733A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V									5.1 v	7欧姆
1N746D/tr	4.9476	RFQ	8354	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N746D/tr	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX2N4033UB/TR	25.9350	RFQ	5360	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆	TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX2N4033UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1											80 V	1 a			10µA（ICBO）				PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
MV2N4856UB/TR	80.6379	RFQ	1056	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-MV2N4856UB/TR			1
jankca1n5540b	-	RFQ	3534	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANKCA1N5540B	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V									20 v	100欧姆
CD5233B	1.4497	RFQ	4569	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD5233B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V									6 V	7欧姆
jantx1n4482us/tr	12.8611	RFQ	9204	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4482US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 40.8 V									51 v	60欧姆
JANTX1N973DUR-1/TR	21.1736	RFQ	1711年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N973DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 25 V									33 V	58欧姆
JANTX1N55529D-1/TR	21.8785	RFQ	7737	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N5529D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V									9.1 v	45欧姆
JANTXV1N4575A-1/TR	6.1500	RFQ	7533	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4575A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V									6.4 v	50欧姆
CDLL4472/tr	10.2410	RFQ	4860	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4472/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 na @ 16 V									20 v	12欧姆
JANTXV1N985DUR-1/TR	21.6258	RFQ	4131	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N985DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V									100 v	500欧姆
JANTXV1N4128UR-1/TR	10.1080	RFQ	8563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4128UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V									60 V	400欧姆
CDLL752A/TR	3.2718	RFQ	5662	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL752A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V									5.6 v	11欧姆
MX2N4391UB/TR	69.5324	RFQ	5587	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-MX2N4391UB/TR			1
JAN1N555222D-1/TR	15.8137	RFQ	5587	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N555522D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V									4.7 v	22欧姆
CDLL5277B/TR	2.9526	RFQ	4484	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5277B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V									160 v	1700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²