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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
MML4403-GM2	5.2500	RFQ	196	微芯片技术	MML4400	大部分	积极的		-55°C〜150°C		2-SMD，没有铅	MML4403			2-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1													1.5pf @ 0v，1MHz		PIN-单	75V								1 OHM @ 100mA，100MHz
MPP4202-206	3.9900	RFQ	6746	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPP4202			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	100													0.15pf @ 10V，1MHz		PIN-单	50V								2.8OHM @ 20mA，100MHz
KVX2122-23-0	4.5200	RFQ	223	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX2122			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1													2.7pf @ 0v，1MHz		单身的	22 v														-	1000 @ 4V，50MHz
GC1213-23-0	6.4400	RFQ	163	微芯片技术	-	大部分	积极的					GC1213				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1
KVX1501-23-0	6.7200	RFQ	146	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX1501			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1													10.6pf @ 10V，1MHz		单身的	12 v														-	50 @ 2V，10MHz
GCX1204-23-0	6.0300	RFQ	60	微芯片技术	GCX1204	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	GCX1204			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1													1.8pf @ 4V，1MHz		单身的	30 V													3.5	C0/C30	3000 @ 4V，50MHz
GC1213-23-0/TR	6.6750	RFQ	7566	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					GC1213				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1,000
MPV1965-206/tr	4.7850	RFQ	2252	微芯片技术	MPV	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	0402（（1005公制）	MPV1965			0402	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1,000													3.8pf @ 1V，1MHz		单身的	15 v													3.6	C1/C6	1500 @ 4V，50MHz
MML4403-GM3	7.3400	RFQ	90	微芯片技术	MML4400	大部分	积极的		-55°C〜150°C		4-SMD，没有铅	MML4403			-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1													1.5pf @ 0v，1MHz		引脚-2独立	75V								1 OHM @ 100mA，100MHz
2N5114UB/TR	55.2349	RFQ	6557	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N5114UB/TR	Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V	25pf @ 15V												30 V	90 ma @ 18 V	10 V @ 1 na				75欧姆
LXP1000-23-4	5.6400	RFQ	4663	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXP1000-23-4	Ear99	8541.10.0060	1			1 a			250兆							0.28pf @ 5V，1MHz		引脚-1对普通阴极	5V								2.5OHM @ 5mA，100MHz
1N5276B	2.7664	RFQ	1467	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5276B	Ear99	8541.10.0050	1								1.5 V @ 200 ma		100 na @ 114 V											150 v	1500欧姆
JANS1N4101UR-1/TR	46.3100	RFQ	6177	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4101UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.24 V											8.2 v	200欧姆
CDLL5231/TR	2.8329	RFQ	6733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5231/tr	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V											5.1 v	17欧姆
Jan1n5529bur-1/tr	12.9542	RFQ	4239	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5529BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V											9.1 v	45欧姆
CDLL6320/tr	12.2227	RFQ	7728	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6320/tr	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V											6.8 v	3欧姆
1N944A-1E3	22.7850	RFQ	6455	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N944A-1E3	Ear99	8541.10.0050	1										15 µA @ 8 V											11.7 v	30欧姆
Jan1n4116ur-1/tr	5.1870	RFQ	4509	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4116UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V											24 V	150欧姆
2n4391ub/tr	28.2359	RFQ	6767	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N4391UB/TR			1
1N5535BUR-1/TR	5.7855	RFQ	4190	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5535BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V											15 v	100欧姆
JANS1N4102DUR-1/TR	137.4500	RFQ	6052	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4102DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V											8.7 v	200欧姆
CDLL4915/tr	106.9950	RFQ	9544	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4915/tr	Ear99	8541.10.0050	1										15 µA @ 8 V											12.8 v	25欧姆
Jan1n4124-1/tr	3.7772	RFQ	3156	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4124-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V											43 V	250欧姆
1N4114/tr	2.3408	RFQ	3912	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4114/tr	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V											20 v	150欧姆
Janhca2n2369a	11.3449	RFQ	7686	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2n2369a		360兆w	TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca2n2369a	Ear99	8541.21.0095	1														15 v						400NA					NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTX1N3027D-1/TR	24.4853	RFQ	4563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3027D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V											20 v	22欧姆
JANTX1N4946/TR	11.2650	RFQ	9023	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/359	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4946/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）						600 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	-
CDLL4924/tr	50.2200	RFQ	7747	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4924/tr	Ear99	8541.10.0050	1										15 µA @ 12 V											19.2 v	150欧姆
JANTXV1N4107CUR-1/TR	27.0123	RFQ	3020	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4107CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V											13 V	200欧姆
JANTX1N751C-1/TR	5.7855	RFQ	7046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N751C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1								1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V											5.1 v	17欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²