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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N3498U4	135.1050	RFQ	4962	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N3498U4	Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	500 MA	50NA（iCBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N4120DUR-1/TR	32.0663	RFQ	8693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4120DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V							30 V	200欧姆
1N5545BUR-1/TR	6.6300	RFQ	3619	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	146														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V							30 V	100欧姆
R3560	42.3000	RFQ	4791	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R3560	标准，反极性		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANS1N6353CUS/TR	-	RFQ	5331	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANS1N6353CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V							160 v	1200欧姆
JANTXV1N4550B	-	RFQ	8499	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 mV							4.3 v	0.16欧姆
JAN1N3018B-1	7.6500	RFQ	7765	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3018		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V							8.2 v	4.5欧姆
JANS1N4959C	415.7700	RFQ	2302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4959C	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V							11 V	2.5欧姆
JANTXV1N3891AR	474.2850	RFQ	7345	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1.5 V @ 38 A	150 ns		-65°C〜175°C	20a	115pf @ 10V，1MHz
1N4734AP/TR8	1.8900	RFQ	3945	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4734		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 2 V							5.6 v	5欧姆
Jan1n3012rb	435.8700	RFQ	9819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V							160 v	200欧姆
1N5929BPE3/TR12	0.9450	RFQ	7427	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5929		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V							15 v	9欧姆
1N4571D	-	RFQ	5163	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
APT51F50J	30.4800	RFQ	7013	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT51F50	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	51A（TC）	10V	75MOHM @ 37A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	11600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
UZ808	22.4400	RFQ	8019	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ808	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV2N336	-	RFQ	1236	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				45 v	10 MA	-			NPN	-	-	-
JANTX2N6052	76.7700	RFQ	22	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/501	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6052		150 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	12 a	1ma			pnp-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
JANTX1N3049C-1	-	RFQ	1603	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
UFS505JE3/TR13	1.8750	RFQ	4683	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UFS505				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
JANTX1N649UR-1/TR	-	RFQ	1723年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N649UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1														1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V
JANTX1N4625C-1/TR	9.1770	RFQ	3198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4625C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																5 µA @ 3 V							5.1 v	1500欧姆
JANTX1N5416US	11.5500	RFQ	2680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5416	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
JAN1N4975CUS/TR	21.0273	RFQ	3430	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4975CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 38.8 V							51 v	27欧姆
JANS2N918UB	220.1112	RFQ	4902	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			200兆	UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				15 v	50 mA	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
1N4683UR-1/TR	5.2400	RFQ	2825	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186														1.5 V @ 100 ma		800 na @ 1 V							3 V
JANTX1N5712UBCA	103.7700	RFQ	9149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
1N5081	23.4000	RFQ	2168	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-			到达不受影响	150-1N5081	Ear99	8541.10.0050	1																1 µA @ 30.4 V							40 V	27欧姆
S50380	158.8200	RFQ	7725	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S50380			1
S50310T	158.8200	RFQ	8468	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S50310TS			1
2N2919U	48.6647	RFQ	9473	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919		350MW	3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²