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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN1N6337DUS/TR	49.8450	RFQ	9732	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6337DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V							36 V	50欧姆
Jan1n758ur-1/tr	4.4400	RFQ	7208	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-JAN1N758UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	175			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							10 v	17欧姆
CDLL5545D/TR	16.3950	RFQ	3403	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5545D/tr	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V							30 V	100欧姆
JANTXV1N4976/TR	7.8000	RFQ	5264	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4976/TR	Ear99	8541.10.0050	200			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V							56 v	35欧姆
1N5522D/tr	5.8650	RFQ	1536年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5522D/tr	Ear99	8541.10.0050	161			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V							4.7 v	22欧姆
1N456/tr	3.5850	RFQ	8563	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-1N456/tr			264
1N5261/tr	2.2950	RFQ	7417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5261/tr	Ear99	8541.10.0050	410			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 34 V							47 V	105欧姆
1N5531A/tr	1.9950	RFQ	4502	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5531A/TR	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 9 V							11 V
JANTX1N6643U/TR	6.5301	RFQ	9817	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6643U/TR	Ear99	8541.10.0070	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	6 ns	500 NA @ 50 V	-65°C 〜200°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
CDLL5520D/TR	16.3950	RFQ	4464	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5520D/tr	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V							3.9 v	22欧姆
1N755AE3/tr	2.5200	RFQ	9344	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N755AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	374			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
1N5525/tr	1.9950	RFQ	9778	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5525/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 4.5 V							6.2 v
1N4734AUR-1/TR	3.6450	RFQ	6674	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-1N4734AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	258			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 2 V							5.6 v	5欧姆
JAN2N22222222AUBP/TR	12.4488	RFQ	2150	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-	到达不受影响	150-JAN2N222222AUBP/TR	Ear99	8541.21.0095	100									50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
CDLL8.55V/tr	16.4250	RFQ	5453	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDLL8.55V/tr	Ear99	8541.10.0050	100
1N753C/TR	4.5000	RFQ	2974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N753C/TR	Ear99	8541.10.0050	211			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							6.2 v	7欧姆
MSASC150W100LX/TR	-	RFQ	3013	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-	到达不受影响	150-MSASC150W100LX/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	925 MV @ 150 A		5 ma @ 100 V	-65°C〜150°C	150a	-
1N4565AE3/tr	3.5850	RFQ	2134	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4565AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	264					2 µA @ 3 V							6.4 v	200欧姆
CD5221D-1/TR	-	RFQ	9688	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5221D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N5189/TR	14.3400	RFQ	8016	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/424	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	轴向		标准		b	-	到达不受影响	150-JANTX1N5189/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	300 ns	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N6638/tr	67.7102	RFQ	3124	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准，反极性		DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6638/TR	Ear99	8541.10.0070	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.1 V @ 200 ma	4.5 ns	500 NA @ 125 V	-65°C 〜200°C	300mA	2pf @ 0v，1MHz
1N3156E3/tr	31.9350	RFQ	7059	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3156		500兆	do-7	下载	到达不受影响	150-1N3156E3/tr	Ear99	8541.10.0050	100					10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
1N5537/tr	1.9950	RFQ	3314	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5537/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14 V							17 V
1N5537A/tr	1.9950	RFQ	4015	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5537A/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14 V							17 V
1N5521A/TR	1.9950	RFQ	6606	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5521A/TR	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							4.3 v
CDLL5222C/TR	6.9150	RFQ	6730	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5222C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.5 v	30欧姆
JANTX1N6323US/TR	18.4350	RFQ	8904	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6323US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V							9.1 v	6欧姆
CDLL5538C/TR	12.3900	RFQ	8084	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5538C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V							18 V	100欧姆
CDS5532B-1/TR	-	RFQ	1671年	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5532B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N4955D	25.0800	RFQ	8201	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4955D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V							7.5 v	1.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²