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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N4481US/TR	14.5050	RFQ	2475	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTX1N4481US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
CD027B-1/TR	-	RFQ	3507	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS3027B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANTX1N6623U/TR	15.1800	RFQ	9619	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准，反极性		a，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6623U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	800 v	1.8 V @ 1.5 A	50 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
JANTX1N5811urs/tr	20.4300	RFQ	2242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N5811URS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
1N456A/tr	3.5850	RFQ	3800	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N456	标准		DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N456A/tr	Ear99	8541.10.0070	264	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）					175°C	500mA	-
1N5276B-1/tr	3.3900	RFQ	2356	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5276B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	280			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 114 V				150 v	1500欧姆
UZ7756V	468.9900	RFQ	9849	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-	到达不受影响	150-UZ7756V	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 42.6 V				56 v	30欧姆
1N1370	44.3850	RFQ	1923年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N137		10 W	DO-203AA（DO-4）	-	到达不受影响	150-1N1370	Ear99	8541.10.0050	1									62 v	12欧姆
UZ7856	468.9900	RFQ	2099	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-	到达不受影响	150-UZ7856	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 40.3 V				56 v	30欧姆
CDLL4972	11.1450	RFQ	5356	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDLL4972	Ear99	8541.10.0050	1
1N4465D	22.1400	RFQ	2035	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载	到达不受影响	150-1N4465D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
1N5233C	4.0800	RFQ	2209	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5233C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
CDS968BUR-1	-	RFQ	2684	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS968BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
S43100F	112.3200	RFQ	1289	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-S43100F	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N914-1	0.9600	RFQ	8288	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N914-1	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 50 mA	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N5536A	1.8150	RFQ	9643	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5536A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13 V				16 V
Janhca1n4128d	-	RFQ	6540	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4128d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
S50330	158.8200	RFQ	3418	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S50330			1
CD5523A	2.2950	RFQ	3355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5523A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 v	26欧姆
2N5546	36.4200	RFQ	3177	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-2N5546			1
1N6874UTK2AS	259.3500	RFQ	4049	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-1N6874UTK2AS			1
1N6894UTK1CS	259.3500	RFQ	5117	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-1N6894UTK1CS			1
1N5546B-1	3.0750	RFQ	9453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5546B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
1N3782	38.6100	RFQ	5614	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			400兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N3782	Ear99	8541.10.0050	1									6.7 v	10欧姆
JANS1N4990D	519.7200	RFQ	7442	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANS1N4990D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
CDLL5930DE3	11.9400	RFQ	7249	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL5930DE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N5520D	5.4900	RFQ	2633	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5520D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
CDLL5529D	16.2000	RFQ	4612	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5529D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V				9.1 v	45欧姆
jankca1n5539d	-	RFQ	1468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5539D	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
CD4100V	3.0900	RFQ	8199	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD4100V	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²