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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） （CIES） @ vce
APTDF60H1201G Microchip Technology APTDF60H1201G 45.1800
RFQ
 ECAD 5601 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTDF60 标准 SP1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 3 V @ 60 A 100 µA @ 1200 V 82 a 单相 1.2 kV
APTGT300DA170D3G Microchip Technology APTGT300DA170D3G 269.3100
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 D-3模块 APTGT300 1470 w 标准 D3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1700 v 530 a 2.4V @ 15V，300A 8 ma 不 26 NF @ 25 V
APTM100A18FTG Microchip Technology aptm100a18ftg 195.3300
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 780W SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 43a 210MOHM @ 21.5A，10V 5V @ 5mA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
APTM100DAM90G Microchip Technology APTM100DAM90G 230.0917
RFQ
 ECAD 9653 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1000 v 78A（TC） 10V 105mohm @ 39a，10v 5V @ 10mA 744 NC @ 10 V ±30V 20700 PF @ 25 V - 1250W（TC）
APTM10DAM05TG Microchip Technology APTM10DAM05TG 126.6100
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 APTM10 MOSFET （金属 o化物） SP4 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 278a（TC） 10V 5mohm @ 125a，10v 4V @ 5mA 700 NC @ 10 V ±30V 20000 PF @ 25 V - 780W（TC）
JAN1N1614R Microchip Technology Jan1n1614r 66.0750
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/162 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N1614 标准，反极性 DO-203AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 1.5 V @ 15 A 50 µA @ 200 V -65°C〜150°C 15a -
JANTXV1N3828AUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3828AR-1 19.3950
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1N3828 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
JANTX1N4099CUR-1 Microchip Technology JANTX1N4099CUR-1 -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 v 200欧姆
JANTX1N4099D-1 Microchip Technology JANTX1N4099D-1 -
RFQ
 ECAD 4955 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.2 V 6.8 v 200欧姆
JANTXV1N4100-1 Microchip Technology JANTXV1N4100-1 -
RFQ
 ECAD 5478 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTX1N4100D-1 Microchip Technology JANTX1N4100D-1 19.2300
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4100 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTX1N4101DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4101DUR-1 28.5450
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4101 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.3 V 8.2 v 200欧姆
JANTXV1N4102-1 Microchip Technology JANTXV1N4102-1 9.0450
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4102 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
JAN1N4102CUR-1 Microchip Technology JAN1N4102CUR-1 14.5650
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4102 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
JANTX1N4102D-1 Microchip Technology JANTX1N4102D-1 16.9800
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4102 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
JAN1N4102UR-1 Microchip Technology Jan1n4102ur-1 -
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
JAN1N4103-1 Microchip Technology Jan1n4103-1 4.1400
RFQ
 ECAD 5331 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4103 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 7 V 9.1 v 200欧姆
JAN1N4104D-1 Microchip Technology JAN1N4104D-1 13.1400
RFQ
 ECAD 9517 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4104 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 7.6 V 10 v 200欧姆
JANTX1N4106UR-1 Microchip Technology JANTX1N4106UR-1 9.7500
RFQ
 ECAD 2558 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4106 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.2 V 12 v 200欧姆
JAN1N4107DUR-1 Microchip Technology JAN1N4107DUR-1 18.2400
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4107 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 13 V 200欧姆
JANTXV1N4107UR-1 Microchip Technology JANTXV1N4107UR-1 11.8350
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4107 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 13 V 200欧姆
JANTX1N4134DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4134DUR-1 30.4050
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N4134 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 69.2 V 91 v 1200欧姆
JANTXV1N4135D-1 Microchip Technology JANTXV1N4135D-1 28.9500
RFQ
 ECAD 9014 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4135 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 76 V 100 v 1600欧姆
JANTX1N4371C-1 Microchip Technology JANTX1N4371C-1 11.7450
RFQ
 ECAD 7053 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4371 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 60 µA @ 1 V 2.7 v 30欧姆
JANTXV1N4372D-1 Microchip Technology JANTXV1N4372D-1 31.9500
RFQ
 ECAD 5104 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4372 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANTXV1N4372DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4372DUR-1 -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 30 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JANTX1N4460C Microchip Technology JANTX1N4460C 20.7600
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4460 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 10 µA @ 3.72 V 6.2 v 4欧姆
JANTX1N4461DUS Microchip Technology JANTX1N4461DUS 69.9450
RFQ
 ECAD 1849年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，a 1N4461 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 5 µA @ 4.08 V 6.8 v 2.5欧姆
JANTXV1N4462D Microchip Technology JANTXV1N4462D 38.4450
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4462 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 1 µA @ 4.5 V 7.5 v 2.5欧姆
JAN1N4466D Microchip Technology Jan1n4466d 25.4550
RFQ
 ECAD 3296 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4466 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 300 NA @ 8.8 V 11 V 6欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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