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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N6003C	4.4400	RFQ	8180	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6003		500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		100 na @ 9.9 V													13 V	25欧姆
JANTX1N5538BUR-1	14.7600	RFQ	5847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5538		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V													18 V	100欧姆
2N2324A	-	RFQ	3102	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.30.0080	1				2 ma											100 v	600 mv	-	20 µA	220 MA	敏感门
CDLL5253A/TR	2.7132	RFQ	3490	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			10兆		do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5253A/TR	Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V													25 v	35欧姆
1N4370AUR-1/TR	6.1600	RFQ	7843	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			400兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	159																						1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V													2.4 v	30欧姆
1N1365	44.3850	RFQ	9381	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N136		10 W		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1365	Ear99	8541.10.0050	1																																					39 v	5欧姆
1月1N5969	-	RFQ	3942	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	E，轴向			5 w		E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V													6.2 v	1欧姆
2N4091UB	47.6539	RFQ	1416	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	2N4091		360兆w		3-UB （3.09x2.45）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道		40 V							16pf @ 20V																				40 V	30 ma @ 20 V							30欧姆
1N5955D	7.5450	RFQ	2828	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5955		1.25 w		do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 136.8 V													180 v	900欧姆
APT42F50B	10.1400	RFQ	2515	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT42F50	MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		500 v	42A（TC）	10V	130mohm @ 21a，10v	5V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±30V	6810 PF @ 25 V	-	625W（TC）
2N6248	65.3100	RFQ	4956	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6248	Ear99	8541.29.0095	1																													100 v	15 a					-						PNP	1.3V @ 500µA，5mA	-	-
CDLL4736A	3.4650	RFQ	8127	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4736				do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 4 V													6.8 v	3.5欧姆
JAN1N5529CUR-1	37.0200	RFQ	4489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5529		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V													9.1 v	45欧姆
1N4115UR	3.7950	RFQ	1085	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4115		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 16.72 V													22 v	150欧姆
JANS1N6314DUS/TR	412.3050	RFQ	1051	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆		B，平方米	-				150-JANS1N6314DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50																						1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V													3.9 v	23欧姆
MX2N4858UB	68.7743	RFQ	7152	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N4858					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1N5340BE3/TR12	2.6850	RFQ	2496	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w		T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V													6 V	1欧姆
MX2N4861UB/TR	68.9206	RFQ	2529	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w		UB	-			到达不受影响	150-MX2N4861UB/TR			100			n通道		30 V							18pf @ 10V																				30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA						60欧姆
JAN1N6348DUS/TR	49.8300	RFQ	7980	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆		B，平方米	-				150-JAN1N6348DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100																						1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V													100 v	340欧姆
JANTX1N4955US/TR	10.3650	RFQ	2810	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w		E-Melf	-				150-JANTX1N4955US/TR	Ear99	8541.10.0050	100																						1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V													7.5 v	1.5欧姆
DN2530N8-G	0.8800	RFQ	3905	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA	DN2530	MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		300 v	200ma（tj）	0V	12ohm @ 150mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1.6W（TA）
APTGF300SK120G	-	RFQ	3089	微芯片技术	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP6			1780 w	标准	SP6	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的																											npt	1200 v	400 a	3.9V @ 15V，300A				500 µA	不			21 nf @ 25 V
1 PMT5946BE3/TR13	0.7350	RFQ	1860年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W		do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V													75 v	140欧姆
1 PMT5947E3/TR13	0.7350	RFQ	5654	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W		do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V													82 v	160欧姆
JANS1N5301UR-1	130.1550	RFQ	1849年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5301		500MW		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																																													100V	1.54mA	1.55V
2N4211	707.8500	RFQ	7520	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			100 W		TO-63	-			到达不受影响	150-2N4211	Ear99	8541.29.0095	1																													80 V	20 a					-						PNP	-	-	-
Jan1n4110ur-1/tr	5.1870	RFQ	7829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）					do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4110UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V													16 V	100欧姆
CDLL4105/tr	3.9900	RFQ	6633	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			500兆		do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4105/tr	Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V													11 V	200欧姆
1N6626	11.1750	RFQ	2540	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	a，轴向	1N6626	标准			a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			220 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
MSCSM120AM03T6LIAG	1.0000	RFQ	5001	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块	MSCSM120	（SIC）	3.215kW（TC）		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM03T6LIAG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）				1200V（1.2kV）	805a（TC）		3.1MOHM @ 400A，20V	2.8V @ 30mA	2320nc @ 20V		30200pf @ 1000V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²