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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANS1N6842U3	363.6150	RFQ	1227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/680	大部分	积极的				表面安装	3-SMD，没有铅	1N6842		肖特基		U3 （SMD-0.5）	-			到达不受影响	150-JANS1N6842U3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	60 V	10a	780 mv @ 10 a		50 µA @ 60 V	-65°C〜150°C
2N5320	287.8650	RFQ	8890	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				10 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5320	Ear99	8541.29.0095	1																							75 v	2 a								-			NPN	-	30 @ 500mA，4V	-
JANS1N6321	-	RFQ	7428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V															7.5 v	4欧姆
JANS1N4471US/TR	85.9004	RFQ	7360	微芯片技术	-	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4471US/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N5819-1/TR	93.3300	RFQ	9192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向			肖特基		do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5819-1/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
JANS1N829-1/TR	238.1850	RFQ	5817	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N829-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3 V															6.2 v	15欧姆
TN0104N3-G-P003	0.9800	RFQ	2284	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0104		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		40 V	450mA（ta）	3V，10V	1.8OHM @ 1A，10V	1.6V @ 500µA	±20V	70 pf @ 20 V	-	1W（TC）
CDLL5942C	7.8450	RFQ	6424	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5942			1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V															51 v	70欧姆
CDLL3043B	15.3000	RFQ	6067	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3043			1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 69.2 V															91 v	250欧姆
1N6643U/tr	7.5450	RFQ	7403	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SQ-MELF，b			标准，反极性		B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6643U/tr	Ear99	8541.10.0070	125	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													75 v		1.2 V @ 100 ma	6 ns	500 NA @ 50 V	-65°C 〜200°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1N3661	41.6850	RFQ	9755	微芯片技术	-	大部分	积极的				按适合	DO-208AA			标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3661	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1.1 V @ 35 A		10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	35a	-
1月1N962DUR-1	14.2500	RFQ	6248	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N962			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V															11 V	9.5欧姆
CDLL4783A	153.2550	RFQ	8519	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa	CDLL4783			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 6 V															8.5 v	100欧姆
1N5933APE3/TR12	0.9150	RFQ	4283	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5933			1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V															22 v	17.5欧姆
JANTXV1N4475US/TR	17.7750	RFQ	6037	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a				1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4475US/TR	Ear99	8541.10.0050	100																1.5 V @ 1 A		50 NA @ 21.6 V															27 V	18欧姆
CD4150ur-1/tr	-	RFQ	8874	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-			到达不受影响	150-CDS4150ur-1/tr			50
CDLL759A	2.8800	RFQ	3094	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL759			500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V															12 v	30欧姆
APT50GR120B2	10.8900	RFQ	2166	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT50GR120	标准		694 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，50a，4.3Ohm，15V																			npt	1200 v	117 a	200 a	3.2V @ 15V，50a	2.14mj（在）上，1.48mj off）	445 NC	28NS/237NS
1N5296-1	18.6000	RFQ	5273	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5296			500MW	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																																										100V	1.001mA	1.29V
MV21002-P00	-	RFQ	2186	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C		表面安装	死					芯片	-			到达不受影响	150-MV21002-P00	Ear99	8541.10.0040	1																					0.4pf @ 4V，1MHz									单身的	30 V								3.1	C0/C30	7500 @ 4V，50MHz
JANTX1N6761-1/TR	-	RFQ	7859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向			肖特基		do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6761-1/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
CDS976B-1/TR	-	RFQ	4179	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-			到达不受影响	150-CDS976B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
2N5781	16.9974	RFQ	2293	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N5781					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX1N4133D-1	16.9800	RFQ	6718	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V															87 v	1000欧姆
JANSD2N3439	270.2400	RFQ	3352	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C		通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSD2N3439			1																							350 v	1 a								2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
1N4702	3.9300	RFQ	2920	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4702			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V															15 v
Jan1n3031b-1/tr	8.3524	RFQ	9442	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3031B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V															30 V	40欧姆
SMBG5376BE3/TR13	1.1400	RFQ	9133	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5376			5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 1 A		500 NA @ 63 V															87 v	75欧姆
SMBJ5381CE3/TR13	1.0800	RFQ	5741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5381			5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 1 A		500 NA @ 93.6 V															130 v	190欧姆
CDLL4583A/TR	18.6900	RFQ	8527	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜100°C		表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4583A/TR	Ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3 V																25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²