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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MSCSM170HRM11NG	632.5900	RFQ	4210	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			（SIC）	1.012kW（TC），662W（TC）		-	-				150-MSCSM170HRM11NG			1	（4 n 通道（三级逆变器）							1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV）	226a（TC），163a （TC）		11.3MOHM @ 120A，20V，16MOHM @ 80A，20V	3.2V @ 10mA，2.8V @ 6mA	712nc @ 20v，464nc @ 20v		13200pf @ 1000V，6040pf @ 1000V	（SIC）
JANS1N6642UBCC	75.9150	RFQ	7591	微芯片技术	-	大部分	积极的				表面安装	3-SMD，没有铅			标准			UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	-
APTGT25X120T3G	100.0908	RFQ	9932	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT25			156 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																									沟渠场停止	1200 v	40 a	2.1V @ 15V，25a		250 µA	是的			1.8 nf @ 25 V
1 PMT4115/TR7	0.9450	RFQ	8159	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点			1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 16.72 V											22 v	150欧姆
JANTXV1N3034CUR-1/TR	41.0438	RFQ	5415	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				1 w		DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3034CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V											39 v	60欧姆
JANTXV2N2905	21.5061	RFQ	7879	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/290	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											60 V	1 µA			1µA					PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS1N6761UR-1	-	RFQ	7516	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的				表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N6761		肖特基			DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	100 v	380 mv @ 100 ma		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
MSCSM120AM11CT3AG	387.2000	RFQ	9389	微芯片技术	-	管子	积极的			-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	1.067kW（TC）		SP3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM11CT3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）							1200V（1.2kV）	254a（TC）		10.4mohm @ 120A，20V	2.8V @ 3mA	696nc @ 20V		9060pf @ 1000V	-
VN2450N8-G	1.5000	RFQ	44	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	VN2450		MOSFET （金属 o化物）			TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					500 v	250mA（TJ）	4.5V，10V	13ohm @ 400mA，10v	4V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
DC35GN-15-Q4	-	RFQ	1672年	微芯片技术	-	大部分	积极的		125 v		表面安装	24-TFQFN暴露垫		-	hemt			24 QFN （4x4）	下载			到达不受影响	150-DC35GN-15-Q4	Ear99	8541.29.0095	10				-	40 MA	19w	18.6dB											-												50 V
2N5584	613.4700	RFQ	8222	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱				175 w		TO-63	-			到达不受影响	150-2N5584	Ear99	8541.29.0095	1																											180 v	30 a			-					NPN	1.5V @ 2mA，10mA	-	-
CD753C	-	RFQ	5739	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆		死	-			到达不受影响	150-CD753C	Ear99	8541.10.0050	278																				1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V											6.2 v	7欧姆
JANTXV1N6624US/TR	18.2700	RFQ	9116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SQ-MELF，a			标准			D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6624US/TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	900 v	1.55 V @ 1 A	60 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
CDLL4728A	2.4450	RFQ	7750	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4728					do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V											3.3 v	10欧姆
APT100GN120JDQ4	55.6400	RFQ	4345	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT100			446 w	标准	isotop®	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																									沟渠场停止	1200 v	153 a	2.1V @ 15V，100a		200 µA	不			6.5 nf @ 25 V
2N5597	43.0350	RFQ	8538	微芯片技术	-	大部分	积极的			-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				20 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5597	Ear99	8541.29.0095	1																											60 V	2 a			-					PNP	-	-	-
Jan1n4461c	20.3700	RFQ	2940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4461			1.5 w		do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V											6.8 v	2.5欧姆
JANTXV2N3636L	14.3906	RFQ	4627	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3636			1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											175 v	1 a			10µA					PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
UZ8740	22.4400	RFQ	4193	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向				1 w		a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ8740	Ear99	8541.10.0050	1																						500 NA @ 30.4 V											40 V	62欧姆
CDLL5276A/TR	3.7800	RFQ	4713	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％		-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa						do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5276A/TR	Ear99	8541.10.0050	250																				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 108 V											150 v	1500欧姆
MBR30150CTE3/TU	-	RFQ	1598年	微芯片技术	*	管子	积极的						MBR30150						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
1月1N980CUR-1/TR	10.2410	RFQ	7017	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				500兆		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N980CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V											62 v	185欧姆
CD4113	1.3699	RFQ	1398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4113	Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 200 ma		50 NA @ 14.44 V											19 v	150欧姆
apt6010jll	39.8500	RFQ	9820	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT6010		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	47A（TC）		100mohm @ 23.5a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V		6710 PF @ 25 V	-
2N6270	103.8600	RFQ	1767年	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				262 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6270	Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	10 a			-					NPN	-	-	-
CD957B	2.1679	RFQ	8847	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD957B	Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V											6.8 v	4.5欧姆
Jan1n4479c	20.3700	RFQ	8199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4479			1.5 w		do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 200 MA		50 NA @ 31.2 V											39 v	30欧姆
JANTX1N4470D	27.7200	RFQ	5483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％		-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4470			1.5 w		do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 200 MA		50 na @ 12.8 V											16 V	10欧姆
JANTXV1N6328US	-	RFQ	5432	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b				500兆		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V											15 v	10欧姆
MSC40SM120JCU2	45.0700	RFQ	5301	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC40SM120		sicfet （碳化硅）			SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC40SM120JCU2	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1200 v	55A（TC）	20V	50mohm @ 40a，20v	2.7V @ 1mA	137 NC @ 20 V	+25V，-10V	1990 pf @ 1000 V	-	245W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²