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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SMBG5379A/TR13	2.2200	RFQ	2481	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5379		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 79.2 V							110 v	125欧姆
1N4568AR-1	12.3450	RFQ	7922	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4568		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V								200欧姆
Jan1n4989d	36.9450	RFQ	9011	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4989		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V							200 v	500欧姆
JANTX1N3045B-1	10.0650	RFQ	4947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V							110 v	450欧姆
JANTX1N3347B	-	RFQ	3569	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 121.6 V							160 v	80欧姆
1N5349BE3/TR13	0.8850	RFQ	7908	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5349		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250					1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V							12 v	2.5欧姆
CDLL5253/tr	2.7132	RFQ	3270	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5253/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V							25 v	35欧姆
MSCDR90A160BL1NG	77.4000	RFQ	1341	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	模块	MSCDR90	标准		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDR90A160BL1NG	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1600 v	90A（DC）	1.21 V @ 33 A		50 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C
JANTX1N4984C	38.4300	RFQ	1762年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4984		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V							120 v	170欧姆
1N6640US	9.3600	RFQ	6483	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6640	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5921BP/TR8	1.8900	RFQ	3083	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V							6.8 v	2.5欧姆
1N6762R	205.5600	RFQ	6460	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6762	标准		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	50 V	12a	1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-
UPS5819/TR13	0.6150	RFQ	3813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS5819	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
Jankcbr2N5002	-	RFQ	2560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	死			2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100											80 V	50 µA	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
Jan1n3170r	-	RFQ	8784	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.55 V @ 940 A		10 ma @ 600 V	-65°C 〜200°C	300A	-
jankca1n5529b	-	RFQ	4949	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N5529B	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V							9.1 v	45欧姆
JAN2N3418	17.0905	RFQ	1271	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3418		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
1月1N975BUR-1/TR	4.0831	RFQ	9693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N975BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V							39 v	80欧姆
JAN2N2919U/TR	43.2250	RFQ	9922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	胶带和卷轴（（tr）	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919		350MW	3-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2919U/TR	Ear99	8541.21.0095	1											60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTXV1N992DUR-1	-	RFQ	4222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V							200 v	2500欧姆
JANTX1N4481D	36.6000	RFQ	5245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 37.6 V							47 V	50欧姆
JANTX1N4372C-1/TR	20.0032	RFQ	4120	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4372C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
R3280	49.0050	RFQ	2713	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3280			1
JANTX2N3996	-	RFQ	6293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/374	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			2 w	TO-111	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											80 V	10 a	10µA			NPN	2V @ 500mA，5a	40 @ 1A，2V	-
1N2972RB	-	RFQ	6032	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V							8.2 v	1.5欧姆
CDLL5277C/TR	6.9150	RFQ	7374	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5277C/TR	Ear99	8541.10.0050	137					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V							160 v	1700欧姆
2C5038	32.5717	RFQ	1416	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2C5038			1
1N4626D/tr	6.7500	RFQ	1093	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4626D/tr	Ear99	8541.10.0050	140					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V							5.6 v	1400欧姆
Jan1n4963cus	25.3200	RFQ	1417	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4963		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V							16 V	3.5欧姆
Jan1n5545b-1	5.5200	RFQ	1551年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5545		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V							30 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²