RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APT10M11LVRG	39.8500	RFQ	28	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10M11		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（L）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT10M11LVRG	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	100A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	450 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	520W（TC）
CD747C	-	RFQ	2930	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆	死	-			到达不受影响	150-CD747C	Ear99	8541.10.0050	278																				1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V								3.6 v	24欧姆
JANTX2N5153U3	153.6682	RFQ	9972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w	U3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									80 V	1 MA		1ma			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
CDLL5238B/TR	2.7132	RFQ	4067	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5238B/TR	Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 6.5 V								8.7 v	8欧姆
VRF151	70.1300	RFQ	23	微芯片技术	-	管子	积极的		170 v			M174	VRF151	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道			1ma	250 MA	150W	14dB											-									50 V
JANTXV2N2919U	57.4693	RFQ	8979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的			200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919			350MW	3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																									60V	30mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTXV2N6274	247.9918	RFQ	9654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				250 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									100 v	50 µA		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
2N6351	30.7895	RFQ	1212	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以				1 w	TO-33	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									150 v	5 a		-			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
JAN2N6277	187.5566	RFQ	1933年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277			250 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									150 v	50 a		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
JANTXV2N6676T1	-	RFQ	3456	微芯片技术	*	大部分	积极的				-	-					-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1N3665	41.6850	RFQ	9438	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	DO-208AA			标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3665	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	600 v	1.1 V @ 35 A	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
1n988b/tr	4.9476	RFQ	9315	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向				500兆	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N988B/tr	Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 98.8 V								130 v	1100欧姆
1N2062R	158.8200	RFQ	3890	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱			标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2062R	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	450 v	1.3 V @ 300 A	75 µA @ 450 V	-65°C 〜190°C	275a	-
DN3135N8-G	0.8100	RFQ	4741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3135		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					350 v	135mA（tj）	0V	35ohm @ 150mA，0v	-		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.3W（TA）
2n6989u	59.3712	RFQ	2691	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C	表面安装	20-CLCC	2N6989			1W	20-CLCC（8.89x8.89）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2n6989um	Ear99	8541.29.0095	1																									50V	800mA		10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N1717	-	RFQ	2802	微芯片技术	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																									100 v	750 MA		-			NPN	-	-	-
JANTXV1N4491US	17.6250	RFQ	6215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4491			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1 V @ 200 MA	250 NA @ 96 V								120 v	400欧姆
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-CDS5534DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
UPS120EE3/TR13	0.4800	RFQ	8599	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-216aa	UPS120		肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	20 v	530 MV @ 1 A	10 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	-
CDLL7050	68.1450	RFQ	2783	微芯片技术	*	大部分	积极的						CDLL70					-			到达不受影响	150-CDLL7050			1
JANTX1N3017BUR-1	14.5800	RFQ	9891	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％		-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3017			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 5.7 V								7.5 v	4欧姆
apt10021jll	99.2310	RFQ	6280	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10021		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	37A（TC）	10V	210MOHM @ 18.5A，10V	5V @ 5mA	395 NC @ 10 V	±30V	9750 PF @ 25 V	-	694W（TC）
APT1201R2BFLLG	26.9000	RFQ	6897	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				通过洞	TO-247-3	APT1201		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1200 v	12A（TC）		1.25OHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	100 nc @ 10 V		2540 pf @ 25 V	-
JAN1N5539CUR-1/TR	25.7887	RFQ	4610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma	10 na @ 17.1 V								19 v	100欧姆
SMBJ4734AE3/TR13	0.4350	RFQ	3862	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4734			2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 2 V								5.6 v	5欧姆
CDLL5953D	23.5050	RFQ	6971	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％		-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5953			1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 114 V								150 v	600欧姆
DN3525N8-G	0.8800	RFQ	5888	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3525		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					250 v	360ma（tj）	0V	6ohm @ 200ma，0v	-		±20V	350 pf @ 25 V	耗尽模式	1.6W（TA）
JANTXV1N4620-1/TR	5.2535	RFQ	8023	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4620-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma	3.5 µA @ 1.5 V								3.3 v	1650年
R30615	49.0050	RFQ	6231	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-R30615			1
APT31M100B2	12.9700	RFQ	7936	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT31M100		MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	32A（TC）	10V	380MOHM @ 16A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1040W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²