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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
Jan1n3168r	-	RFQ	4440	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 940 A	10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
CD4761A	1.8354	RFQ	6564	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4761A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	100 na @ 56 V							75 v	175欧姆
JANTXV1N3033CUR-1	46.1250	RFQ	4495	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3033		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 27.4 V							36 V	50欧姆
Jan1n5711ubd	84.8400	RFQ	6302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的				表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 15 ma	200 na @ 50 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
JAN1N3046C-1	-	RFQ	4018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-13			1 w	DO-13（do-202AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma	10 µA @ 91.2 V							120 v	550欧姆
JANTXV1N2979RB	-	RFQ	4720	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 11.4 V							15 v	3欧姆
JANTXV1N2824B	-	RFQ	2183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 25.1 V							33 V	3.2欧姆
1 PMT5948BE3/TR7	0.7350	RFQ	3110	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 69.2 V							91 v	200欧姆
JAN1N4107D-1	11.2800	RFQ	9718	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4107			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.9 V							13 V	200欧姆
Jan1n4470d	25.4550	RFQ	1717年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4470		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	50 na @ 12.8 V							16 V	10欧姆
JANTX1N991B-1	-	RFQ	1770年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma	500 NA @ 137 V							180 v	2200欧姆
JANS1N4981DUS	429.5200	RFQ	4797	微芯片技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4981DUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4120CUR-1	24.3150	RFQ	3763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4120		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 22.8 V							30 V	200欧姆
1N4700	4.3050	RFQ	3923	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.8 V							13 V
1N5533CUR-1	12.9600	RFQ	7284	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5533CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 11.7 V							13 V	90欧姆
1N2999RB	40.3200	RFQ	4525	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2999		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 42.6 V							56 v	16欧姆
1N5916C	6.0300	RFQ	9804	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5916		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V							4.3 v	6欧姆
JANTX2N1486	214.3960	RFQ	4657	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/180	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-233AA，TO-8-3	2N1486		1.75 w	TO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1								55 v	3 a	15µA			NPN	750mv @ 40mA，750a	35 @ 750mA，4V	-
JANTX2N2222A	2.7300	RFQ	3434	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222		500兆	TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1								50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N6677UR-1	-	RFQ	4468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的				表面安装	do-213aa	1N6677	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	500 mV @ 200 ma	5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
JAN1N5532D-1	17.6700	RFQ	9959	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5532		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 10.8 V							12 v	90欧姆
CDLL5309	25.3350	RFQ	3994	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL53		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	100V	3.3mA	2.25V
JANTX1N966B-1/TR	2.1280	RFQ	8904	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N966B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 12 V							16 V	17欧姆
JANTX1N4957CUS/TR	20.5800	RFQ	9756	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4957CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	25 µA @ 6.9 V							9.1 v	2欧姆
CDLL746A	3.0600	RFQ	6464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL746		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V							3.3 v	28欧姆
1N975A	2.0700	RFQ	9825	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N975		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 29.7 V							39 v	80欧姆
JAN2N3868S	24.8843	RFQ	3779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3868		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1								60 V	3 ma	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
Jan1n4996cus	-	RFQ	1310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 297 V							390 v	1800欧姆
CDLL4902A	116.3400	RFQ	9943	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa	CDLL4902		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V							12.8 v	200欧姆
CD1A100	6.2250	RFQ	1046	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD1A100	Ear99	8541.10.0040	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	750 MV @ 1 A	100 µA @ 100 V	-55°C〜125°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²