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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N5919AE3/TR13	-	RFQ	8115	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5919		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	2欧姆
1月1N5814	-	RFQ	8187	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产				底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
Jan1n4574aur-1/tr	30.3450	RFQ	5364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4574AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	100欧姆
1N1344	45.3600	RFQ	7138	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1344	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTX2N2222222AUB/TR	5.5594	RFQ	3771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	2N2222		500兆	UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	126									50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
jankcbr2n2906a	-	RFQ	2624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906		500兆	TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBR2N2906A	Ear99	8541.21.0095	1									60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
1 PMT5944E3/TR7	0.7350	RFQ	2172	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V							62 v	100欧姆
R712	55.6500	RFQ	3860	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-204AA，TO-3	R712	标准		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
1N4695	3.9300	RFQ	7740	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.6 V							8.7 v
JANTX1N6642UBCA/TR	26.0813	RFQ	4916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6642UBCA/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
CDLL969	2.8650	RFQ	2758	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL969		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V							22 v	29欧姆
CDLL5231A	2.8650	RFQ	3877	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5231		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	17欧姆
JAN2N6987U	57.6821	RFQ	4589	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987		1W	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									60V	600mA	10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
CD5307	19.2450	RFQ	6414	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装		CD530		-		下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5307	Ear99	8541.10.0040	1																		100V	2.64mA	2V
SMAJ4759CE3/TR13	0.6450	RFQ	1984	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4759		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V							62 v	125欧姆
CDLL4918A	100.2750	RFQ	9118	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa	CDLL4918		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V							19.2 v	600欧姆
JANSD2N3810	198.9608	RFQ	6853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500 /336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	-			到达不受影响	150-JANSD2N3810			1									60V	50mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANS1N4991C	232.2900	RFQ	6967	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 25.1 V							240 v	650欧姆
JAN2N5303	141.9110	RFQ	6183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/456	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			20 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									60 V	10 µA	10µA			NPN	650mv @ 5mA，100mA	15 @ 10a，2v	-
JANS1N4955	103.9500	RFQ	4471	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V							7.5 v	1.5欧姆
JANTXV1N4370AR-1	10.2450	RFQ	2187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.4 v	30欧姆
SMAJ5939CE3/TR13	0.6450	RFQ	8895	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5939		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V							39 v	45欧姆
JAN2N5416S	-	RFQ	7807	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			750兆w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1									300 v	1 a	1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
JANTX1N4128D-1	16.9800	RFQ	7534	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4128		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V							60 V	400欧姆
CDLL4899A/TR	180.4500	RFQ	1553	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4899A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V							12.8 v	400欧姆
1N6624/tr	12.0450	RFQ	6611	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6624/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	990 v	18 V @ 500 MA	60 ns	500 NA @ 900 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1N1366A	44.3850	RFQ	2523	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N136		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1366A	Ear99	8541.10.0050	1												43 V	6欧姆
JAN2N6277	187.5566	RFQ	1933年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277		250 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									150 v	50 a	50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
JANTXV2N5667	23.0400	RFQ	100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5667		1.2 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									300 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
1N6077/tr	21.4350	RFQ	8007	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6077/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	1.3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²