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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSM2N2221AUA	150.2006	RFQ	7627	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆	UA	-			到达不受影响	150-JANSM2N2221AUA			1																		50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N6774	-	RFQ	5959	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
JAN1N3825D-1	21.7350	RFQ	7149	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							4.7 v	8欧姆
APTM100TA35FPG	292.9825	RFQ	3882	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	390W	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			1000V （1kV）	22a	420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V	5200pf @ 25V	-
JANTX2N6675	154.0672	RFQ	4256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/537	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			6 W	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		400 v	1 MA	1ma			NPN	5V @ 5a，15a	8 @ 10a，2v	-
JANTXV1N752DUR-1/TR	21.3864	RFQ	3160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N752DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2.5 V							5.6 v	11欧姆
JANTXV2N5153P	22.4105	RFQ	8946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTXV2N5153P			1																		80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
1N5535/tr	1.9950	RFQ	5102	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5535/tr	Ear99	8541.10.0050	477												1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.5 V							15 v
JAN2N3810U/TR	32.5052	RFQ	8744	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N3810U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																		60V	50mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTXV2N3763U4	-	RFQ	5661	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		60 V	1.5 a	10µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
JANTX1N4106CUR-1/TR	22.0647	RFQ	5026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4106CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V							12 v	200欧姆
1N5924BE3/TR13	-	RFQ	4010	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5924		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000												1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V							9.1 v	4欧姆
JANTX1N966B-1/TR	2.1280	RFQ	8904	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N966B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V							16 V	17欧姆
JAN1N6842U3	-	RFQ	6951	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									60 V	900 mv @ 15 A		50 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	10a	400pf @ 5V，1MHz
APT8020LLG	32.1700	RFQ	5084	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT8020	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	800 v	38A（TC）	200mohm @ 19a，10v	5V @ 2.5mA	195 NC @ 10 V	5200 pf @ 25 V	-
Jan1n4976dus	29.4600	RFQ	6354	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4976		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V							56 v	35欧姆
1N5833	57.4200	RFQ	9304	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N5833	肖特基		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5833MS	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									30 V	550 mv @ 40 a		20 ma @ 30 V	-65°C〜125°C	40a	-
APT8065BVFRG	13.7700	RFQ	2843	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT8065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	800 v	13A（TC）	650MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	3700 PF @ 25 V	-
JANTXV2N2906AL	12.9276	RFQ	7837	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906		500兆	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX1N985BUR-1	6.0900	RFQ	6973	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N985		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V							100 v	500欧姆
SMBJ5922C/TR13	2.0850	RFQ	5448	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5922		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V							7.5 v	3欧姆
1N958B-1E3/tr	2.4073	RFQ	6830	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N958B-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1												1.3 V @ 200 ma		75 µA @ 5.7 V							7.5 v	5.5欧姆
1 PMT5935/TR13	2.2200	RFQ	7112	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000												1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V							27 V	23欧姆
Jan1n4461dus	33.4500	RFQ	3582	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4461		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1 V @ 200 MA		5 µA @ 4.08 V							6.8 v	2.5欧姆
1N914	0.9800	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N914	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N914MS	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度									75 v	1.2 V @ 50 mA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANS1N4582AR-1	123.7500	RFQ	8041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														2 µA @ 3 V							6.4 v	25欧姆
1 PMT5942AE3/TR7	0.7350	RFQ	7271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000												1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V							51 v	70欧姆
UZ5760	32.2650	RFQ	6395	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5760	Ear99	8541.10.0050	1														5 µA @ 45.7 V							60 V	40欧姆
JANTXV1N4987CUS/TR	41.0400	RFQ	4896	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4987CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100												1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V							160 v	350欧姆
JANTXV1N3027CUR-1/TR	41.0438	RFQ	8783	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3027CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V							20 v	22欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²