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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N5667S	-	RFQ	6369	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5667		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
JANTX2N3439U4	-	RFQ	1353	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N3439				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N3485A	-	RFQ	1972	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以			400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2n3636ub	13.4995	RFQ	5524	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3636		1.5 w	3-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANS2N2218A	90.7106	RFQ	2024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANS2N2218A	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N4235	-	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANS2N5667	-	RFQ	3805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5667		1.2 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
JANTX2N5666S	-	RFQ	7478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
JANTXV1N4496C	33.0000	RFQ	1591年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4496C	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V							200 v	1500欧姆
JANS2N2222AUBC	187.2500	RFQ	3879	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2222		500兆	3-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5335	22.2750	RFQ	7994	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N5335			1
2N1483	44.3555	RFQ	6800	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-233AA，TO-8-3	2N1483		1.75 w	TO-8	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	3 a	15µA			NPN	1.20V @ 75mA，750a	20 @ 750mA，4V	-
2N5428	27.7039	RFQ	3769	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5428				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N3792	68.5083	RFQ	6078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/379	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3792		5 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	10 a	5mA			PNP	2.5V @ 2a，10a	50 @ 1A，2V	-
Jan2n2812	-	RFQ	8489	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				60 V	10 a	-			NPN	-	-	-
1月2N1481	131.4040	RFQ	5919	微芯片技术	军事，MIL-S-19500/207	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	1.5 a	5µA（ICBO）			NPN	750mv @ 10mA，200mA	35 @ 200ma，4V	-
JANTX2N3418	19.6707	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3418		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
Jan2n5003	416.0520	RFQ	1193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5003		2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	5 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N7370	-	RFQ	6409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/624	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N7370		100 W	TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	12 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
JAN2N3439	12.4355	RFQ	1375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3439		800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				350 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JAN2N3735	8.3657	RFQ	1184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3735		1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	1.5 a	10µA（ICBO）			NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
Jankcbr2N5002	-	RFQ	2560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	死			2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																				80 V	50 µA	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N5151	13.6192	RFQ	6991	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5151		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2N6384	63.2016	RFQ	7471	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6384		6 W	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N6384MS	Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	10 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
2N1479	25.4429	RFQ	9270	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N1479		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				40 V	1.5 a	5µA（ICBO）			NPN	750mv @ 20mA，200mA	20 @ 200ma，4V	-
1N2240	44.1600	RFQ	9209	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2240	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												800 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	5a	-
R30615	49.0050	RFQ	6231	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R30615			1
APT24M120L	19.0200	RFQ	8176	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT24M120	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	24A（TC）	10V	680MOHM @ 12A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8370 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
cds746aur-1/tr	-	RFQ	5136	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-				150-CDS746AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n5415us/tr	8.9100	RFQ	5182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5415US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²