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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANS1N4958DUS	527.9550	RFQ	8254	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANS1N4958DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V							10 v	2欧姆
JANTX1N6344	12.4350	RFQ	6457	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6344		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V							68 v	155欧姆
JANTXV1N3043CUR-1	46.1250	RFQ	3219	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3043		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V							91 v	250欧姆
LSM150 MELF	-	RFQ	4269	微芯片技术	-	大部分	积极的				表面安装	do-213ab，Melf	LSM150	肖特基		do-213ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	580 mv @ 1 a		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	-
JAN2N333AT2	-	RFQ	4566	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3				TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1									45 v	10 MA	-			NPN	-	-	-
JANTXV1N555520B-1	9.1200	RFQ	3841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V							3.9 v	22欧姆
SMAJ5942AE3/TR13	0.6450	RFQ	9705	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5942		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V							51 v	70欧姆
JANTX1N5533C-1/TR	17.4496	RFQ	7515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5533C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V							13 V	90欧姆
JANTXV1N962DUR-1	24.2250	RFQ	1176	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N962		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	9.5欧姆
JANTXV1N3029D-1	36.2100	RFQ	6465	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3029		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V							24 V	25欧姆
JAN1N4474CUS/TR	27.8250	RFQ	9898	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4474CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 na @ 19.2 V							24 V	16欧姆
1N6873UTK2AS/TR	259.3500	RFQ	8793	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-			到达不受影响	150-1N6873UTK2AS/TR			100
JANS1N4491CUS/TR	283.9800	RFQ	5718	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4491CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V							120 v	400欧姆
MSASC75H100FX/TR	-	RFQ	2027	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-			到达不受影响	150-MSASC75H100FX/TR			100
1N730A	1.9200	RFQ	2480	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N730		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												47 V	98欧姆
JANS1N4120-1	32.4800	RFQ	393	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4120		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V							30 V	200欧姆
1N5299/tr	18.7950	RFQ	8676	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜175°C	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5299		475MW	do-7	-			到达不受影响	150-1N5299/tr			100																		100V	1.32mA	1.45V
CD5926B	3.8437	RFQ	8066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5926B	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5222D/TR	8.5950	RFQ	7708	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5222D/TR	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.5 v	30欧姆
JANTXV1N4468DUS	56.4150	RFQ	6672	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4468DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V							13 V	8欧姆
1N4738AR	3.4650	RFQ	3728	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	1N4738		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V							8.2 v	4.5欧姆
1N5614	4.1800	RFQ	1232	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	a，轴向	1N5614	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JAN1N5540C-1	11.0400	RFQ	8139	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5540		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V							20 v	100欧姆
JANSR2N2219AL	114.6304	RFQ	3662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2219		800兆	TO-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1									50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	75 @ 1mA，10v	-
JANTXV1N3025B-1	11.8800	RFQ	4309	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3025		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V							16 V	16欧姆
2N5880	41.7354	RFQ	2288	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N5880				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
SMBJ5357B/TR13	1.6650	RFQ	7830	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5357		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V							20 v	3欧姆
1N5353AE3/TR8	2.6250	RFQ	8979	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V							16 V	2.5欧姆
JANTXV1N5535DUR-1	61.9050	RFQ	2695	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5535		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V							15 v	100欧姆
2N3634	11.2119	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3634		1 w	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²