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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANS1N5616US	49.9950	RFQ	3325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs		-65°C 〜200°C	1a	-
JANTXV1N4962CUS	26.4300	RFQ	3144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4962CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 11.4 V							15 v	3.5欧姆
SMAJ4757E3/TR13	0.6450	RFQ	3281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4757		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V							51 v	95欧姆
JAN1N4123C-1	10.5000	RFQ	5564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4123			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V							39 v	200欧姆
JANS1N4979DUS	429.5200	RFQ	5121	微芯片技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4979DUS	Ear99	8541.10.0050	1
SMBJ4750A/TR13	0.8850	RFQ	8590	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4750		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V							27 V	35欧姆
SMAJ4751AE3/TR13	0.6450	RFQ	9401	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4751		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V							30 V	40欧姆
JANTX1N5298UR-1/TR	38.4300	RFQ	3176	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5298		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5298UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																		100V	1.21ma	1.4V
1N4109D/tr	6.8894	RFQ	6035	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4109D/tr	Ear99	8541.10.0050	1
1N6701	23.6550	RFQ	9666	微芯片技术	*	大部分	积极的						1N6701				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JANS1N6329D	448.4400	RFQ	9101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6329D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V							16 V	12欧姆
1N4688/tr	4.2427	RFQ	9776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4688/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V							4.7 v
S2160	33.4500	RFQ	9030	微芯片技术	S21	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	S2160	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	22a	-
CDLL5232A/TR	2.7132	RFQ	2796	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5232A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	11欧姆
JAN1N4121CUR-1/TR	19.9367	RFQ	4832	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4121CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V							33 V	200欧姆
JANTXV1N3000B	-	RFQ	3470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 47.1 V							62 v	17欧姆
JAN2N3635L	10.5868	RFQ	7488	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3635		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
LSM845G/TR13	1.9500	RFQ	7847	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	LSM845	肖特基		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	520 mv @ 8 a		2 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	8a	-
CDS5520BUR-1	-	RFQ	2431	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-CDS5520BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMAJ5917E3/TR13	0.6450	RFQ	8733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5917		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	5欧姆
JANS1N4103C-1	67.5450	RFQ	8445	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V							9.1 v	200欧姆
CDLL5525D	16.2000	RFQ	8476	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5525D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V							6.2 v	30欧姆
JANS1N6643US	33.3900	RFQ	1852年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.2 V @ 100 ma	6 ns		-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
JANTX2N4238	40.5517	RFQ	4486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/581	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4238		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									60 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
1N4691C	10.5300	RFQ	1046	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4691C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V							6.2 v
JANS1N4116C-1/TR	63.1902	RFQ	5675	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4116C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V							24 V	150欧姆
JANTX2N2484	9.3300	RFQ	3	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2484		360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1									60 V	50 mA	2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
JANTX1N6628US	23.8800	RFQ	1135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，E	1N6628	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
CDLL5533B	6.4800	RFQ	2954	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5533		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V							13 V	90欧姆
JANTX1N6329C	37.4250	RFQ	8248	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6329		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V							16 V	12欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²