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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANS1N823-1/TR	125.9550	RFQ	8208	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N823-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.2 v	15欧姆
SMBJ5920B/TR13	1.5600	RFQ	1366	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5920		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V							6.2 v	2欧姆
2N7371	288.0780	RFQ	9656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/623	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			100 W	TO-254	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-2N7371	Ear99	8541.29.0095	1									100 v	12 a	1ma			pnp-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
JAN1N3021DUR-1/TR	36.2558	RFQ	5119	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3021DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
1N4625D-1/TR	6.7500	RFQ	9706	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4625D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	140			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.1 v	1500欧姆
Jan1n3312b	-	RFQ	5967	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3312		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.9 V							13 V	1.1欧姆
1n6636us	13.7000	RFQ	38	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N6636		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V							4.7 v	450欧姆
2N333T2	65.1035	RFQ	6129	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N333				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1N6700US	30.9300	RFQ	9915	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，c	1N6700	肖特基		D-5C	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	470 mv @ 5 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	5a	-
1 PMT4117E3/TR7	-	RFQ	4478	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
JANTXV1N3890	366.6000	RFQ	1536年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.5 V @ 20 A	200 ns		-65°C〜175°C	12a	115pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N3305RB	-	RFQ	6340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		300 µA @ 4.5 V							6.8 v	0.2欧姆
JANTX1N3825C-1	21.9600	RFQ	9222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							4.7 v	8欧姆
1N5756B	1.8600	RFQ	6676	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5756		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		100 NA @ 48 V							68 v	240欧姆
Jan1n4475us	10.8150	RFQ	9473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4475		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V							27 V	18欧姆
JANTXV1N3826CUR-1	49.6200	RFQ	1241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3826		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
JANS1N6636US/TR	-	RFQ	7272	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6636US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V							4.7 v	2欧姆
CDLL5543C	12.1950	RFQ	9617	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5543C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V							25 v	100欧姆
JANTXV2N6676T1	-	RFQ	3456	微芯片技术	*	大部分	积极的			-	-				-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1N5923PE3/TR8	0.9150	RFQ	5105	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5923		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V							8.2 v	3.5欧姆
JANTXV1N4473DUS/TR	56.5650	RFQ	9345	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4473DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 17.6 V							22 v	14欧姆
JANTXV1N4992C	51.1200	RFQ	8463	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V							270 v	800欧姆
JANS1N3595-1	52.1850	RFQ	4851	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3595	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANS1N4472CUS	283.8300	RFQ	2914	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4472CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V							20 v	12欧姆
2N3486	9.0307	RFQ	1203	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3486		400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1									60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N6350	-	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以			1 w	TO-33	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									80 V	5 a	-			npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 5A，5V	-
JAN2N6987U	57.6821	RFQ	4589	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987		1W	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									60V	600mA	10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX1N4491US/TR	14.5000	RFQ	100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-JANTX1N4491US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V							120 v	400欧姆
JANS1N4577A-1	103.1250	RFQ	9179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	50欧姆
1N6316US	16.5300	RFQ	8358	微芯片技术	-	批量	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V							4.7 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²