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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV1N6633CUS	-	RFQ	8662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E				5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																									1.5 V @ 1 A	250 µA @ 1 V					3.6 v	2.5欧姆
JANTXV1N3311RB	-	RFQ	4340	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱				50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																									1.5 V @ 10 A	10 µA @ 9.1 V					12 v	1欧姆
JANTXV2N1717	-	RFQ	2802	微芯片技术	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																											100 v	750 MA		-			NPN	-	-	-
VP3203N8-G	2.0000	RFQ	2598	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	VP3203		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道						30 V	1.1A（TJ）	4.5V，10V	600MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 10mA		±20V	300 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
DN3135N8-G	0.8100	RFQ	4741	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3135		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						350 v	135mA（tj）	0V	35ohm @ 150mA，0v	-		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.3W（TA）
JANTX2N3585	267.5420	RFQ	1213	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/384	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3585			2.5 w	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											300 v	2 a		5mA			NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	-
JAN2N6277	187.5566	RFQ	1933年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277			250 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											150 v	50 a		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
JANSR2N5004	-	RFQ	7700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱				2 w	TO-59	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																											80 V	50 µA		50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANTXV2N6676T1	-	RFQ	3456	微芯片技术	*	大部分	积极的				-	-					-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
VRF151	70.1300	RFQ	23	微芯片技术	-	管子	积极的		170 v			M174	VRF151	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		1ma		250 MA	150W	14dB																	-					50 V
2n6989u	59.3712	RFQ	2691	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C	表面安装	20-CLCC	2N6989			1W	20-CLCC（8.89x8.89）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2n6989um	Ear99	8541.29.0095	1																											50V	800mA		10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N5153U3	153.6682	RFQ	9972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w	U3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	1 MA		1ma			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N6277	110.0176	RFQ	3541	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277			250 w	TO-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											150 v	50 a		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	50 @ 1A，4V	-
JANTXV2N6274	247.9918	RFQ	9654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				250 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											100 v	50 µA		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
CD747C	-	RFQ	2930	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆	死	-			到达不受影响	150-CD747C	Ear99	8541.10.0050	278																									1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V					3.6 v	24欧姆
JANTXV2N2919U	57.4693	RFQ	8979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的			200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919			350MW	3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											60V	30mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTX2N3765	-	RFQ	6848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的			-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆	TO-46（（TO-206AB）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											60 V	1.5 a		100µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
APT12M80B	4.6550	RFQ	3904	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT12M80		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						800 v	13A（TC）	10V	800MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2470 pf @ 25 V	-	335W（TC）
JANTXV2N5671	194.4726	RFQ	7339	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/488	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5671			6 W	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											90 v	30 a		10mA			NPN	5V @ 6a，30a	20 @ 20a，5v	-
CDS5297-1/tr	-	RFQ	4733	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						CDS52					-			到达不受影响	150-CDS5297-1/tr			50
APT19M120J	47.3100	RFQ	9859	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT19M120		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1200 v	19a（tc）	10V	530mohm @ 14a，10v	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	545W（TC）
APTM50AM19FG	302.5800	RFQ	3654	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	1136W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							500V	163a		22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
JAN2N2329A	-	RFQ	1763年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的			-65°C〜125°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	100				2 ma														400 v	600 mv	-	20 µA	220 MA	敏感门
ARF1500	310.7600	RFQ	103	微芯片技术	-	盒子	积极的		500 v			T-1	ARF1500	27.12MHz	MOSFET		T-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1500MS	3A991A2	8542.31.0001	1	n通道		60a			750W	19db																	-					125 v
APT10M11LVRG	39.8500	RFQ	28	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10M11		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（L）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT10M11LVRG	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	100A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	450 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	520W（TC）
1N5526A	1.6093	RFQ	1403	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5526A	Ear99	8541.10.0050	1																									1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5.5 V					6.8 v
CDLL5519C/TR	13.5300	RFQ	8719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519C/TR	Ear99	8541.10.0050	100																									1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V					3.6 v	24欧姆
apt10026jfll	99.4100	RFQ	4769	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10026		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1000 v	30A（TC）		260mohm @ 15a，10v	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V		7114 PF @ 25 V	-
JANTXV2N5582	-	RFQ	6409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/423	大部分	在sic中停产			-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆	TO-46-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											50 V	800 MA		10µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APT7M120B	5.7100	RFQ	1067	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT7M120		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1200 v	8A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 25 V	-	335W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²