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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANTXV1N6486C	-	RFQ	4423	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w		do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V										3.6 v	10欧姆
JANTXV1N3348B	-	RFQ	7008	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W		do-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3348B	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 121.6 V										175 v	85欧姆
1N5530C	11.3550	RFQ	7293	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N55330C	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V										10 v	60欧姆
JANTX1N5299-1/TR	34.1550	RFQ	8864	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5299		500MW		do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5299-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																							100V	1.32mA	1.45V
1N6655	316.1850	RFQ	8908	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-254-3，TO-254AA		标准			TO-254AA	-			到达不受影响	150-1N6655	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
1N5919BPE3/TR8	0.9450	RFQ	9101	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5919		1.5 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V										5.6 v	2欧姆
JANTX1N6491US	-	RFQ	8892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V										5.6 v	5欧姆
1N1185R	74.5200	RFQ	9688	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1185	标准，反极性			DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1185RMS	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N5313ur-1/tr	21.9800	RFQ	6764	微芯片技术	MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW		DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	100																							100V	4.73mA	2.75V
JANTX1N5524B-1/TR	5.3865	RFQ	4710	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5524B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V										5.6 v	30欧姆
APTGF500U60D4G	-	RFQ	7381	微芯片技术	-	大部分	过时的		-		底盘安装	D4			2000 w	标准	D4	下载		（1 （无限）		APTGF500U60D4GMP-ND	Ear99	8541.29.0095	1	单身的									npt	600 v	625 a	2.45V @ 15V，500A	500 µA	不			26 NF @ 25 V
CDLL4569	80.9550	RFQ	5240	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C		表面安装	do-213aa	CDLL4569		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V											200欧姆
JAN1N759DUR-1	14.2500	RFQ	2074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V										12 v	30欧姆
JANTX2N6351	-	RFQ	5780	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以	2N6351		1 w		TO-33	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											150 v	5 a		-					npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
1N4575A/TR	4.2600	RFQ	4836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4575A/tr	Ear99	8541.10.0050	223						2 µA @ 3 V										6.4 v	50欧姆
1N3340B	49.3800	RFQ	3474	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3340		50 W		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V										100 v	20欧姆
JANTX2N3585	267.5420	RFQ	1213	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/384	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3585		2.5 w		TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											300 v	2 a		5mA					NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	-
JANTXV1N2980B	-	RFQ	3764	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W		DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 12.2 V										16 V	4欧姆
1N2817B	94.8900	RFQ	9353	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	to-204ad	1N2817		50 W		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 14.4 V										19 v	2.2欧姆
Jan1n1124ra	483.2250	RFQ	8441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准			DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C		-
JANS1N4614CUR-1/TR	-	RFQ	8104	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆		do-213aa	-			到达不受影响	150-JANS1N4614CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50				1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V										1.8 v	1200欧姆
1 PMT4112/TR13	0.9600	RFQ	6151	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.37 V										18 V	100欧姆
1N4467	7.2750	RFQ	9574	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4467		1.5 w		do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4467MS	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		200 na @ 9.6 V										12 v	7欧姆
R409	102.2400	RFQ	8672	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-R409			1
JANTXV1N5969DUS	-	RFQ	6364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E			5 w		D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V										6.2 v	1欧姆
JANTXV2N4931	-	RFQ	4118	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											250 v	200 ma		250NA（ICBO）					PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
Jan1n3154ur-1	-	RFQ	7461	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）		表面安装	DO-213AA（）			500兆		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V										8.8 v	15欧姆
2N3630	509.6550	RFQ	7932	微芯片技术	-	大部分	积极的		-		螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			30 W		TO-61	-			到达不受影响	150-2N3630	Ear99	8541.29.0095	1											40 V	5 a		-					PNP	-	-	-
apt60d20bg	3.6300	RFQ	2833	微芯片技术	-	管子	积极的				通过洞	TO-247-2	APT60D20	标准			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 60 A	31 ns	250 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	60a	-
JANTX1N6309	-	RFQ	4209	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V										2.4 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²