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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANTX2N1715	-	RFQ	4107	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																													100 v	750 MA	-			NPN	-	-	-
JANTXV2N3634L	14.3906	RFQ	6813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3634		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTXV2N918UB	29.3265	RFQ	5341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	2N918		200兆	UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																													15 v	50 mA	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
JAN2N3507U4	-	RFQ	2878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													50 V	1 µA	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
SG2803J-883B	-	RFQ	2466	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜125°C（TA）		通过洞	-	SG2803		-	18-CDIP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	21																													50V	500mA	-			8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	1000 @ 350mA，2V	-
JANTXV2N3485A	9.4031	RFQ	3307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/392	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3485		400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																													60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N6330	124.7939	RFQ	8703	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6330				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N6276	92.0892	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6276				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANS1N4133CUR-1/TR	91.5802	RFQ	9037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4133CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V							87 v	1欧姆
1N5372C/TR8	3.3900	RFQ	3327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																							1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V							62 v	42欧姆
1N3900R	48.5400	RFQ	6963	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3900	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					100 v	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JAN1N6337DUS	43.0800	RFQ	5560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	包	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6337		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响	JAN1N6337DUSMS	Ear99	8541.10.0050	1																							1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V							36 V	50欧姆
GA201	70.7427	RFQ	8809	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜150°C		通过洞	TO-206AA，TO-18-3				TO-18	-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			5 ma											100 v	750 mv	-	200 µA	1.5 v	6 a	100 NA	标准恢复
JANS1N5293UR-1/TR	130.3050	RFQ	7420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5293UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	748µA	1.15V
apt20m11jll	70.7400	RFQ	8265	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	176a（TC）		11mohm @ 88a，10v	5V @ 5mA	180 NC @ 10 V		10320 PF @ 25 V	-
R712	55.6500	RFQ	3860	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-204AA，TO-3	R712	标准		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					200 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
JAN2N22222	7.0490	RFQ	4467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222		500兆	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																													50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N5416U4	-	RFQ	6646	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													300 v	1 MA	1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
1N5305UR-1	21.8200	RFQ	90	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5305		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	2.2mA	1.85V
VN0808L-G	1.5000	RFQ	874	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN0808	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	300mA（TJ）	10V	4ohm @ 1A，10V	2V @ 1mA		±30V	50 pf @ 25 V	-	1W（TC）
HSM120G/TR13	1.6800	RFQ	5484	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						HSM120				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
1N3909AR	48.5400	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					50 V	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
1N719	1.9200	RFQ	2006	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N719		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																									50 NA @ 12.2 V							16 V	15欧姆
1月1N2985B	-	RFQ	5373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																							1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V							22 v	5欧姆
2N656	35.8169	RFQ	6680	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N656				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N6693	-	RFQ	4883	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/538	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W	TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													400 v	15 a	1ma（iCBO）			NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
JANTX2N2329	-	RFQ	4692	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			2 ma											400 v	800 mv	-	200 µA		220 MA		敏感门
JANS2N3765U4	-	RFQ	10000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																													60 V	1.5 a	100µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
JANTXV2N6286	69.1068	RFQ	5908	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/505	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6286		175 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													80 V	20 a	1ma			pnp-达灵顿	3V @ 200mA，20a	1250 @ 10a，3v	-
2N6673	98.3402	RFQ	8917	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6673				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²