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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DR-1061	-	RFQ	3451	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DR-1061			1
JANSL2N3636	-	RFQ	9941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				175 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
1N4976US	9.4650	RFQ	7319	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4976		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V							56 v	35欧姆
2n2945a	21.8519	RFQ	4830	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N2945		400兆	TO-46	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				20 v	100 ma	10µA（ICBO）			PNP	-	70 @ 1mA，500mv	-
1月2N6989	41.8684	RFQ	4835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/559	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N6989		1.5W	TO-116	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				50V	800mA	10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5796	138.7610	RFQ	1216	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60V	600mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N3440UA/TR	188.1152	RFQ	8148	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV2N3440UA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				250 v	2 µA	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX2N3996	-	RFQ	6293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/374	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			2 w	TO-111	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	10 a	10µA			NPN	2V @ 500mA，5a	40 @ 1A，2V	-
Jan2n1480	131.4040	RFQ	9414	微芯片技术	军事，MIL-S-19500/207	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				55 v	1.5 a	5µA（ICBO）			NPN	750mv @ 20mA，200mA	20 @ 200ma，4V	-
CDLL4463	11.3550	RFQ	6489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4463		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V							8.2 v	3欧姆
ST6060	78.9000	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST6060	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	20a	-
APT4F120K	-	RFQ	4519	微芯片技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	4A（TC）	10V	4.6OHM @ 2A，10V	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1385 PF @ 25 V	-	225W（TC）
JANS2N5796A	403.6818	RFQ	1865年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW	TO-78-6	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60V	600mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5686	450.4500	RFQ	1	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/464	大部分	在sic中停产		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			300 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	50 a	500µA			NPN	5V @ 10a，50a	15 @ 25a，2v	-
JANTX2N5796A	120.3406	RFQ	9483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60V	600mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
jankca1n5546c	-	RFQ	7416	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5546C	Ear99	8541.10.0050	100														1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V							33 V	100欧姆
JAN2N3637	10.6134	RFQ	8135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3637		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTXV2N3440UA	189.7910	RFQ	4928	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆	UA	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				250 v	2 µA	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANSL2N2369AUA/TR	166.8512	RFQ	1274	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅	2n2369a		360兆w	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N2N2N2369AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																				15 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTX2N2432UB	226.4724	RFQ	3831	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				30 V	100 ma	-			NPN	-	-	-
JAN2N3506U4	-	RFQ	7316	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	1 µA	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
2N5882	41.7354	RFQ	6033	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5882				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSR2N3634L	-	RFQ	9024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																				140 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
89100-05TX	-	RFQ	6891	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
JANTXV2N3467	-	RFQ	6227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/348	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				40 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
JANTX2N3902	38.9557	RFQ	4192	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/371	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3902		5 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				400 v	3.5 a	250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
R702	69.2100	RFQ	4307	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	R702	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	R702MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
JANTX1N4124UR-1/TR	8.6450	RFQ	7815	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4124UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V							43 V	250欧姆
JANS2N2369AU	-	RFQ	8945	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-CLCC	2n2369a		500兆	6-LCC	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				15 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
JANTXV2N2906AL	12.9276	RFQ	7837	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906		500兆	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²