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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SMBG5365BE3/TR13	1.1400	RFQ	6032	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5365		5 w		SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	500 NA @ 25.9 V										36 V	11欧姆
SMBJ5343C/TR13	2.1900	RFQ	7176	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5343		5 w		SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	10 µA @ 5.4 V										7.5 v	1.5欧姆
1N5352A/TR12	2.6250	RFQ	2040	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	1 µA @ 10.8 V										15 v	2.5欧姆
CDLL5237/tr	2.7132	RFQ	1253	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆		do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5237/tr	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 6.5 V										8.2 v	8欧姆
APTM50AM19FG	302.5800	RFQ	3654	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	1136W		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）		500V	163a	22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492NC @ 10V	22400pf @ 25V	-
1N5357A/TR8	2.6250	RFQ	8367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000											1.2 V @ 1 A	500 NA @ 14.4 V										20 v	3欧姆
JANSL2N3636	-	RFQ	9941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																	175 v	10 µA		10µA					PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANS1N4131C-1/TR	63.1902	RFQ	8105	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4131C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 na @ 57 V										75 v	700欧姆
JANTXV2N6649	132.2286	RFQ	3824	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/527	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w		TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																	60 V	10 a		1ma（iCBO）					pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
Jan1n4959dus	28.2150	RFQ	3035	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4959		5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	10 µA @ 8.4 V										11 V	2.5欧姆
1N5275BUR-1	5.1900	RFQ	7813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5275		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 106 V										140 v	1300欧姆
2N5067	72.4800	RFQ	2394	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			87.5 w		TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5067	Ear99	8541.29.0095	1																	40 V	5 a		-					PNP	-	-	-
1N6940UTK3CS	267.2850	RFQ	1295	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基			Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6940UTK3CS	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								15 v	500 mv @ 150 A	5 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	150a	10000pf @ 5V，1MHz
1N5355A/TR8	2.6250	RFQ	4852	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000											1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13 V										18 V	2.5欧姆
1N5251/tr	2.4450	RFQ	5500	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5251/tr	Ear99	8541.10.0050	385											1.5 V @ 200 ma	100 na @ 16.2 V										22 v	29欧姆
APTGT75SK120TG	89.6700	RFQ	4707	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT75		357 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的															沟渠场停止	1200 v	110 a	2.1V @ 15V，75a	250 µA	是的			5.34 NF @ 25 V
JANSR2N3501	113.6304	RFQ	9450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																	150 v	2 µA		2µA					NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3420	-	RFQ	3616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3420		1 w		TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																	60 V	3 a		5µA					NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
1N5356C/TR12	3.3900	RFQ	9295	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13.7 V										19 v	3欧姆
1N5939A	3.4050	RFQ	2952	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5939		1.25 w		do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 29.7 V										39 v	45欧姆
1月1N990B-1	-	RFQ	3491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.3 V @ 200 ma	500 NA @ 122 V										160 v	1700欧姆
1N5519BUR-1	6.4800	RFQ	4262	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5519		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V										3.6 v	24欧姆
JANTX1N6487D	-	RFQ	8198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w		do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	35 µA @ 1 V										3.9 v	9欧姆
JANTXV1N4104C-1	23.1600	RFQ	6702	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4104		500兆		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 7.6 V										10 v	200欧姆
1N4579A-1/TR	29.5200	RFQ	5201	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4579A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												2 µA @ 3 V										6.4 v	50欧姆
1N4783A/tr	133.4550	RFQ	3877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4783A/tr	Ear99	8541.10.0050	1																						8.5 v	100欧姆
JAN1N6325DUS	38.2200	RFQ	3992	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆		B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6325DUS	Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A	1 µA @ 8.5 V										11 V	7欧姆
JANTXV1N6485DUS/TR	-	RFQ	4121	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w		D-5A	下载				150-JANTXV1N6485DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	50 µA @ 1 V										3.3 v	10欧姆
1N3323RA	49.3800	RFQ	5221	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3323		50 W		do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 10 A	10 µA @ 20.6 V										27 V	2.8欧姆
JANS1N4986US	115.5000	RFQ	8600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w		D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	2 µA @ 114 V										150 v	330欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²