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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
CD4717	2.3408	RFQ	6900	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4717	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma		10 na @ 32.6 V							43 V
JANTX1N4488CUS	-	RFQ	3913	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V							91 v	200欧姆
JANTX1N5313UR-1	36.0000	RFQ	4062	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5313		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																													100V	4.73mA	2.75V
Jan1n3050dur-1/tr	-	RFQ	4279	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JAN1N3050DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 136.8 V							180 v	1200欧姆
CDLL970A	2.8650	RFQ	3747	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL970		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V							24 V	33欧姆
JANTXV1N3045C-1/TR	22.9691	RFQ	5672	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3045C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V							110 v	450欧姆
JANTXV1N5292UR-1	40.2450	RFQ	7027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5292		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																													100V	682µA	1.13V
MSC010SDA070B	3.5400	RFQ	7507	微芯片技术	-	管子	积极的				通过洞	TO-247-2	MSC010	SIC （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）												700 v	1.8 V @ 10 A	0 ns	200 µA @ 700 V	-55°C 〜175°C	24a	353pf @ 1V，1MHz
JANTXV1N751A-1	7.1700	RFQ	1958年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N751		500兆	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	14欧姆
JANS1N4986US	115.5000	RFQ	8600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V							150 v	330欧姆
JANTX1N552222DUR-1/TR	42.0014	RFQ	6987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5522DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V							4.7 v	22欧姆
APT10090BFLLG	16.0500	RFQ	8626	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT10090	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	12A（TC）	10V	950MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	298W（TC）
JANTXV1N3295R	-	RFQ	2501	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/246	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1.55 V @ 310 A		10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	100a	-
Jan1n6632us/tr	-	RFQ	1611	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JAN1N6632US/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		300 µA @ 1 V							3.3 v	3欧姆
1N1348C	45.3600	RFQ	7793	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1348	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	16a	-
Jan1n6627u/tr	14.3550	RFQ	9384	微芯片技术	MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SQ-MELF，b	1N6627	标准		E-Melf	-			到达不受影响	150-JAN1N6627U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v		30 ns	2 µA @ 400 V	-	4a	-
UPS5819/TR13	0.6150	RFQ	3813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-216aa	UPS5819	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
1N1351A	39.3150	RFQ	3069	微芯片技术	*	大部分	积极的						1N1351				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JANS1N4101DUR-1	147.1050	RFQ	5743	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V							8.2 v	200欧姆
2N5349	157.9375	RFQ	3337	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N5349				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N5151L	14.8295	RFQ	6450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5151		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX1N3020B-1/TR	7.7406	RFQ	5350	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3020B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V							10 v	7欧姆
JANTXV1N6761-1	-	RFQ	3335	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的				通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1 PMT5954CE3/TR13	0.7350	RFQ	8356	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V							160 v	700欧姆
JANTX1N5619US/TR	9.2400	RFQ	8491	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5619US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 12V，1MHz
SMAJ5917BE3/TR13	0.8850	RFQ	4065	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5917		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	5欧姆
1月1N6628	13.2600	RFQ	3026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的				通过洞	E，轴向	1N6628	标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												660 v	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1.75a	-
JANTXV1N4966C	18.0900	RFQ	6526	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4966C	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V							22 v	5欧姆
JANS1N4133-1	33.7800	RFQ	6034	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V							87 v	1000欧姆
JANTXV1N4956CUS	19.1100	RFQ	8643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4956CUS	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V							8.2 v	1.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²