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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CD747C	-	RFQ	2930	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C	表面安装	死				500兆	死	-			到达不受影响	150-CD747C	Ear99	8541.10.0050	278																												1.5 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V								3.6 v	24欧姆
JANTXV2N2919U	57.4693	RFQ	8979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的			200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919			350MW	3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																																	60V	30mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANTX2N3765	-	RFQ	6848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的			-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆	TO-46（（TO-206AB）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																																	60 V	1.5 a		100µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
APT12M80B	4.6550	RFQ	3904	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT12M80		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					800 v	13A（TC）	10V	800MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2470 pf @ 25 V	-	335W（TC）
JANTXV2N5671	194.4726	RFQ	7339	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/488	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5671			6 W	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																	90 v	30 a		10mA			NPN	5V @ 6a，30a	20 @ 20a，5v	-
CDS5297-1/tr	-	RFQ	4733	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						CDS52					-			到达不受影响	150-CDS5297-1/tr			50
APT19M120J	47.3100	RFQ	9859	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT19M120		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1200 v	19a（tc）	10V	530mohm @ 14a，10v	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	545W（TC）
APTM50AM19FG	302.5800	RFQ	3654	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	1136W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							500V	163a		22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
JAN2N2329A	-	RFQ	1763年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的			-65°C〜125°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	100					2 ma													400 v	600 mv	-	20 µA	220 MA	敏感门
JANTX1N555520BUR-1/TR	13.2202	RFQ	2570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N555520BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																												1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 1 V								3.9 v	22欧姆
ARF1500	310.7600	RFQ	103	微芯片技术	-	盒子	积极的		500 v			T-1	ARF1500	27.12MHz	MOSFET		T-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1500MS	3A991A2	8542.31.0001	1	n通道			60a		750W	19db																	-											125 v
APT10M11LVRG	39.8500	RFQ	28	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10M11		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（L）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT10M11LVRG	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	100A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	450 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	520W（TC）
1N5526A	1.6093	RFQ	1403	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5526A	Ear99	8541.10.0050	1																												1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5.5 V								6.8 v
CDLL5519C/TR	13.5300	RFQ	8719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519C/TR	Ear99	8541.10.0050	100																												1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V								3.6 v	24欧姆
apt10026jfll	99.4100	RFQ	4769	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10026		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	30A（TC）		260mohm @ 15a，10v	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V		7114 PF @ 25 V	-
JANTXV2N5582	-	RFQ	6409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/423	大部分	在sic中停产			-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以				500兆	TO-46-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																																	50 V	800 MA		10µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APT7M120B	5.7100	RFQ	1067	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT7M120		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1200 v	8A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 25 V	-	335W（TC）
2N5339L	36.7350	RFQ	4926	微芯片技术	-	大部分	积极的			-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N5339L	Ear99	8541.29.0095	1																																	100 v	5 a		100µA			NPN	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
1月1N4627-1	3.7500	RFQ	6426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4627			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																												1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 5 V								6.2 v	1200欧姆
Jan1n3174r	-	RFQ	6781	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱			标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										1.55 V @ 940 A	10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	300A	-
APTM10AM02FG	346.5000	RFQ	7390	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							100V	495a		2.5MOHM @ 200a，10v	4V @ 10mA	1360NC @ 10V		40000pf @ 25V	-
Janhca1n4113	13.2734	RFQ	9745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向				500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4113	Ear99	8541.10.0050	1																												1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 14.44 V								19 v	150欧姆
Jan2n2323a	-	RFQ	3117	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的			-65°C〜125°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	100					2 ma													50 V	600 mv	-	20 µA	220 MA	敏感门
APTM120A20DG	309.5600	RFQ	9790	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM120		MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							1200V（1.2kV）	50a		240mohm @ 25a，10v	5V @ 6mA	600NC @ 10V		15200pf @ 25V	-
APT8014L2LLG	48.2204	RFQ	9076	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT8014		MOSFET （金属 o化物）		264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					800 v	52A（TC）		140MOHM @ 26a，10v	5V @ 5mA	285 NC @ 10 V		7238 PF @ 25 V	-
APT34N80LC3G	10.7600	RFQ	8135	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT34N80		MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					800 v	34A（TC）	10V	145mohm @ 22a，10v	3.9V @ 2mA	355 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	417W（TC）
1N4954US	8.3000	RFQ	1	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4954			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																												1.5 V @ 1 A	150 µA @ 5.2 V								6.8 v	1欧姆
ST3040D	63.3000	RFQ	5549	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3040		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3040D	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	400 v	15a	1.2 V @ 15 A	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C
APT10078BFLLG	21.7200	RFQ	6644	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				通过洞	TO-247-3	APT10078		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	14A（TC）		780MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	95 NC @ 10 V		2525 PF @ 25 V	-
JAN2N336A	-	RFQ	4573	微芯片技术	-	大部分	积极的			175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																																	45 v	10 MA		-			NPN	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²