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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
2N5051	27.1187	RFQ	7601	微芯片技术	*	大部分	积极的								2N5051					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N6326	376.5762	RFQ	8665	微芯片技术	-	大部分	积极的			-		通过洞	TO-204AA，TO-3					200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									60 V	30 a		-			PNP	-	-	-
CDLL5261A	2.8650	RFQ	1291	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％		-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf		CDLL5261			10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 36 V								47 V	105欧姆
aptlgf350a608g	-	RFQ	9672	微芯片技术	-	大部分	过时的					通过洞	6-Powersip模块	IGBT						下载		（1 （无限）			Ear99	8543.70.9860	1	半桥							430 a	600 v	2500vrms
1N5969	21.1000	RFQ	71	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C		通过洞	E，轴向		1N5969			5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V								6.2 v
JANTXV1N4992C	51.1200	RFQ	8463	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	E，轴向					5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V								270 v	800欧姆
JANTX1N6329CUS/TR	39.9450	RFQ	4889	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b					500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6329CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100																			1.4 V @ 1 A		50 na @ 12 V								16 V	12欧姆
JANTX1N3029C-1/TR	22.7962	RFQ	5341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3029C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V								24 V	25欧姆
JANS1N4487DUS	330.2550	RFQ	7677	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a					1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4487DUS	Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 1 A		250 na @ 65.6 V								82 v	160欧姆
JANTX2N2326	-	RFQ	3420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的			-65°C〜125°C		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以						TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				2 ma							200 v	800 mv	-	200 µA	220 MA	敏感门
JANTX1N6486CUS/TR	-	RFQ	1047	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a					1.5 w	D-5A	下载				150-JANTX1N6486CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V								3.6 v	10欧姆
1N754	2.1600	RFQ	3142	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TA）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					400兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V								6.8 v	5欧姆
VRF152	105.1800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的		130 v				M174		VRF152	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道		50µA		250 MA	150W	14dB										-										50 V
1N6319US/TR	13.1404	RFQ	3999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b					500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6319US/TR	Ear99	8541.10.0050	1																			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V								6.2 v	3欧姆
JANS1N5309UR-1/TR	130.3050	RFQ	4488	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1N5309			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-JANS1N5309UR-1/TR			50																																			100V	3.3mA	2.25V
1n6001d	5.1900	RFQ	9406	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％		-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N6001			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V								11 V	18欧姆
JAN2N5303	141.9110	RFQ	6183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/456	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3					20 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									60 V	10 µA		10µA			NPN	650mv @ 5mA，100mA	15 @ 10a，2v	-
HSM380JE3/TR13	1.0200	RFQ	5586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	DO-214AB，SMC		HSM380		肖特基		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																80 V	810 MV @ 3 A		100 µA @ 80 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANTX1N4570A-1/TR	6.6900	RFQ	3974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4570A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					2 µA @ 3 V								6.4 v	100欧姆
Jan1n3168r	-	RFQ	4440	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的					螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱				标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																400 v	1.55 V @ 940 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTX1N6489DUS/TR	-	RFQ	3811	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a					1.5 w	D-5A	下载				150-JANTX1N6489DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V								4.7 v	8欧姆
1N3323RA	49.3800	RFQ	5221	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％		-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		1N3323			50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 20.6 V								27 V	2.8欧姆
1N936AE3	11.7750	RFQ	5133	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向					500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N936AE3	Ear99	8541.10.0050	1																					10 µA @ 6 V								9 V	20欧姆
Janhca1n963b	8.5785	RFQ	7825	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向					500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n963b	Ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V								12 v	11.5欧姆
JANTXV1N5551US	15.9150	RFQ	3095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的					表面安装	SQ-MELF，E		1N5551		标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																400 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
SMBJ5919C/TR13	2.0850	RFQ	5837	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB		SMBJ5919			2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V								5.6 v	2欧姆
JANTXV1N4101DUR-1/TR	44.5816	RFQ	1433	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％		-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）					500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4101DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V								8.2 v	200欧姆
1N5551US/TR	7.6800	RFQ	6838	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	SQ-MELF，E						D-5B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5551US/TR	Ear99	8541.10.0080	1																			1.2 V @ 9 A		1 µA @ 400 V
1 PMT5954/TR13	-	RFQ	3186	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％		-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa		下午1点			3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000																			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V								160 v	700欧姆
JANTX1N970CUR-1/TR	13.9384	RFQ	3633	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-55°C 〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N970CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V								24 V	33欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²