- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JAN1N6323CUS | 63.7050 |  | 1594年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N6323CUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6欧姆 | ||||||||||||||||||||||
 | 1N5299ur-1/tr | 21.9800 | | 9195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 1.32mA | 1.45V | |||||||||||||||||||||||||
| SD41 | 69.7950 | | 9035 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘，螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | SD41 | 肖特基 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SD41-NDR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 35 v | 680 mv @ 30 a | 1.5 ma @ 35 V | 30a | - | ||||||||||||||||||||
| JANTX1N5812 | - | | 2859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/478 | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘，螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 标准 | DO-203AA（DO-4） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 50 V | 950 mv @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 20a | 300pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||||||
 | 1N5935CP/TR12 | 2.2800 | | 1815年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N5935 | 1.5 w | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 28 V | 23欧姆 | ||||||||||||||||||||
| CD5310 | 19.2450 | | 1014 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD531 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5310 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 3.63mA | 2.35V | |||||||||||||||||||||||
 | JANTX1N4986US | - | | 8058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | |||||||||||||||||||||
 | CD5288 | 19.2450 | | 4226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD528 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5288 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||||||||||||||||||||||
| Jan1n6634c | - | | 3664 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | E，轴向 | 5 w | E，轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 175 µA @ 1 V | 3.9 v | 2欧姆 | ||||||||||||||||||||||
 | 1N5286/tr | 18.6900 | | 8647 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5286 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5286/tr | 100 | 100V | 330µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV1N5314UR-1/TR | 44.0700 | | 3654 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5314 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5314UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||||||||||||||||||||
 | SMBJ5938AE3/TR13 | 0.8850 | | 9258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA，SMB | SMBJ5938 | 2 w | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38欧姆 | ||||||||||||||||||||
 | JANS1N4116-1 | 33.7800 | | 6605 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150欧姆 | ||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N5285UR-1 | 40.2450 | | 5026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5285 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 297µA | 1V | |||||||||||||||||||||
| JANS1N6341DUS/TR | 527.7150 | | 1578年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANS1N6341DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 39 V | 51 v | 85欧姆 | |||||||||||||||||||||||
| JANTX1N6351 | - | | 9298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N6351 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 99 V | 130 v | 850欧姆 | |||||||||||||||||||||
| 1N6026ur | 3.5850 | | 9950 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6026 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4615C-1 | 115.3350 | | 5239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1250欧姆 | ||||||||||||||||||||||
| 1N3212 | 65.8800 | | 7579 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 1N3212 | 标准 | DO-203AB（DO-5） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N3212MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||||||||||||||||
| 1N2798 | 74.5200 | | 2972 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 标准 | DO-5（do-203ab） | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2798 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 300 v | 1.19 V @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 300 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||
 | JANTX1N6486US/TR | - | | 8518 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANTX1N6486US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||
 | Jan1n4994dus/tr | - | | 4101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JAN1N4994DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 251 V | 330 v | 1175欧姆 | |||||||||||||||||||||||
 | JANS1N5287-1/TR | 100.0200 | | 1532年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5287-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||||||||||||||||||||
 | CDLL5245A/TR | 2.7132 | | 5004 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | 10兆 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5245A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||
| JANS1N5302UR-1 | 131.4000 | | 7048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5302 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 1.65mA | 1.6V | ||||||||||||||||||||||
| Jan1n5295-1/tr | 31.6650 | | 6316 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||||||||||||||||||||
 | 1月1N4961 | - | | 3080 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | E，轴向 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3欧姆 | ||||||||||||||||||||||
 | JAN2N5339 | 9.5494 | | 6748 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/560 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 2N5339 | 1 w | TO-39（（TO-205AD） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA，5a | 60 @ 2a，2v | - | ||||||||||||||||||
 | JANTXV2N3468L | - | | 3374 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/348 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 1 w | TO-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 1 a | 100µA（ICBO） | PNP | 1.2V @ 100mA，1a | 25 @ 500mA，1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||
| Jan1n4618-1/tr | 3.4181 | | 1372 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4618-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 1 V | 2.7 v | 1500欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）