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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANS1N4468DUS/TR	330.4050	RFQ	6542	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4468DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50															1.5 V @ 1 A		50 NA @ 10.4 V							13 V	8欧姆
2N5322	17.8486	RFQ	2515	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			10 W	TO-5	-			到达不受影响	2N5322MS	Ear99	8541.29.0095	1																					75 v	2 a	-			PNP	-	-	-
Jan1n6338dus	49.6800	RFQ	4564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6338DUS	Ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V							39 v	55欧姆
1N961B-1/TR	3.4050	RFQ	4474	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N961B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	278															1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V							10 v	8.5欧姆
JANTXV2N3501L	-	RFQ	4970	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N5968D	-	RFQ	9713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		5000 µA @ 4.28 V							5.6 v	1欧姆
JANTX1N6631U	28.7850	RFQ	6856	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6631	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1000 v	1.4 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
JANTXV1N982C-1	7.5750	RFQ	5643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V							75 v	270欧姆
1n6332us	-	RFQ	4233	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V							22 v	500欧姆
1 PMT4102E3/TR7	0.4950	RFQ	6556	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V							8.7 v	200欧姆
1N4148UB2R	27.0900	RFQ	1818年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	1N4148	标准		UB2	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
JANS2N5415U4	-	RFQ	5302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					200 v	50 µA	50µA			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
R30640	40.6350	RFQ	8518	微芯片技术	R306	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R30640	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
APTMC170AM30CT1AG	-	RFQ	3978	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTMC170	（SIC）	700W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1700V（（1.7kV）	100A（TC）		30mohm @ 100A，20V	2.3V @ 5mA（ty（typ）	380NC @ 20V		6160pf @ 1000V	-
CDLL6000	2.7150	RFQ	5278	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6000				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1月1N4978US	9.2100	RFQ	3293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4978		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V							68 v	50欧姆
apt10021jll	99.2310	RFQ	6280	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10021	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	1000 v	37A（TC）	10V	210MOHM @ 18.5A，10V	5V @ 5mA	395 NC @ 10 V	±30V	9750 PF @ 25 V	-	694W（TC）
1N6008A	1.9950	RFQ	8218	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6008		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V							22 v	70欧姆
CDLL4756C	7.5150	RFQ	6802	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4756C	Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		100 na @ 35.8 V							47 V	80欧姆
Jan1n6349c	39.6300	RFQ	4875	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6349C	Ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V							110 v	500欧姆
JAN2N3767	26.9724	RFQ	9987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/518	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3767		25 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	4 a	500µA			NPN	2.5V @ 100mA，1a	40 @ 500mA，5V	-
JANTXV1N4993DUS	74.2350	RFQ	3286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		2 µA @ 228 V							300 v	950欧姆
JANTXV1N2827RB	-	RFQ	8456	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2827		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 2 A		10 µA @ 32.7 V							43 V	4.5欧姆
1 PMT4105C/TR13	-	RFQ	9097	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000															1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V							11 V	200欧姆
1N2984A	36.9900	RFQ	9034	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2984		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 2 A		10 µA @ 15.2 V							20 v	4欧姆
JANTXV1N3333B	-	RFQ	6042	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3333B	Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V							52 v	5.5欧姆
CD018B-1/TR	-	RFQ	7330	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3018B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
2N4915	60.8475	RFQ	2969	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			88 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	5 a	-			PNP	-	-	-
1N6006ur-1	3.5850	RFQ	8619	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6006				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
UPS115UE3/TR7	0.6800	RFQ	3	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS115	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												15 v	220 mv @ 1 A		10 ma @ 15 V	-55°C〜150°C	1a	150pf @ 5V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²