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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
2N6301E3 Microchip Technology 2N6301E3 27.1320
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 75 w TO-66（TO-213AA） - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 500 µA 500µA npn-达灵顿 3V @ 80mA，8a 750 @ 4A，3V -
JAN2N5660U3 Microchip Technology JAN2N5660U3 -
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/454 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N5660 2 w U3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 200 v 2 a 200NA NPN 800mv @ 400mA，2a 40 @ 500mA，5V -
JANTXV2N3725L Microchip Technology JANTXV2N3725L -
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1 50 V 500 MA - NPN - - -
JANTXV1N4454-1 Microchip Technology JANTXV1N444454-1 3.3900
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/144 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 标准 DO-35（do-204AH） - Rohs不合规 到达不受影响 JANTXV1N444454-1MS Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 10 mA 4 ns 100 µA @ 50 V -65°C〜175°C 200mA -
JANS2N6193 Microchip Technology JANS2N6193 95.9904
RFQ
 ECAD 3439 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/561 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N6193 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 100µA PNP 1.2V @ 500mA，5a 60 @ 2a，2v -
JANTXV2N1893S Microchip Technology JANTXV2N1893S 30.2176
RFQ
 ECAD 1961年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/182 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N1893 3 W TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 500 MA 10µA（ICBO） NPN 5V @ 15mA，150mA 40 @ 150mA，10V -
2N4449U Microchip Technology 2N4449U 34.7250
RFQ
 ECAD 4880 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 6-SMD，没有铅 600兆 你 - 到达不受影响 150-2N4449U Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400NA NPN 450mv @ 10mA，100mA 40 @ 10mA，1V -
JANTXV2N4261 Microchip Technology JANTXV2N4261 -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/511 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-72-3金属罐 2N4261 200兆 到72 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 15 v 30 ma 10µA（ICBO） PNP 350mv @ 1mA，10mA 30 @ 10mA，1V -
JAN2N6676 Microchip Technology JAN2N6676 136.0058
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/538 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N6676 6 W TO-204AA（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 300 v 15 a 1ma NPN 1V @ 3a，15a 15 @ 1a，3v -
2N6226 Microchip Technology 2N6226 36.6681
RFQ
 ECAD 6605 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-204AA，TO-3 125 w TO-3 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 50 a - PNP - - -
2N930UB Microchip Technology 2N930UB 21.5859
RFQ
 ECAD 1379 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N930 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3420 Microchip Technology JANTX2N3420 -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/393 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 2N3420 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 5µA NPN 500mv @ 200mA，2a 40 @ 1A，2V -
2N6230 Microchip Technology 2N6230 39.3148
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N6230 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANSR2N2218A Microchip Technology JANSR2N2218A 114.6304
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/251 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N2218 800 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 50 V 800 MA 10NA NPN 1V @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，10V -
2N5794 Microchip Technology 2N5794 37.4794
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N579 600MW TO-78-6 - Rohs不合规 到达不受影响 2N5794MS Ear99 8541.21.0095 1 40V 600mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 900mv @ 30mA，300mA 100 @ 150mA，10V -
JANTX1N6857-1 Microchip Technology JANTX1N6857-1 -
RFQ
 ECAD 9714 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 肖特基 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 20 v 350 mv @ 1 mA 150 na @ 16 V -65°C〜150°C 150mA
JAN2N3440UA Microchip Technology JAN2N3440UA 101.2529
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/368 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 800兆 UA - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 250 v 2 µA 2µA NPN 500mv @ 4mA，50mA 40 @ 20mA，10v -
2N907AE4 Microchip Technology 2N907AE4 30.5700
RFQ
 ECAD 1233 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-2N907AE4 1
JANTXV2N5238 Microchip Technology JANTXV2N5238 22.8893
RFQ
 ECAD 5006 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/394 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 2N5238 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 170 v 10 a 10µA NPN 2.5V @ 1a，10a 40 @ 5A，5V -
2N706A Microchip Technology 2N706A 88.9371
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N706 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1
JANS2N3634UB/TR Microchip Technology JANS2N3634UB/TR -
RFQ
 ECAD 5375 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/357 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 1 w UB - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 50 @ 50mA，10v -
JAN2N498 Microchip Technology Jan2n498 -
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1 100 v 200 ma - NPN - - -
DSB0.2A30 Microchip Technology DSB0.2A30 -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 DSB0.2 肖特基 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 650 MV @ 500 mA 10 µA @ 30 V -65°C〜125°C 500mA 60pf @ 0v，1MHz
JANTXV2N6301 Microchip Technology JANTXV2N6301 39.5675
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/539 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 2N6301 75 w 到66 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 8 a 500µA pnp-达灵顿 3V @ 80mA，8a 750 @ 4A，3V -
2N5051 Microchip Technology 2N5051 27.1187
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5051 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3716 Microchip Technology JANTX2N3716 53.5192
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/408 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N3716 5 w TO-204AA（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 10 a 1ma NPN 2.5V @ 2a，10a 30 @ 3a，2v -
JANS2N5154 Microchip Technology JANS2N5154 55.9804
RFQ
 ECAD 1310 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/544 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 MA 1ma NPN 1.5V @ 500mA，5a 70 @ 2.5A，5V -
JANTXV1N4618C-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4618C-1/TR 13.2335
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4618C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 1 V 2.7 v 1500欧姆
2N2481 Microchip Technology 2N2481 6.0249
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N2481 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JAN2N2919L Microchip Technology JAN2N2919L 30.6432
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N2919 350MW TO-78-6 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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