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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N4474CUS/TR | 28.3050 |  | 3262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTX1N4474CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 19.2 V | 24 V | 16欧姆 | |||||||||||||||
 | JAN2N930UB/TR | - | | 6058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | UB | - | 150-JAN2N930UB/TR | 1 | 45 v | 30 ma | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||
 | JAN1N6633CUS/TR | - | | 4239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JAN1N666633CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N4988CUS/TR | 24.7500 | | 9942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4988CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N4473CUS/TR | 28.3050 | | 3445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTX1N444473CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 17.6 V | 22 v | 14欧姆 | |||||||||||||||
| JAN1N4982DUS/TR | 36.0900 | | 5415 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4982DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N4988DUS/TR | 30.9000 | | 3630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4988DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4491DUS/TR | 56.5650 | | 1930年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4491DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 NA @ 96 V | 120 v | 400欧姆 | |||||||||||||||
| JANS1N6322CUS/TR | 285.2250 | | 6063 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANS1N6322CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 6 V | 8.2 v | 5欧姆 | |||||||||||||||
 | JANTX1N6352CUS/TR | - | | 8155 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6352CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 114 V | 150 v | 1000欧姆 | |||||||||||||||
| JANS1N4972CUS/TR | 368.3100 | | 1905年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4972CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 29.7 V | 39 v | 14欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N4973CUS/TR | 24.7500 | | 7725 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4973CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20欧姆 | |||||||||||||||
| JANS1N4490US/TR | 162.1650 | | 6759 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4490US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 88 V | 110 v | 300欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N6334CUS/TR | 57.2550 | | 9263 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTXV1N6334CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 21 V | 27 V | 27欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4472CUS/TR | 45.2850 | | 3144 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4472CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 16 V | 20 v | 12欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4987US/TR | 21.8400 | | 8873 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4987US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 350欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n4148ub2r/tr | 23.1600 | | 1502 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/116 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD，没有铅 | 标准，反极性 | UB2 | - | 150-JAN1N4148UB2R/TR | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C 〜200°C | 200mA | 4pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||
| JAN1N6337CUS/TR | 63.8550 | | 3893 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6337CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 27 V | 36 V | 50欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n6487us/tr | - | | 8332 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JAN1N6487US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 35 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4968CUS/TR | 41.0400 | | 4067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4968CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 6欧姆 | |||||||||||||||
 | JANTX1N6349US/TR | 18.2400 | | 5045 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6349US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 84 V | 110 v | 500欧姆 | |||||||||||||||
| JANS1N4468DUS/TR | 330.4050 | | 6542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4468DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 10.4 V | 13 V | 8欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n4985us/tr | 13.4100 | | 5563 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4985US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 98.8 V | 130 v | 190欧姆 | |||||||||||||||
| 1N6021ur/tr | 3.7350 | | 8687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N6021ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 75 v | |||||||||||||||||
| Jan1n6635us/tr | - | | 6305 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JAN1N6635US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 1 V | 4.3 v | 2欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N5194UR/TR | - | | 2441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Sigma Bond™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 150-JANTX1N5194UR/TR | 1 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 70 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 70 V | -55°C 〜200°C | 200mA | - | ||||||||||||||||
| JANTXV1N4983DUS/TR | 51.2700 | | 1152 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4983DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 83.6 V | 110 v | 125欧姆 | |||||||||||||||
| JANS1N5804urs/tr | 118.5600 | | 1160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/477 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 标准 | D-5A | - | 150-JANS1N5804urs/tr | 50 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||
 | JAN1N3595AR-1/TR | 9.4900 | | 9567 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/241 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 150-JAN1N3595AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 125 v | 920 MV @ 100 mA | 3 µs | 2 NA @ 125 V | -65°C〜175°C | 150mA | - | |||||||||||||
| JANTX1N4995DUS/TR | - | | 6475 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTX1N4995DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 274 V | 360 v | 1400欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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