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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N980B-1	3.0300	RFQ	5210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V							62 v	185欧姆
JANS1N6310DUS/TR	356.5050	RFQ	9750	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANS1N6310DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50											1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
JANTX1N3046C-1	-	RFQ	2336	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5195/tr	7.3416	RFQ	6434	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5195/tr	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度								180 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N5352A/TR12	2.6250	RFQ	2040	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V							15 v	2.5欧姆
JANTX1N5537C-1/TR	17.4496	RFQ	1256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5537C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V							17 V	100欧姆
JANTXV1N5420	18.7500	RFQ	4434	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5420	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								600 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTX1N6311C	31.8300	RFQ	8216	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6311		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
JANTXV1N4978DUS	51.1200	RFQ	8715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4978DUS	Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V							68 v	50欧姆
JANS1N6661	-	RFQ	3794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）								225 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	500mA	-
JAN1N3021DUR-1	40.7250	RFQ	4863	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
1N4130ur-1/tr	3.9400	RFQ	6992	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	249											1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V							68 v	700欧姆
1N4745P/TR12	1.8600	RFQ	5301	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000											1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V							16 V	16欧姆
JANTXV1N4627CUR-1	51.1950	RFQ	8362	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4627		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V							6.2 v	1200欧姆
JANTX1N4134-1	5.3100	RFQ	7114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V							91 v	1200欧姆
JANTXV1N3827CUR-1/TR	44.1427	RFQ	7264	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3827CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V							5.6 v	5欧姆
Jan1n4126ur-1	8.7150	RFQ	4462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4126			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V							51 v	300欧姆
1N989BE3	5.5800	RFQ	3051	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	2266-1N989BE3	Ear99	8541.10.0050	1
LSM345J/TR13	1.9400	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM345	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								45 v	520 mv @ 3 a		1.5 ma @ 45 V	-55°C〜150°C	3a	-
1N6759/tr	82.8900	RFQ	2027	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6759/tr	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								60 V	690 mv @ 1 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	-
SMBG5381B/TR13	2.2500	RFQ	8267	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5381		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A		500 NA @ 93.6 V							130 v	190欧姆
UES1102E3	18.4950	RFQ	3159	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-US1102E3	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								100 v	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 100 V	175°C	2.5a	-
1N4480US/TR	11.6100	RFQ	8991	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-					Ear99	8541.10.0050	100											1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V							43 V	40欧姆
1N712	1.9200	RFQ	1703	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N712		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				8.2 v	6欧姆
1N3156/tr	31.7400	RFQ	4348	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3156		500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3156/tr	Ear99	8541.10.0050	1													10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
APTM100A23STG	191.2800	RFQ	2777	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	694W	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）		1000V （1kV）	36a	270MOHM @ 18A，10V	5V @ 5mA	308nc @ 10V	8700pf @ 25V	-
1N5369AE3/TR12	2.6250	RFQ	8139	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V							51 v	27欧姆
CD748D	-	RFQ	2575	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD748D	Ear99	8541.10.0050	223											1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							3.9 v	23欧姆
JANTXV1N6486US	-	RFQ	2468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
MVR2N2907AUA	-	RFQ	9805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆	UA	-			到达不受影响	150-MVR2N2907AUA			100																	60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²