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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N4112-1	5.8950	RFQ	7984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4112		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V							18 V	100欧姆
1N5999C	4.1550	RFQ	2352	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5999		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		100 na @ 7 V							9.1 v	10欧姆
JANTX1N978C-1	-	RFQ	5596	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V							51 v	125欧姆
JANTX1N4135-1/TR	4.8412	RFQ	6749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4135-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V							100 v	1600欧姆
1N5929B/tr	3.2100	RFQ	2979	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.25 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N5929B/TR	Ear99	8541.10.0050	100													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V							15 v	9欧姆
1N742	2.0700	RFQ	5583	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N742		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						150 v	860欧姆
JANTXV1N5196UR	-	RFQ	7059	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/118	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度										225 v		1 V @ 100 ma			-65°C〜175°C	200mA	-
Jan1n4579a-1	27.1500	RFQ	1490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4579		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	50欧姆
1N2998B	36.9900	RFQ	6182	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2998		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 A		10 µA @ 39 V							52 v	15欧姆
JAN1N555523C-1/TR	12.6749	RFQ	8443	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555523C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V							5.1 v	26欧姆
1 PMT4121/TR13	0.9600	RFQ	7371	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4121		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V							33 V	200欧姆
Jan1n1615r	66.0750	RFQ	1107	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1615	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）										400 v		1.5 V @ 15 A		50 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	15a	-
2N6671	-	RFQ	8246	微芯片技术	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w	TO-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			300 v	8 a	-			PNP	-	10 @ 8A，300V	-
1N5364BE3/TR8	2.6850	RFQ	8988	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5364		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000													1.2 V @ 1 A		500 NA @ 23.8 V							33 V	10欧姆
APT6010LFLLG	33.7700	RFQ	1610	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT6010	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-APT6010LFLLG	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	54A（TC）	100mohm @ 27a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V	6710 PF @ 25 V	-
JANS1N6643US	33.3900	RFQ	1852年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）										50 V		1.2 V @ 100 ma	6 ns		-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1N6031C	5.6250	RFQ	8722	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V							200 v	2000年
JANTXV1N5543C-1/TR	20.8544	RFQ	6290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5543C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V							25 v	100欧姆
CDLL827A	10.3950	RFQ	4346	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL827				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5356AE3/TR12	-	RFQ	3429	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V							19 v	3欧姆
CDLL5535A/TR	5.9052	RFQ	4139	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5535A/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.5 V							15 v	100欧姆
1N5352A/TR12	2.6250	RFQ	2040	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V							15 v	2.5欧姆
UFT3010D	62.1000	RFQ	7233	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3010D	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									1对系列连接	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
1N6486US	13.8900	RFQ	7755	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N6486		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
1N971BE3	2.4300	RFQ	5821	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N971		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N971BE3	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V							27 V	41欧姆
1N829A-1	8.5800	RFQ	110	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.2 v	10欧姆
JAN1N6486CUS/TR	-	RFQ	5529	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JAN1N6486CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
Jan1n4134c-1/tr	9.4430	RFQ	9679	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4134C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V							91 v	1200欧姆
CDLL4689E3/tr	3.9150	RFQ	1343	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4689E3/tr	Ear99	8541.10.0050	242													1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V							5.1 v
1N973B	-	RFQ	5831	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N973BMS	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V							33 V	58欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²