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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
JANS2N6988 Microchip Technology JANS2N6988 185.0406
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/558 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） 2N6988 400MW TO-116 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA（ICBO） 4 pnp（（ 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
2N3867 Microchip Technology 2N3867 11.5710
RFQ
 ECAD 6563 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 2N3867 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 3 ma 100µA（ICBO） PNP 1.5V @ 250mA，2.5a 40 @ 1.5A，2V -
2N3810U Microchip Technology 2N3810U 38.2700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N3810 350MW TO-78-6 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 250mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
JANTXV1N4956D Microchip Technology JANTXV1N4956D 25.0800
RFQ
 ECAD 1049 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 - 到达不受影响 150-JANTXV1N4956D Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 6.2 V 8.2 v 1.5欧姆
1N4486US Microchip Technology 1N4486US 11.3550
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w a，平方米 下载 到达不受影响 1N4486USM Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 na @ 60 V 75 v 130欧姆
JANTX2N6277 Microchip Technology JANTX2N6277 215.6462
RFQ
 ECAD 1177 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/514 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N6277 250 w TO-3（to-204AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 50 a 50µA NPN 3V @ 10a，50a 30 @ 20a，4v -
APT60N60SCSG Microchip Technology APT60N60SCSG 22.1100
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB APT60N60 MOSFET （金属 o化物） d3pa k 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 60a（TC） 10V 45mohm @ 44a，10v 3.9V @ 3mA 190 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 431W（TC）
1N4583A-1/TR Microchip Technology 1N4583A-1/tr 9.1200
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TA） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4583A-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
JANTXV1N751CUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N751CUR-1/TR 17.6624
RFQ
 ECAD 5496 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N751CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17欧姆
2N4903 Microchip Technology 2N4903 45.1535
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N4903 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
UPS315/TR13 Microchip Technology UPS315/TR13 2.3400
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 do-216aa UPS315 肖特基 Powermite 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 15 v 320 mv @ 3 a 2 ma @ 15 V -55°C〜125°C 3a -
2N4399 Microchip Technology 2N4399 42.3073
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N4399 5 w TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2N4399MS Ear99 8541.29.0095 1 60 V 30 a 100µA PNP 750mv @ 1a，10a 15 @ 15a，2v -
JANTXV2N3468L Microchip Technology JANTXV2N3468L -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/348 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 50 V 1 a 100µA（ICBO） PNP 1.2V @ 100mA，1a 25 @ 500mA，1V 150MHz
JANS2N3765U4 Microchip Technology JANS2N3765U4 -
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/396 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 500兆 U4 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 1.5 a 100µA（ICBO） PNP 900mv @ 100mA，1a 40 @ 500mA，1V -
JAN2N3764U4 Microchip Technology JAN2N3764U4 -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/396 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 500兆 U4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 40 V 1.5 a 10µA（ICBO） PNP 900mv @ 100mA，1a 30 @ 1A，1.5V -
JANTXV2N6352 Microchip Technology JANTXV2N6352 -
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/472 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 2 w TO-66（TO-213AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 5 a - npn-达灵顿 1.5V @ 5mA，5a 2000 @ 5A，5V -
CDLL5917D Microchip Technology CDLL5917D 11.7300
RFQ
 ECAD 5461 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5917 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 5欧姆
SMBG5384BE3/TR13 Microchip Technology SMBG5384BE3/TR13 1.1400
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA，SMB海鸥翼 SMBG5384 5 w SMBG（DO-215AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 115 V 160 v 350欧姆
JAN2N2812 Microchip Technology Jan2n2812 -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 200°C（TJ） 螺柱坐骑 TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱 TO-61 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1 60 V 10 a - NPN - - -
1N4749CPE3/TR12 Microchip Technology 1N4749CPE3/TR12 1.1550
RFQ
 ECAD 1505 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C〜150°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4749 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
2N3634 Microchip Technology 2N3634 11.2119
RFQ
 ECAD 2314 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N3634 1 w 到39 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 50 @ 50mA，10v -
JANTX2N2919U Microchip Technology JANTX2N2919U 51.8966
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
HS2222A Microchip Technology HS2222a 8.7514
RFQ
 ECAD 8032 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 HS2222 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1
TN0604N3-G Microchip Technology TN0604N3-G 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 包 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） TN0604 MOSFET （金属 o化物） TO-92-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 40 V 700mA（TJ） 5V，10V 750MOHM @ 1.5A，10V 1.6V @ 1mA ±20V 190 pf @ 20 V - 740MW（TA）
JANTXV2N3439U4 Microchip Technology JANTXV2N3439U4 -
RFQ
 ECAD 7328 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N3439 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3715 Microchip Technology JANTX2N3715 53.3463
RFQ
 ECAD 2970 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/408 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 5 w TO-3 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 1 MA 1ma NPN 2.5V @ 2a，10a 50 @ 1A，2V -
UES1302SME3/TR Microchip Technology UES1302SME3/tr 40.5900
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 B，轴向 标准 B，轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-ues1302sme3/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 925 mv @ 6 a 30 ns 5 µA @ 100 V 175°C 6a -
1N976B Microchip Technology 1N976B 2.0700
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N976 500兆 do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 1N976BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 32.7 V 43 V 93欧姆
JANTX2N5671 Microchip Technology JANTX2N5671 182.1967
RFQ
 ECAD 9895 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/488 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N5671 6 W TO-3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 90 v 30 a 10mA NPN 5V @ 6a，30a 20 @ 20a，5v -
JANTXV1N5552 Microchip Technology JANTXV1N5552 17.0850
RFQ
 ECAD 3832 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5552 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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