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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
CDLL4627	3.9750	RFQ	8934	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa	CDLL4627		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V							6.2 v	1200欧姆
1N3650	31.3350	RFQ	6448	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1000 v		2.2 V @ 10 A		5 µA @ 1000 V	-	3.3a	-
UFR7140	99.3000	RFQ	9881	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UFR7140	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.25 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	-	150pf @ 10V，1MHz
CDS4153UR-1	-	RFQ	5038	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-CDS4153UR-1			50
JAN1N4484DUS	34.6050	RFQ	7142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，a	1N4484		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 MA		250 NA @ 49.6 V							62 v	80欧姆
CDLL6487/tr	13.3931	RFQ	3571	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL6487/tr	Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 MA		35 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
JANTXV1N981C-1/TR	6.8628	RFQ	7619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N981C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V							68 v	230欧姆
JANTX1N6352US	-	RFQ	3033	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V							141 v	1000欧姆
2N4449U	34.7250	RFQ	4880	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	6-SMD，没有铅			600兆	你	-			到达不受影响	150-2N4449U	Ear99	8541.21.0095	1																						15 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
JankCBH2N2221A	-	RFQ	5518	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANKCBH2N2221A			100																						50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
Jan1n6306r	-	RFQ	1050	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													150 v		1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	70a
CDLL4927A/TR	100.6200	RFQ	9871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4927A/TR	Ear99	8541.10.0050	1																		15 µA @ 12 V							19.2 v	75欧姆
JANTXV1N5525CUR-1	49.5150	RFQ	8702	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5525		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V							6.2 v	30欧姆
1N4615	2.6250	RFQ	4407	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V							2 v	1250欧姆
JANTX1N4114DUR-1	31.0500	RFQ	2086	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4114		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V							20 v	150欧姆
JANTXV1N3007RB	-	RFQ	5156	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V							110 v	55欧姆
CDLL256	28.3200	RFQ	4388	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL25		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																															50V	10.01ma	6.55V
2N6339	67.2980	RFQ	6983	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6339				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANS1N4989DUS/TR	528.1050	RFQ	8014	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4989DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50																1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V							200 v	500欧姆
Jan1n5968d	-	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V							5.6 v	1欧姆
JANS1N4479CUS	283.8300	RFQ	4703	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4479CUS	Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V							39 v	30欧姆
1N5262/tr	2.2950	RFQ	5881	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5262/tr	Ear99	8541.10.0050	410																1.5 V @ 200 ma		100 na @ 37 V							51 v	125欧姆
Jan1n4493c	25.6050	RFQ	6012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4493		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 MA		250 NA @ 120 V							150 v	700欧姆
APTC90SKM60CT1G	-	RFQ	8839	微芯片技术	coolmos™	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		n通道	900 v	59A（TC）	10V	60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 100 V	-	462W（TC）
JANTXV2N2920	38.5301	RFQ	7335	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）		通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		-	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																						60V	30mA	-			2 NPN （双）	-	-	-
APT2X101DQ100J	25.9400	RFQ	1097	微芯片技术	-	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												2独立	1000 v	100a	2.7 V @ 100 A	290 ns	100 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C
Jan1n3155ur-1	-	RFQ	7713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
R30420	40.6350	RFQ	4531	微芯片技术	R304	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	40a	-
Jan1n4990dus	30.1500	RFQ	1473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，E	1N4990		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V							220 v	550欧姆
UES1101	18.3150	RFQ	6843	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		975 mv @ 2 a	25 ns		-55°C 〜175°C	2a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²