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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（ih）（IH））	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N3442	367.9312	RFQ	1683年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/307	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3442		6 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																140 v	10 a	-			NPN	1V @ 300mA，3a	20 @ 3a，4v	-
JANTX1N6761UR-1	-	RFQ	8730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N6761	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								100 v	380 mv @ 100 ma		100 µA @ 100 V	-65°C〜125°C	1a	-
JAN2N6251	-	RFQ	5124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N6251		5.5 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																350 v	10 a	1ma			NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
1N4583-1	8.9400	RFQ	5947	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4583		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												2 µA @ 3 V							6.4 v	25欧姆
2N5154U3	107.4906	RFQ	7795	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																80 V	1 MA	1ma			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
UTR2305	11.8800	RFQ	4979	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR2305	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								50 V	1.1 V @ 2 A	250 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	2a	600pf @ 0v，1MHz
Jan1n6626/tr	11.4450	RFQ	6410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6626/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								220 v	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
CDLL5519BE3	5.9052	RFQ	8435	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5519BE3	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
Jan1n3826a-1/tr	6.1446	RFQ	4522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
JAN1N6316DUS/TR	49.0650	RFQ	1792年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6316DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100										1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	17欧姆
jankccm2n3498	-	RFQ	4136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCM2N3498			100																100 v	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX1N3009RB	-	RFQ	5403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V							130 v	100欧姆
1月1N5617	4.4700	RFQ	71	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5617	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								400 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
UZ7840	468.9900	RFQ	2867	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7840	Ear99	8541.10.0050	1												10 µA @ 28.8 V							40 V	15欧姆
JANTXV1N4113C-1	23.1600	RFQ	8618	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4113		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V							19 v	150欧姆
JANTX1N5615US	8.7450	RFQ	1295	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								200 v	1.6 V @ 3 A	150 ns		-65°C〜175°C	1a	-
JANTXV1N4491US	17.6250	RFQ	6215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4491		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1 V @ 200 MA		250 NA @ 96 V							120 v	400欧姆
jankccd2n3500	-	RFQ	6829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCD2N3500			100																150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
1N5986	3.4050	RFQ	4095	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5986	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 500 mV							2.7 v	110欧姆
JAN2N2369AUB/TR	17.2900	RFQ	2242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN2N2N2N2369AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																20 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
89100-06TXV	-	RFQ	2595	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																		-			-	-	-	-
1 PMT4104C/TR7	1.2450	RFQ	8840	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000										1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V							10 v	200欧姆
1N2062R	158.8200	RFQ	3890	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2062R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）								450 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 450 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANS2N3635	91.7906	RFQ	7839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																140 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTX1N4370DUR-1	28.9500	RFQ	9887	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.4 v	30欧姆
Jan1n4118ur-1/tr	7.8736	RFQ	3196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4118UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V							27 V	150欧姆
JAN2N6350	-	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AC，TO-33-4金属可以			1 w	TO-33	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																80 V	5 a	-			npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 5A，5V	-
R5380T	158.8200	RFQ	4495	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R5380T			1
1月2N6059	49.0770	RFQ	5223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/502	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6059		150 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																100 v	12 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
JANTX2N2324A	-	RFQ	3471	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1		2 ma	100 v	600 mv	-	20 µA	220 MA	敏感门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²