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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N5666S	-	RFQ	7478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
SMBG5386AE3/TR13	1.1250	RFQ	5665	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5386		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A		500 NA @ 130 V							180 v	430欧姆
JANTX1N4549RB	-	RFQ	2307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 mV							3.9 v	0.16欧姆
JANS1N4463DUS	330.2550	RFQ	6266	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4463DUS	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V							8.2 v	3欧姆
JANTXV1N4957US	16.1250	RFQ	9414	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4957		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V							9.1 v	2欧姆
JANTX2N7368	-	RFQ	8572	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/622	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			115 w	TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			80 V	1 MA	1ma			NPN	1V @ 500mA，5a	50 @ 1A，2V	-
1 PMT5947AE3/TR13	0.7350	RFQ	3357	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V							82 v	160欧姆
1N4566A-1/TR	4.3800	RFQ	3876	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4566A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	200欧姆
CDLL5935D	11.7300	RFQ	6008	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5935		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V							27 V	23欧姆
1N2811RB	-	RFQ	4692	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2811		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 A		10 µA @ 9.9 V							13 V	1.1欧姆
1N4614-1	3.4650	RFQ	2172	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4614		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V							1.8 v	1200欧姆
CDS5819-1	-	RFQ	4193	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5819-1			50
APT2X61DC120J	-	RFQ	5888	微芯片技术	-	大部分	过时的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X61	SIC （碳化硅）		SOT-227	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）									2独立	1200 v	60a	1.8 V @ 60 A	0 ns	1.2 ma @ 1200 V
1N3034BUR -1	15.3000	RFQ	1066	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3034		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V							39 v	60欧姆
CDLL5939C	7.8450	RFQ	8591	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5939		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V							39 v	45欧姆
JANTXV1N3318RB	-	RFQ	6309	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 A		10 µA @ 13.7 V							19 v	2.2欧姆
JANTX1N3039BUR-1/TR	13.0739	RFQ	6898	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3039BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V							62 v	125欧姆
CDLL5524C	12.1950	RFQ	1317	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5524C	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
JANTX1N6486US	-	RFQ	9413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
JANTX1N3039D-1	27.4500	RFQ	3749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3039		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V							62 v	125欧姆
1N1345	45.3600	RFQ	7997	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1345	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）										300 v		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	16a	-
APT8065BVFRG	13.7700	RFQ	2843	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT8065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	800 v	13A（TC）	650MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	3700 PF @ 25 V	-
R53140T	158.8200	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R53140T			1
JANTXV1N4996CUS/TR	-	RFQ	2892	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4996CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V							390 v	1800欧姆
2N3634	11.2119	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3634		1 w	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
BLX48	30.3107	RFQ	7481	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-BLX48			1
JANTXV1N5524DUR-1	66.0450	RFQ	6347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	2266-JANTXV1N5524DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
CDLL3030B/TR	13.7522	RFQ	8369	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3030B/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 20.6 V							27 V	35欧姆
1N4759AG/TR	3.3300	RFQ	9255	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4759AG/TR	Ear99	8541.10.0050	285													1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V							62 v	125欧姆
JANSR2N3636UB	-	RFQ	6651	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1.5 w	UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			175 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²