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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N6631US	19.1850	RFQ	4745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6631	标准		D-5B	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1100 v		1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
MBR3045CTE3/TU	-	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR3045	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
JANS2N3634UB/TR	-	RFQ	5375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50											140 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTX2N3420	-	RFQ	3616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3420		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
DSB0.2A30	-	RFQ	3819	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V		650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
Jan2n498	-	RFQ	7229	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1											100 v	200 ma	-			NPN	-	-	-
1 PMT5939BE3/TR7	0.7350	RFQ	3636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V							39 v	45欧姆
1N3909AR	48.5400	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
HSM120G/TR13	1.6800	RFQ	5484	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					HSM120				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
2N3501U4/tr	135.3150	RFQ	9365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N3501U4/tr	Ear99	8541.29.0095	100											150 v	300 MA	50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N1724	-	RFQ	8832	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/262	大部分	积极的		175°C	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W	TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											80 V	300 µA	300µA			NPN	600mv @ 200mA，2a	30 @ 2a，15v	-
2N3019S	20.4500	RFQ	66	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3019		800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1											80 V	1 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
JANSR2N2907AUBC	308.8614	RFQ	3645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-CLCC	2N2907		500兆	UBC	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1											60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N4099-1	2.4750	RFQ	7619	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V							6.8 v	200欧姆
SMBJ5356B/TR13	1.6650	RFQ	2072	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5356		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V							19 v	3欧姆
JANTX2N6353	-	RFQ	4705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6353		2 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											150 v	5 a	-			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
JANTXV2N2946AUB	-	RFQ	7571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			400兆	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1											35 v	100 ma	10µA（ICBO）			PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
JANTX2N3442	367.9312	RFQ	1683年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/307	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3442		6 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											140 v	10 a	-			NPN	1V @ 300mA，3a	20 @ 3a，4v	-
JANTX1N6761UR-1	-	RFQ	8730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N6761	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		380 mv @ 100 ma		100 µA @ 100 V	-65°C〜125°C	1a	-
JAN2N6251	-	RFQ	5124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3	2N6251		5.5 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											350 v	10 a	1ma			NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
1N4583-1	8.9400	RFQ	5947	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4583		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V							6.4 v	25欧姆
2N5154U3	107.4906	RFQ	7795	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											80 V	1 MA	1ma			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
UTR2305	11.8800	RFQ	4979	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-			到达不受影响	150-UTR2305	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.1 V @ 2 A	250 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	2a	600pf @ 0v，1MHz
Jan1n6626/tr	11.4450	RFQ	6410	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6626/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		220 v		1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
CDLL5519BE3	5.9052	RFQ	8435	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5519BE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
Jan1n3826a-1/tr	6.1446	RFQ	4522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
JAN1N6316DUS/TR	49.0650	RFQ	1792年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6316DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	17欧姆
jankccm2n3498	-	RFQ	4136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCM2N3498			100											100 v	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX1N3009RB	-	RFQ	5403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V							130 v	100欧姆
1月1N5617	4.4700	RFQ	71	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5617	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²