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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（ih）（IH））	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
CDLL4901A	58.8600	RFQ	8299	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa	CDLL4901		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												15 µA @ 8 V				12.8 v	200欧姆
1N3338RB	49.3800	RFQ	6940	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3338		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 10 A	10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
1N3495	66.2550	RFQ	4926	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3495	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									400 v	1.1 V @ 35 A	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	35a	-
JANTXV1N4991	19.9650	RFQ	1862年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	E，轴向	1N4991		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	2 µA @ 25.1 V				240 v	650欧姆
1N3825AR-1/TR	8.9400	RFQ	9695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	108											1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
JANS1N4475D	258.8850	RFQ	4493	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
1N5934E3/TR13	0.9900	RFQ	5141	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5934		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000											1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 18.2 V				24 V	19欧姆
1N5519CUR-1	12.9600	RFQ	2755	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5519CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N5313-1E3/tr	22.0200	RFQ	7281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5313		500MW	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5313-1E3/tr			100																		100V	4.73mA	2.75V
JANTX1N6330DUS/TR	42.2400	RFQ	4547	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6330DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100											1.4 V @ 1 A	50 na @ 14 V				18 V	14欧姆
JANS1N4460D	258.8850	RFQ	1595年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	10 µA @ 3.72 V				6.2 v	4欧姆
JANTXV1N754D-1	14.2500	RFQ	2968	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N754		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 4 V				6.8 v	5欧姆
1N4469E3	6.0900	RFQ	1568年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
2N2327	47.1900	RFQ	6368	微芯片技术	-	大部分	积极的		-		通过洞	到205AD，TO-39-3				TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-2N2327	Ear99	8541.30.0080	1		2 ma	250 v	800 mv	15a @ 60hz	200 µA	2.2 v	1.6 a	标准恢复
JANTXV1N4104CUR-1/TR	29.5260	RFQ	7009	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4104CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
JANTXV1N5535DUR-1	61.9050	RFQ	2695	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5535		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
1N821-1	3.7400	RFQ	326	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N821		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
1N6344US	14.6400	RFQ	6627	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6344		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A	50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
Jan1n4480d	25.4550	RFQ	7455	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4480		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1 V @ 200 MA	50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
1N4108D-1/TR	6.0249	RFQ	6208	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4108D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 10.7 V				14 V	200欧姆
JANTXV1N6354CUS	-	RFQ	6135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A	50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
JANTXV1N976C-1	8.9100	RFQ	8595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N976		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
JANS1N4981/TR	74.9802	RFQ	8557	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4981/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 1 A	2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
JANTX1N6340DUS	57.9000	RFQ	5365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6340DUS	Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A	50 na @ 36 V				47 V	75欧姆
1N4123/tr	2.3408	RFQ	7776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4123/tr	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
JANTXV1N5195UR/TR	-	RFQ	2500	微芯片技术	MIL-PRF-19500/118	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-				150-JANTXV1N5195UR/TR			1	小信号= <200ma（io（io），任何速度									180 v	1 V @ 100 ma	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	200mA	-
SMBG5340A/TR13	2.2200	RFQ	1538年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5340		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 1 A	1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
Jan1n4466us	10.4550	RFQ	4624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1 V @ 200 MA	300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
1N2983RB	-	RFQ	3810	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2983		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 2 A	10 µA @ 14 V				19 v	4欧姆
UZ5822	32.2650	RFQ	1236	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C		通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5822	Ear99	8541.10.0050	1												10 µA @ 15.8 V				22 v	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²