SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N4747AGE3 Microchip Technology 1N4747AGE3 3.3300
RFQ
ECAD 2195 0.00000000 微芯片技术 - 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4747 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1N4747AGE3MS Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 15.2 V 20 v 22欧姆
1PMT5941BE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5941BE3/TR13 0.7350
RFQ
ECAD 7624 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 35.8 V 47 V 67欧姆
JANTX1N941BUR-1 Microchip Technology JANTX1N941BUR-1 -
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/157 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N941 500兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
1N4116UR Microchip Technology 1N4116ur 3.7950
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4116 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 18.25 V 24 V 150欧姆
1PMT4120CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4120CE3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 8504 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
SMBJ4742/TR13 Microchip Technology SMBJ4742/TR13 0.8700
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4742 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
SMBJ5360B/TR13 Microchip Technology SMBJ5360B/TR13 1.6650
RFQ
ECAD 1083 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5360 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
JAN1N4126DUR-1 Microchip Technology JAN1N4126DUR-1 27.9150
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4126 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 38.8 V 51 v 300欧姆
1N2971B Microchip Technology 1N2971B 36.9900
RFQ
ECAD 1452 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N2971 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 100 µA @ 5.7 V 7.5 v 1.3欧姆
SMBJ4758A/TR13 Microchip Technology SMBJ4758A/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 6209 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4758 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 42.6 V 56 v 110欧姆
1N2837B Microchip Technology 1N2837B 94.8900
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2837 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 69.2 V 91 v 15欧姆
JANTX1N4121DUR-1 Microchip Technology JANTX1N4121DUR-1 30.4050
RFQ
ECAD 1892年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N4121 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 25.1 V 33 V 200欧姆
JANTXV1N3826A-1 Microchip Technology JANTXV1N3826A-1 -
RFQ
ECAD 7678 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 5.1 v 7欧姆
1N2976B Microchip Technology 1N2976B 39.3300
RFQ
ECAD 100 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N2976 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 2266-1N2976B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 3欧姆
1PMT4114E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4114E3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 15.2 V 20 v 150欧姆
JANTX1N4119UR-1 Microchip Technology JANTX1N4119UR-1 -
RFQ
ECAD 8454 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 21.3 V 28 V 200欧姆
1PMT5943A/TR13 Microchip Technology 1 PMT5943A/TR13 2.2200
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
JANTXV1N976C-1 Microchip Technology JANTXV1N976C-1 8.9100
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N976 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 33 V 43 V 93欧姆
JAN1N992CUR-1 Microchip Technology 1月1N992CUR-1 -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.3 V @ 200 ma 500 NA @ 152 V 200 v 2500欧姆
JAN1N6634 Microchip Technology 1月1N6634 -
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 B,轴向 5 w B,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 175 µA @ 1 V 3.9 v 2欧姆
1N5944C Microchip Technology 1N5944C 6.7950
RFQ
ECAD 2222 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5944 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 v 100欧姆
JANTXV1N5968D Microchip Technology JANTXV1N5968D -
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 E,轴向 5 w E,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
1PMT5939E3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5939E3/TR13 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 29.7 V 39 v 45欧姆
JANTXV1N3825CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3825CUR-1 49.6200
RFQ
ECAD 6498 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3825 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
SMBG5371CE3/TR13 Microchip Technology SMBG5371CE3/TR13 1.4400
RFQ
ECAD 7919 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-215AA,SMB海鸥翼 SMBG5371 5 w SMBG(DO-215AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 43 V 60 V 40欧姆
1N4745P/TR12 Microchip Technology 1N4745P/TR12 1.8600
RFQ
ECAD 5301 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4745 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
JAN1N4615D-1 Microchip Technology JAN1N4615D-1 12.0000
RFQ
ECAD 5935 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4615 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2.5 µA @ 1 V 2 v 1250欧姆
JANTX1N3024B-1 Microchip Technology JANTX1N3024B-1 9.9900
RFQ
ECAD 1373 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3024 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
JANTXV1N4478US/TR Microchip Technology JANTXV1N4478US/TR 15.7073
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N4478US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 50 NA @ 28.8 V 36 V 27欧姆
JAN1N3325RB Microchip Technology JAN1N3325RB -
RFQ
ECAD 4248 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 25.1 V 33 V 3.2欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库