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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1月1N982CUR-1	11.3850	RFQ	9582	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N982		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 56 V							75 v	270欧姆
JANTXV1N4118C-1	23.1600	RFQ	3833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4118		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 20.5 V							27 V	150欧姆
CDLL5944D	11.7300	RFQ	4884	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5944		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 47.1 V							62 v	100欧姆
JANTX1N750AR-1	4.7550	RFQ	3770	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1.5 V							4.7 v	15欧姆
JANTXV1N4623CUR-1	30.5400	RFQ	2162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4623		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2 V							4.3 v	1600欧姆
2N6327	418.4180	RFQ	3910	微芯片技术	-	大部分	积极的		-		通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1								80 V	30 a	-			PNP	-	-	-
CDLL5239C/TR	6.9150	RFQ	7219	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5239C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 7 V							9.1 v	10欧姆
Jan1n6634us	-	RFQ	3343	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	175 µA @ 1 V							3.9 v	2欧姆
CDLL5949D	11.7300	RFQ	3796	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5949		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 76 V							100 v	250欧姆
JANTX1N2971B	-	RFQ	5317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	100 µA @ 5.7 V							7.5 v	1.3欧姆
1N4465CUS	16.9309	RFQ	8439	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4465CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	300 na @ 8 V							10 v	5欧姆
JANTX1N3003B	-	RFQ	5218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 62.2 V							82 v	25欧姆
JANTX1N4117D-1	16.9800	RFQ	6600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4117		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
Jan1n4987us	13.2600	RFQ	6103	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，E	1N4987		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 121.6 V							160 v	350欧姆
SMBJ5930B/TR13	1.5600	RFQ	6766	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5930		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 12.2 V							16 V	10欧姆
SMBG5385C/TR13	2.8650	RFQ	3300	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5385		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	500 NA @ 122 V							170 v	380欧姆
JANS1N4576AUR-1/TR	163.8300	RFQ	8385	微芯片技术	MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-JANS1N4576AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50				2 µA @ 3 V								50欧姆
JANTX1N963CUR-1	21.8850	RFQ	8680	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N963		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 9.1 V							12 v	11.5欧姆
JANTX1N2811RB	-	RFQ	7787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	to-204ad	1N2811		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 9.9 V							13 V	1.1欧姆
UPS760E3/TR13	0.9900	RFQ	17	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	PowerMite®3	UPS760	肖特基		Powermite 3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	600 mv @ 7 A	100 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	7a	375pf @ 4V，1MHz
CDLL5310	25.0950	RFQ	1686年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL53		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	100V	3.63mA	2.35V
Jan1n3823d-1/tr	19.4047	RFQ	8218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3823D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
1N3305B	49.3800	RFQ	1942年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3305		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	300 µA @ 4.5 V							6.8 v	0.2欧姆
1N5343CE3/TR12	3.3900	RFQ	7682	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5343		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	10 µA @ 5.4 V							7.5 v	1.5欧姆
1N5349A/TR8	2.6250	RFQ	7942	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5349		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A	2 µA @ 8.6 V							12 v	2.5欧姆
1N4695ur-1/tr	5.2400	RFQ	8262	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma	1 µA @ 6.6 V							8.7 v
1月1N2984b	-	RFQ	6735	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 15.2 V							20 v	4欧姆
1N825A-1E3/tr	4.8900	RFQ	7847	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N825A-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V							5.89 v	10欧姆
JANTXV1N4627UR-1/TR	18.0481	RFQ	9186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4627UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 5 V							6.2 v	1200欧姆
JANTXV1N4615UR-1	14.1300	RFQ	4027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4615		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 1 V							2 v	1250欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²