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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N4116ur	3.7950	RFQ	6069	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4116		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V							24 V	150欧姆
1N1341A	45.3600	RFQ	5833	微芯片技术	SR20	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）								50 V	1.3 V @ 30 A			-65°C 〜200°C	6a	-
CDS5542B-1	-	RFQ	8268	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-CDS5542B-1	Ear99	8541.10.0050	50
2N3740A	30.8959	RFQ	2281	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3740		25 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																	60 V	10 a	1µA			PNP	600mv @ 125mA，1a	40 @ 100mA，1V	3MHz
JANTXV1N972DUR-1	24.2250	RFQ	8299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N972		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V							30 V	49欧姆
1N6328US	14.7900	RFQ	1353	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6328		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V							15 v	10欧姆
JANSF2N3700UB	49.9200	RFQ	2662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-LCC	2N3700		500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																	80 V	1 a	10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
1N5948D	8.2950	RFQ	3466	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5948		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 69.2 V							91 v	200欧姆
JANS1N4969CUS	343.6210	RFQ	3354	微芯片技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4969CUS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N5542CUR-1	37.7850	RFQ	4570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5542		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V							24 V	100欧姆
JAN1N333338RB	-	RFQ	3450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V							82 v	11欧姆
JANTXV1N6342DUS	68.5500	RFQ	4040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6342DUS	Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V							56 v	100欧姆
1N3046B-1/tr	7.4214	RFQ	5905	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-13	1N3046		1 w	DO-13（do-202AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3046B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 91.2 V							120 v	550欧姆
JAN1N4108C-1	9.0300	RFQ	4126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4108			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V							14 V	200欧姆
JANTXV1N5296UR-1/TR	40.4100	RFQ	5479	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5296		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5296UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																										100V	1.001mA	1.29V
JANTXV1N4120CUR-1	28.8000	RFQ	6839	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4120		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V							30 V	200欧姆
JANTXV2N2946AUB	-	RFQ	7571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	4-SMD，没有铅			400兆	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																	35 v	100 ma	10µA（ICBO）			PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
1N4919	29.5050	RFQ	7360	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4919		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																				19.2 v	300欧姆
MSCC60VRM45TAPG	330.3425	RFQ	4511	微芯片技术	-	管子	积极的		-		底盘安装	模块	MSCC60	-	-	sp6-p	下载			到达不受影响	150-MSCC60VRM45TAPG	Ear99	8541.29.0095	1	-		600V	40a（TC）	-	-	-	-	-
1N3176	216.8850	RFQ	1598年	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3176	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3176MS	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）								1400 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	240a	-
1N5933CP/TR8	2.2800	RFQ	4291	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5933		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500											1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V							22 v	17.5欧姆
JANTXV1N6315D	45.0600	RFQ	8933	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V							4.3 v	20欧姆
jankce1n5807	-	RFQ	5186	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的				表面安装	死		标准		死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Jankce1N5807	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								50 V	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-CDS5534DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMBJ4730/TR13	-	RFQ	8965	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4730		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
JANTX2N6689	-	RFQ	3730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/537	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TA）		螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W	TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																	300 v	100 µA	100µA			NPN	5V @ 5a，15a	15 @ 1a，3v	-
1N4750CPE3/TR8	1.1550	RFQ	8548	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4750		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500											1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V							27 V	35欧姆
SMAJ4757AE3/TR13	0.6450	RFQ	1376	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4757		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500											1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V							51 v	95欧姆
1 PMT5926C/TR7	-	RFQ	4842	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	5.5欧姆
SMBJ5937BE3/TR13	0.8850	RFQ	5697	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5937		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V							33 V	33欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²