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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N4100UR-1	11.3700	RFQ	1739年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4100		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JAN1N4123C-1	10.5000	RFQ	5564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4123			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
1 PMT5934B/TR13	2.2200	RFQ	4189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19欧姆
MSASC150W60LS/TR	-	RFQ	2241	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC150W60LS/TR			100
JANS1N5802URS	118.4100	RFQ	4850	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	975 MV @ 2.5 A	25 ns		-65°C〜175°C	2a	25pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6352DUS	-	RFQ	3989	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				141 v	1000欧姆
JAN1N555535B-1	5.5200	RFQ	6981	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5535		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
SMBJ5372B/TR13	1.6650	RFQ	2140	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5372		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V				62 v	42欧姆
Jan1n4495	9.5100	RFQ	1445	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4495		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
JANTX1N964D-1	7.0800	RFQ	4683	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N964		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
Jan1n3018bur-1	12.7350	RFQ	6225	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3018		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				8.2 v	4.5欧姆
CD4750A	1.8354	RFQ	3903	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4750A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1 PMT5939AE3/TR13	0.7350	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 v	45欧姆
1N5361CE3/TR13	1.3350	RFQ	8939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
CDLL5232B	2.8650	RFQ	8861	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5232		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	11欧姆
1N6346US	14.6400	RFQ	9363	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6346		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆
JANTXV1N6349US	-	RFQ	6188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
CDLL5521	6.4800	RFQ	2671	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL5521		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
CDLL3018	14.7300	RFQ	4855	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3018		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
S37100	56.4750	RFQ	1408	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S37100	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.15 V @ 85 A		25 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	85a	-
JAN1N5539CUR-1/TR	25.7887	RFQ	4610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5534DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N4116	2.4450	RFQ	6805	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N4116				下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
BZV55C33	2.9400	RFQ	377	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C33			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 23.1 V				33 V
JANTXV1N4102C-1	23.1600	RFQ	8472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4102		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V				8.7 v	200欧姆
JANTX1N4117D-1	16.9800	RFQ	6600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4117		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
1N4622UR	3.3000	RFQ	8165	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4622		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
1N6335US	13.6600	RFQ	14	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 23 V				30 V	500欧姆
1N4695	3.9300	RFQ	7740	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.6 V				8.7 v
JANTX1N3021C-1	21.9600	RFQ	3146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3021		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²