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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV1N4467D	38.4450	RFQ	4713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4467		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		200 na @ 9.6 V							12 v	7欧姆
CDLL971B	2.8650	RFQ	5779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL971		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V							27 V	41欧姆
JANTXV1N3033D-1	36.2100	RFQ	2562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3033		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V							36 V	50欧姆
Jan1n4989dus	43.9350	RFQ	6643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4989		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V							200 v	500欧姆
CDLL6015	2.7150	RFQ	4214	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL6015				-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT5937B/TR13	2.2200	RFQ	1240	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V							33 V	33欧姆
1N3027B-1	8.1900	RFQ	5128	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3027		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V							20 v	22欧姆
JANTX1N6352C	-	RFQ	9881	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V							150 v	1000欧姆
JANS1N4615D-1	230.7000	RFQ	3602	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V							2 v	1250欧姆
1N4555A	53.5800	RFQ	1297	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4555		50 W	DO-5（do-203ab）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 2 V							6.8 v	0.16欧姆
CDLL4131	3.5850	RFQ	6938	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4131		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 57 V							75 v	700欧姆
JAN1N4129CUR-1	22.3200	RFQ	2179	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4129			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V							62 v	500欧姆
1 PMT4120CE3/TR13	0.4950	RFQ	8504	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V							30 V	200欧姆
CDLL4570	7.3800	RFQ	1191	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4570		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V								100欧姆
JANTXV2N2907AUA	29.8851	RFQ	2091	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907		500兆	UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1									60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N5933CPE3/TR8	1.2000	RFQ	5272	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5933		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V							22 v	17.5欧姆
JANTX1N4132-1	5.3100	RFQ	8266	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V							82 v	800欧姆
1N4733AP/TR8	2.7200	RFQ	519	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4733		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
1N5931P/TR12	1.8600	RFQ	5833	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
SMAJ5938E3/TR13	0.6450	RFQ	7377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5938		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V							36 V	38欧姆
1 PMT5943A/TR13	2.2200	RFQ	4789	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V							56 v	86欧姆
1N1347A	45.3600	RFQ	8327	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1347	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	16a	-
1月1N992CUR-1	-	RFQ	2308	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V							200 v	2500欧姆
JANS1N4565A-1	74.6250	RFQ	1070	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	200欧姆
1N6641US	9.7050	RFQ	6740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6641	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 200 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5357C/TR8	3.3900	RFQ	9595	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V							20 v	3欧姆
JANTXV1N4102C-1	23.1600	RFQ	8472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4102		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V							8.7 v	200欧姆
JANTX2N3418	19.6707	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3418		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1									60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
JANTX1N4968US	9.5400	RFQ	9232	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4968		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V							27 V	6欧姆
SMBJ5935A/TR13	1.5600	RFQ	4074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5935		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V							27 V	23欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²