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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比条件	q @ vr，f
MML4402-GM2	5.2500	RFQ	197	微芯片技术	MML4400	大部分	积极的		-55°C〜150°C		2-SMD，没有铅	MML4402			2-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0060	1																				2pf @ 0v，1MHz			PIN-单	75V				1.5OHM @ 100mA，100MHz
1N55330BUR-1/TR	5.7722	RFQ	8428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N55330BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V									10 v	60欧姆
1N4099DUR-1/TR	9.6750	RFQ	4431	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4099DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	237															1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V									6.8 v	200欧姆
UFS380J/TR13	2.6100	RFQ	7198	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS380	标准		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v	1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANS2N5666	104.1002	RFQ	8421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5666		1.2 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					200 v	5 a			200NA				NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
JAN2N656S	-	RFQ	6090	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																					60 V	200 ma			-				NPN	-	-	-
1N763	1.9500	RFQ	9123	微芯片技术	-	大部分	积极的			-	-	1N763			-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4566AR-1	163.6800	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V									6.4 v	200欧姆
JANTX1N3026D-1/TR	22.7164	RFQ	2085	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3026D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V									18 V	20欧姆
2N5335	22.2750	RFQ	7994	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N5335			1
JANTXV1N4967US	15.9750	RFQ	8427	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4967		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V									24 V	5欧姆
MSC100SM70JCU3	58.4100	RFQ	6	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	MSC100SM70JCU3	sicfet （碳化硅）		SOT-227（ISOTOP®）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSC100SM70JCU3	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		700 v	124A（TC）	20V	19mohm @ 40a，20v	2.4V @ 4mA	215 NC @ 20 V	+25V，-10V	4500 PF @ 700 V	-	365W（TC）
MG1650-M16	-	RFQ	7389	微芯片技术	-	包	积极的		-		螺柱	MG1650			-	-			到达不受影响	150-MG1650-M16	Ear99	8541.10.0060	1																				-			-	-				-
JANTX1N4119UR-1	-	RFQ	8454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.3 V									28 V	200欧姆
LSP1005-154-8	-	RFQ	9328	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		死	LSP1005			芯片	-			到达不受影响	150-LSP1005-154-8TR	Ear99	8541.10.0060	1			5 ma										250兆							0.4pf @ 50V，1MHz			PIN-单	50V				6.5OHM @ 5mA，100MHz
1N4746PE3/TR12	0.9150	RFQ	9220	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000															1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V									18 V	20欧姆
KVX2162-23-0/TR	7.6500	RFQ	6618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX2162			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000																				26pf @ 0v，1MHz			单身的	22 v									-	400 @ 4V，50MHz
JASP2N3634UB/TR	-	RFQ	6199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																					140 v	10 µA			10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
1N5369B/TR8	-	RFQ	3871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000															1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V									51 v	27欧姆
JANS1N4571AUR-1/TR	163.8300	RFQ	4113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4571AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																	2 µA @ 3 V									6.4 v	100欧姆
UM7104B	-	RFQ	8645	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		轴向				轴向	-			到达不受影响	150-UM7104BTR	Ear99	8541.10.0060	1													5.5 w							1.2pf @ 100V，1MHz			PIN-单	400V				600MOHM @ 100mA，100MHz
1N5344B/TR12	2.6850	RFQ	5472	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V									8.2 v	1.5欧姆
1N5272B	2.7265	RFQ	8552	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5272B	Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 ma		100 na @ 84 V									110 v	750欧姆
JANTX2N2945AUB	434.5428	RFQ	1089	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			400兆	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																					20 v	100 ma			10µA（ICBO）				PNP	-	70 @ 1mA，500mv	-
CDLL975B	2.8650	RFQ	5701	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL975		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V									39 v	90欧姆
1N5993	3.4050	RFQ	3986	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5993	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V									5.1 v	88欧姆
1N3339RB	49.3800	RFQ	6643	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3339		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V									91 v	15欧姆
30FQ040	64.5600	RFQ	6622	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基		DO-4（do-203AA）	-			到达不受影响	150-30FQ040	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V	630 MV @ 30 A		1.5 ma @ 40 V	-55°C 〜175°C	30a	-
CDS5535CUR-1	471.0150	RFQ	3818	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5535CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
KVX3201-23-0	5.1150	RFQ	5710	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-KVX3201-23-0	Ear99	8541.10.0070	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²