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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向（（vr）（VR）） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
1N705A/TR Microchip Technology 1N705A/TR 3.4580
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ - 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 250兆 do-35 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N705A/TR Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 4.8 V 4.8 v 35欧姆
JAN1N4961 Microchip Technology 1月1N4961 -
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 3欧姆
JAN1N4481D Microchip Technology Jan1n4481d 25.4550
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4481 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 50 NA @ 37.6 V 47 V 50欧姆
1N4752AP/TR8 Microchip Technology 1N4752AP/TR8 1.8900
RFQ
 ECAD 4620 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4752 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
JANS1N4495 Microchip Technology JANS1N4495 180.8100
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1.5 w do-41 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 144 V 180 v 1300欧姆
JAN1N4465 Microchip Technology 1月1N4465 7.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4465 1.5 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
CDLL966A Microchip Technology CDLL966A 2.8650
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL966 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 12 V 16 V 17欧姆
1PMT4625/TR13 Microchip Technology 1 PMT4625/TR13 -
RFQ
 ECAD 6419 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午4625 1 w do-216 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
1PMT5930CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5930CE3/TR13 0.7350
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 12.2 V 16 V 10欧姆
JANS1N5968CUS Microchip Technology JANS1N5968CUS -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 ma @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JAN1N821-1 Microchip Technology 1月1N821-1 -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/159 大部分 在sic中停产 ±5％ -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 3 V 7.5 v 15欧姆
JANS1N4105CUR-1 Microchip Technology JANS1N4105CUR-1 97.9650
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AA（） 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 8.5 V 11 V 200欧姆
JANTXV1N4480D Microchip Technology JANTXV1N4480D 41.4900
RFQ
 ECAD 7641 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4480 1.5 w do-41 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 50 NA @ 34.4 V 43 V 40欧姆
JAN1N754DUR-1 Microchip Technology JAN1N754DUR-1 14.2500
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA（） 1N754 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 4 V 6.8 v 5欧姆
JAN1N3028BUR-1 Microchip Technology Jan1n3028bur-1 12.7350
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5％ -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1N3028 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
JANTXV1N2840RB Microchip Technology JANTXV1N2840RB -
RFQ
 ECAD 9347 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 to-204ad 1N2840 10 W TO-204AD（TO-3） - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 83.6 V 110 v 30欧姆
CDLL6012 Microchip Technology CDLL6012 2.7150
RFQ
 ECAD 2853 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 CDLL6012 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
SMBJ5346A/TR13 Microchip Technology SMBJ5346A/TR13 1.6350
RFQ
 ECAD 4511 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA，SMB SMBJ5346 5 w SMBJ（DO-214AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 7.5 µA @ 6.6 V 9.1 v 2欧姆
1PMT5949BE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT5949BE3/TR7 0.7350
RFQ
 ECAD 2260 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 v 250欧姆
1N4107UR-1 Microchip Technology 1N4107UR-1 3.8200
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 1N4107 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 13 V 200欧姆
CDLL5227 Microchip Technology CDLL5227 2.8650
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5227 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 15 µA @ 1 V 3.6 v 24欧姆
1N5250B Microchip Technology 1N5250B 2.7750
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5250 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 1N5250BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
S30640 Microchip Technology S30640 39.0750
RFQ
 ECAD 7971 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S30640 标准 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 85a -
SMBJ5360B/TR13 Microchip Technology SMBJ5360B/TR13 1.6650
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA，SMB SMBJ5360 5 w SMBJ（DO-214AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
JAN1N4123C-1 Microchip Technology JAN1N4123C-1 10.5000
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4123 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 29.7 V 39 v 200欧姆
1PMT5951C/TR13 Microchip Technology 1 PMT5951C/TR13 2.7600
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 91.2 V 120 v 380欧姆
JANTXV1N6486DUS Microchip Technology JANTXV1N6486DUS -
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w a，平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
JANTXV1N3029DUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3029DUR-1 56.9100
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1％ -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1N3029 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
JANTX1N3038DUR-1 Microchip Technology JANTX1N3038DUR-1 46.6950
RFQ
 ECAD 4377 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±1％ -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1N3038 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 42.6 V 56 v 110欧姆
SMBJ5930A/TR13 Microchip Technology SMBJ5930A/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 2802 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA，SMB SMBJ5930 2 w SMBJ（DO-214AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 12.2 V 16 V 10欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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