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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANTX1N6637	-	RFQ	3288	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V							5.1 v	1.5欧姆
JANS1N6873UTK2AS	608.4000	RFQ	2619	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的				表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANS1N6873UTK2AS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
CDLL4573	18.5100	RFQ	3510	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C		表面安装	do-213aa	CDLL4573		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3 V								100欧姆
CDLL3017B	16.1100	RFQ	3762	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3017		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.7 V							7.5 v	4欧姆
JANTX1N3021CUR-1	37.3500	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
JAN1N3040B-1	9.2700	RFQ	9521	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3040		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V							68 v	150欧姆
JAN1N3346RB	-	RFQ	6827	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 10 A		10 µA @ 114 V							150 v	75欧姆
JANTXV1N6354US/TR	-	RFQ	5263	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6354US/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V							180 v	1500欧姆
JANTX2N3585	267.5420	RFQ	1213	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/384	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3585		2.5 w	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																						300 v	2 a	5mA			NPN	750mv @ 125mA，1a	25 @ 1A，10V	-
APT77N60SC6	14.4500	RFQ	8181	微芯片技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT77N60	MOSFET （金属 o化物）		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）
APT60S20B2CTG	7.9700	RFQ	2656	微芯片技术	-	管子	积极的				通过洞	TO-247-3变体	APT60	肖特基		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	75a	900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
HS2222a	8.7514	RFQ	8032	微芯片技术	*	大部分	积极的						HS2222				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
UZ7806	468.9900	RFQ	5464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C		螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7806	Ear99	8541.10.0050	1																		1 mA @ 4.9 V							6.8 v	0.6欧姆
1N5230B-1	2.7150	RFQ	3972	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5230B-1	Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 2 V							4.7 v	19欧姆
1N5968D	162.3000	RFQ	4400	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-1N5968D	Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N3029B-1	7.6500	RFQ	3758	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3029		1 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V							24 V	25欧姆
UZ7724V	468.9900	RFQ	5810	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7724V	Ear99	8541.10.0050	1																		20 µA @ 18.2 V							24 V	5欧姆
JANTXV1N4467CUS/TR	45.2850	RFQ	8232	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N444467CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100																1.5 V @ 1 A		200 na @ 9.6 V							12 v	7欧姆
JANTX1N6677UR-1	-	RFQ	2245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的				表面安装	DO-213AA（）	1N6677	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <<200ma（io），任何速度													40 V		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
JANS1N5297-1/TR	100.0200	RFQ	6860	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500MW	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5297-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																															100V	1.1ma	1.35V
JAN1N5540B-1	5.5200	RFQ	3404	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5540		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V							20 v	100欧姆
CDLL985B	2.9400	RFQ	6905	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL985		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V							100 v	500欧姆
JANTX1N1206AR	73.0650	RFQ	9256	微芯片技术	MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1206	标准，反极性		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.35 V @ 38 A		5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
1N5926P/TR12	1.8600	RFQ	7354	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5926		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	5.5欧姆
CDLL3035	15.3000	RFQ	9169	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3035		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 32.7 V							43 V	70欧姆
JANTX1N4990DUS/TR	30.9000	RFQ	5238	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTX1N4990DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100																1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V							220 v	550欧姆
JANS1N4980CUS	343.6210	RFQ	8627	微芯片技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4980CUS	Ear99	8541.10.0050	1
R4310F	102.2400	RFQ	2024	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-			到达不受影响	150-R4310F	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	150a	-
Jan2n2812	-	RFQ	8489	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）		螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																						60 V	10 a	-			NPN	-	-	-
JANTXV1N991B-1/TR	-	RFQ	2349	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N991B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 137 V							180 v	2.2欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²