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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CDLL4570	7.3800	RFQ	1191	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4570		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V								100欧姆
JANTXV2N2907AUA	29.8851	RFQ	2091	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2907		500兆	UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N5933CPE3/TR8	1.2000	RFQ	5272	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5933		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V							22 v	17.5欧姆
JANTX1N4132-1	5.3100	RFQ	8266	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V							82 v	800欧姆
1N4733AP/TR8	2.7200	RFQ	519	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4733		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
1N5931P/TR12	1.8600	RFQ	5833	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
SMAJ5938E3/TR13	0.6450	RFQ	7377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5938		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V							36 V	38欧姆
1 PMT5943A/TR13	2.2200	RFQ	4789	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V							56 v	86欧姆
1N1347A	45.3600	RFQ	8327	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1347	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											500 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	16a	-
1月1N992CUR-1	-	RFQ	2308	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V							200 v	2500欧姆
JANS1N4565A-1	74.6250	RFQ	1070	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	200欧姆
1N6641US	9.7050	RFQ	6740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/609	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6641	标准		D-5D	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											50 V	1.1 V @ 200 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5357C/TR8	3.3900	RFQ	9595	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000													1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V							20 v	3欧姆
JANTXV1N4102C-1	23.1600	RFQ	8472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4102		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V							8.7 v	200欧姆
JANTX2N3418	19.6707	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3418		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
JANTX1N4968US	9.5400	RFQ	9232	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4968		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V							27 V	6欧姆
SMBJ5935A/TR13	1.5600	RFQ	4074	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5935		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V							27 V	23欧姆
CDLL4772A	121.3350	RFQ	5658	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4772		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															10 µA @ 6 V							9.1 v	200欧姆
TP2640N3-G	-	RFQ	2092	微芯片技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道	400 v	180mA（TJ）	2.5V，10V	15ohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA	±20V	300 pf @ 25 V	-	1W（ta）
1N6014UR-1	3.5850	RFQ	4459	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6014				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT4103CE3/TR13	-	RFQ	2767	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.92 V							9.1 v	200欧姆
1N4968	6.9150	RFQ	9341	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4968		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V							27 V	6欧姆
1N705A/TR	3.4580	RFQ	6559	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N705A/TR	Ear99	8541.10.0050	1															5 µA @ 4.8 V							4.8 v	35欧姆
1月1N4961	-	RFQ	3080	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向			5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V							13 V	3欧姆
Jan1n4481d	25.4550	RFQ	8151	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 MA		50 NA @ 37.6 V							47 V	50欧姆
1N4752AP/TR8	1.8900	RFQ	4620	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4752		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V							33 V	45欧姆
JANS1N4495	180.8100	RFQ	4390	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V							180 v	1300欧姆
1月1N4465	7.9500	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V							10 v	5欧姆
CDLL966A	2.8650	RFQ	7547	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL966		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		500 na @ 12 V							16 V	17欧姆
1 PMT4625/TR13	-	RFQ	6419	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4625		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V							5.1 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²