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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向（（vr）（VR）） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV1N4115CUR-1 | 32.7450 |  | 3515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4115 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 16.8 V | 22 v | 150欧姆 | |||||||||
| JAN1N754DUR-1 | 14.2500 | | 1169 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N754 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 5欧姆 | |||||||||
 | JANTXV1N4480D | 41.4900 | | 7641 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N4480 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 50 NA @ 34.4 V | 43 V | 40欧姆 | |||||||||
 | CDLL5939C | 7.8450 | | 8591 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | CDLL5939 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 v | 45欧姆 | |||||||||
 | 1月1N3998RA | - | | 9943 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 螺柱坐骑 | do-203AA，do-4，螺柱 | 10 W | DO-213AA（DO-4） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 2 V | 6.2 v | 1.1欧姆 | |||||||||||
| CDLL6012 | 2.7150 | | 2853 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL6012 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 1 PMT5952B/TR13 | 2.2200 | | 1913年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 98.8 V | 130 v | 450欧姆 | |||||||||
 | JANTXV1N4116C-1 | 23.1600 | | 7151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4116 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150欧姆 | |||||||||
| 1 PMT5949BE3/TR7 | 0.7350 | | 2260 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 76 V | 100 v | 250欧姆 | |||||||||
| 1N4107UR-1 | 3.8200 | | 225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 1N4107 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 200欧姆 | |||||||||
| CDLL5227 | 2.8650 | | 9846 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab，Melf | CDLL5227 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | |||||||||
| 1N5250B | 2.7750 | | 5167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5250 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1N5250BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | ||||||||
| S30640 | 39.0750 | | 7971 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | S30640 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.1 V @ 200 A | 25 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 85a | - | |||||||||
| Jan1n4584aur-1 | 29.1750 | | 3241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/452 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | 1N4584 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | ||||||||||
| CDLL4570 | 7.3800 | | 1191 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 0°C〜75°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4570 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 100欧姆 | ||||||||||||
| CDLL989B | 4.6950 | | 8300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5％ | - | 表面安装 | DO-213AA（） | CDLL989 | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 150 v | 1500欧姆 | |||||||||||
| JANTX1N4100UR-1 | 11.3700 | | 1739年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 1N4100 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 200欧姆 | |||||||||
| JAN1N4123C-1 | 10.5000 | | 5564 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N4123 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 29.7 V | 39 v | 200欧姆 | ||||||||||
| 1 PMT5934B/TR13 | 2.2200 | | 4189 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | |||||||||
| MSASC150W60LS/TR | - | | 2241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC150W60LS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
 | JANS1N5802URS | 118.4100 | | 4850 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a，轴向 | 标准 | a，轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 50 V | 975 MV @ 2.5 A | 25 ns | -65°C〜175°C | 2a | 25pf @ 10V，1MHz | ||||||||||
 | JANTXV1N6352DUS | - | | 3989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 114 V | 141 v | 1000欧姆 | |||||||||||
| JAN1N555535B-1 | 5.5200 | | 6981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N5535 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 13.5 V | 15 v | 100欧姆 | |||||||||
 | SMBJ5372B/TR13 | 1.6650 | | 2140 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA，SMB | SMBJ5372 | 5 w | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 44.6 V | 62 v | 42欧姆 | |||||||||
 | Jan1n4495 | 9.5100 | | 1445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 1N4495 | 1.5 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 250 NA @ 144 V | 180 v | 1300欧姆 | |||||||||
| JANTX1N964D-1 | 7.0800 | | 4683 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1％ | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 1N964 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | |||||||||
 | Jan1n3018bur-1 | 12.7350 | | 6225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N3018 | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 8.2 v | 4.5欧姆 | |||||||||
 | CD4750A | 1.8354 | | 3903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 1 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4750A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 20.6 V | 27 V | 35欧姆 | ||||||||||
| 1 PMT5939AE3/TR13 | 0.7350 | | 6325 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 v | 45欧姆 | |||||||||
| 1N5361CE3/TR13 | 1.3350 | | 8939 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18，轴向 | 1N5361 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,250 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 19.4 V | 27 V | 5欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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