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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SMBJ4758A/TR13	0.8850	RFQ	6209	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4758		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V							56 v	110欧姆
CDLL4896A/TR	27.9750	RFQ	3371	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4896A/TR	Ear99	8541.10.0050	1																		15 µA @ 8 V							12.8 v	400欧姆
R3750	49.0050	RFQ	3623	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3750			1
JANTXV1N4484DUS	56.4150	RFQ	8472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4484DUS	Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		250 NA @ 49.6 V							62 v	80欧姆
JANTX1N3045B-1/TR	9.0573	RFQ	5814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3045B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V							110 v	450欧姆
1月1N5420	9.1200	RFQ	9203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5420	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.5 V @ 9 A	400 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5736C	3.7200	RFQ	6630	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5736		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V							10 v	20欧姆
1N2840A	94.8900	RFQ	1301	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2840		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83.6 V							110 v	30欧姆
SMBJ5934CE3/TR13	1.3350	RFQ	3027	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5934		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V							24 V	19欧姆
JANTXV1N980C-1	7.5750	RFQ	4074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V							62 v	185欧姆
SMBJ5938B/TR13	1.5600	RFQ	9162	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5938		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V							36 V	38欧姆
JANS1N4105DUR-1	147.2700	RFQ	1833年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V							11 V	200欧姆
Jan1n962bur-1/tr	4.0831	RFQ	2714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N962BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	9.5欧姆
jankcbr2n2906a	-	RFQ	2624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906		500兆	TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBR2N2906A	Ear99	8541.21.0095	1																						60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANS1N5552	81.1500	RFQ	1622	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5552	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANTXV1N4467C	30.7500	RFQ	9659	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4467		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 MA		200 na @ 9.6 V							12 v	7欧姆
1N5246/tr	4.1100	RFQ	6215	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5246/tr	Ear99	8541.10.0050	231																1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11.4 V							16 V	17欧姆
85HQ045	117.7800	RFQ	8723	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	85HQ045	肖特基		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	85HQ045MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													45 v		740 mv @ 80 a		2 ma @ 45 V	-65°C〜175°C	80a	-
JANS1N4615CUR-1	385.3050	RFQ	8899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V							2 v	1250欧姆
JANTX1N6490C	-	RFQ	8899	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
APT28M120B2	23.7300	RFQ	5288	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT28M120	MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	29A（TC）	10V	560MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
CDLL4766A	101.7900	RFQ	3835	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4766		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 6 V							9.1 v	350欧姆
JANTXV2N2920	38.5301	RFQ	7335	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		-	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																						60V	30mA	-			2 NPN （双）	-	-	-
UFT3020C	62.1000	RFQ	6692	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3020C	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
CDLL4706	3.3000	RFQ	4614	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4706		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.4 V							19 v
JANTX1N3049CUR-1	-	RFQ	9137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V							160 v	1100欧姆
JANSD2N222221AUB/TR	150.3406	RFQ	5403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANSD2N222221AUB/TR			50																						50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N4980US	-	RFQ	2351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V							82 v	80欧姆
JANTXV2N5237	-	RFQ	4851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																						120 v	10 a	10µA			NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANTX1N3040BUR-1	14.5800	RFQ	5971	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3040		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V							68 v	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²