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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
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JANTXV1N4115CUR-1	32.7450	RFQ	3515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4115	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	10 na @ 16.8 V	22 v	150欧姆
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1N5748D	4.6800	RFQ	4627	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5748	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	900 mv @ 10 ma	100 na @ 23 V	33 V	90欧姆
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1N3329A	49.3800	RFQ	8514	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3329	50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 10 A	10 µA @ 32.7 V	45 v	4.5欧姆
1N4108-1	2.4450	RFQ	8732	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4108	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 10.7 V	14 V	200欧姆
2N5051	27.1187	RFQ	7601	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5051			-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANS1N6489D	-	RFQ	7055	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 1 A	4 µA @ 1 V	4.7 v	8欧姆
JANTX1N941BUR-1	-	RFQ	4099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N941	500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		15 µA @ 8 V	11.7 v	30欧姆
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2N6678T1	299.7155	RFQ	4218	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6678			-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
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JANS1N3155UR-1	-	RFQ	4599	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		10 µA @ 5.5 V	8.4 v	15欧姆
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JANTXV1N456666AUR-1	13.9650	RFQ	4413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4566	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		2 µA @ 3 V	6.4 v	200欧姆
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Jan1n4558b	-	RFQ	3652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 2 A	150 µA @ 500 mV	4.3 v	0.16欧姆
1N5361CE3/TR13	1.3350	RFQ	8939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361	5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250	1.2 V @ 1 A	500 NA @ 19.4 V	27 V	5欧姆
1 PMT5952CE3/TR13	0.7350	RFQ	9008	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点	3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000	1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 98.8 V	130 v	450欧姆
1N4766A	88.5300	RFQ	9290	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4766	500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7679041	Ear99	8541.10.0050	1			9.1 v	350欧姆
JANTX1N4619UR-1	12.1800	RFQ	2138	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4619	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	400 na @ 1 V	3 V	1600欧姆
1月1N6328C	75.0900	RFQ	7175	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6328	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1	1.4 V @ 1 A	50 na @ 11 V	15 v	10欧姆
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-CDS5534DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMBJ4760AE3/TR13	0.4350	RFQ	4345	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4760	2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 51.7 V	68 v	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²