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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
Jan1n4558b	-	RFQ	3652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 2 A		150 µA @ 500 mV							4.3 v	0.16欧姆
1N5361CE3/TR13	1.3350	RFQ	8939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V							27 V	5欧姆
1 PMT5952CE3/TR13	0.7350	RFQ	9008	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 98.8 V							130 v	450欧姆
1N4766A	88.5300	RFQ	9290	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4766		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7679041	Ear99	8541.10.0050	1											9.1 v	350欧姆
JANTX1N4619UR-1	12.1800	RFQ	2138	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4619		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V							3 V	1600欧姆
1月1N6328C	75.0900	RFQ	7175	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6328		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V							15 v	10欧姆
CDS5534DUR-1	-	RFQ	6453	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5534DUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
SMBJ4760AE3/TR13	0.4350	RFQ	4345	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4760		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V							68 v	150欧姆
JANTX1N5520D-1	23.6250	RFQ	4119	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V							3.9 v	22欧姆
1N5945bp/tr8	1.8900	RFQ	7147	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5945		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V							68 v	120欧姆
Jan2n5002	416.0520	RFQ	2124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5002		2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1								80 V	5 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JAN2N3762	-	RFQ	5632	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3762		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1								40 V	1.5 a	10µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1A，1.5V	-
JANS1N5622	59.9100	RFQ	5966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	1a	-
CDLL4910A	104.3100	RFQ	5271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4910		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V							12.8 v	50欧姆
JANS1N6487US	-	RFQ	2750	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
1N944	33.1350	RFQ	4354	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N944		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V							11.7 v	30欧姆
JANTX1N4480US	16.4550	RFQ	2600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4480		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1 V @ 200 MA		50 NA @ 34.4 V							43 V	40欧姆
1N5362AE3/TR12	2.6250	RFQ	6338	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5362		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		1.2 V @ 1 A		500 NA @ 20.1 V							28 V	6欧姆
1N4714ur-1	5.0850	RFQ	3461	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4714		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 100 ma		10 na @ 25 V							33 V
1N5531D-1	8.6850	RFQ	5913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V							11 V	80欧姆
JANS1N4476US	74.0850	RFQ	1009	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V							30 V	20欧姆
JANTXV1N2997RB	-	RFQ	9311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 2 A		10 µA @ 38.8 V							51 v	15欧姆
1N5931P/TR8	1.8600	RFQ	1972	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5931		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
SMBG5367C/TR13	2.8650	RFQ	1667年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5367		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V							43 V	20欧姆
JAN1N4496CUS	26.7600	RFQ	4837	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4496		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1 V @ 200 MA		250 NA @ 160 V							200 v	1500欧姆
1N5918AP/TR12	1.8600	RFQ	2215	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5918		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000		1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	4欧姆
SMBJ5949A/TR13	1.5600	RFQ	8206	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5949		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000		1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 76 V							100 v	250欧姆
JANTXV1N4467D	38.4450	RFQ	4713	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4467		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1 V @ 200 MA		200 na @ 9.6 V							12 v	7欧姆
CDLL971B	2.8650	RFQ	5779	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL971		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V							27 V	41欧姆
JANTXV1N3033D-1	36.2100	RFQ	2562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3033		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V							36 V	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²