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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JAN1N5526CUR-1/TR	32.9574	RFQ	4409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N555526CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 v	30欧姆
1月1N3998RA	-	RFQ	9943	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 2 V				6.2 v	1.1欧姆
JANTX1N6347DUS	57.9000	RFQ	4527	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTX1N6347DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
JANTX1N3024DUR-1/TR	41.5359	RFQ	1205	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3024DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
JANTXV1N972BUR-1	7.5600	RFQ	7185	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N972		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
1N4754PE3/TR12	0.9150	RFQ	8542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4754		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
Jan1n4583a-1/tr	8.1150	RFQ	9869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4583A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
JANTX1N759AUR-1/TR	3.9102	RFQ	6778	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N759AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	10欧姆
1N4134-1	2.4450	RFQ	3105	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V				91 v	1200欧姆
1N5623	7.2150	RFQ	3950	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5623	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.6 V @ 3 A	500 ns	500 NA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 12V，1MHz
1月1N5419	8.4300	RFQ	5002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5419	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
JANS1N6489	-	RFQ	7579	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N6489	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		4 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
Jan1n5546c-1	11.0400	RFQ	3462	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5546		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				33 V	100欧姆
1N5242	3.9150	RFQ	2149	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5242	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 8.7 V				12 v	30欧姆
1N3262	151.2750	RFQ	7074	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3262	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3262MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 150 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JAN1N4109DUR-1/TR	16.3058	RFQ	8233	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4109DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1N4752CP/TR12	2.2800	RFQ	3181	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4752		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
JANTXV1N4469CUS/TR	45.2850	RFQ	7418	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4469CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
MNS1N6318US/TR	18.3900	RFQ	5889	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-MNS1N6318US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V				5.6 v	8欧姆
Jan1n4977dus	29.4600	RFQ	5418	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4977		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
JAN1N758DUR-1	14.2500	RFQ	1451	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N758		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	17欧姆
Utr21/tr	9.4350	RFQ	7070	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-			到达不受影响	150-UTR21/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 500 mA	250 ns	3 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	80pf @ 0v，1MHz
SMAJ5928AE3/TR13	0.6450	RFQ	9637	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5928		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V				13 V	7欧姆
JANTXV1N4470CUS	45.1350	RFQ	2448	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4470CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
JANS1N4619-1	59.3250	RFQ	1561年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
CDLL4768	129.8250	RFQ	5919	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4768		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V				9.1 v	350欧姆
1N4733CPE3/TR12	1.1550	RFQ	4632	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4733		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1 PMT5937E3/TR13	0.7350	RFQ	8409	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V				33 V	33欧姆
1N5941PE3/TR8	0.9150	RFQ	1665年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5941		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67欧姆
1月1N5520BUR-1	14.4600	RFQ	4366	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5520		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²