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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
2N4931U4	82.5000	RFQ	2664	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N4931U4	Ear99	8541.29.0095	1																				250 v	200 MA	250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
CDLL5259A/TR	2.7132	RFQ	4714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5259A/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		100 na @ 30 V							39 v	80欧姆
APT77N60SC6	14.4500	RFQ	8181	微芯片技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT77N60	MOSFET （金属 o化物）		D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）
1N4254	16.2750	RFQ	4214	微芯片技术	MIL-PRF-19500/279	大部分	积极的				通过洞	S，轴向	1N4254	标准		S，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1500 v	3.5 V @ 100 ma		1 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	250mA	-
1N4122-1	2.4450	RFQ	1927年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4122		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V							36 V	200欧姆
JANTXV1N5544DUR-1/TR	55.0221	RFQ	5718	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5544DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V							28 V	100欧姆
UFR8780	148.2150	RFQ	8432	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-UFR8780	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												800 v	1 V @ 85 A	140 ns	30 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	85a	155pf @ 10V，1MHz
Jan1n5554us	9.9900	RFQ	5469	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，E	1N5554	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1000 v	1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	5a	-
1n4462us	11.3550	RFQ	7068	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a	1N4462		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4462USM	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		1 µA @ 4.5 V							7.5 v	2.5欧姆
SMBG5343C/TR13	2.8650	RFQ	4588	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5343		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.4 V							7.5 v	1.5欧姆
JANTX1N5543BUR-1	14.7600	RFQ	9223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V							25 v	100欧姆
SMBJ4760/TR13	0.8700	RFQ	1940年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4760		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V							68 v	150欧姆
JANTX2N5666S	-	RFQ	7478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
1N5285/tr	18.6900	RFQ	1726年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5285		475MW	do-7	-			到达不受影响	150-1N5285/tr			100																													100V	297µA	1V
UZ217	22.4400	RFQ	5796	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C		通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ217	Ear99	8541.10.0050	1
1N3879	47.0100	RFQ	2241	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3879	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3879MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	1.4 V @ 20 A	200 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	6a	115pf @ 10V，1MHz
JANTX1N4099-1/TR	4.5486	RFQ	3206	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4099-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V							6.8 v	200欧姆
JANTX1N4552B	-	RFQ	2496	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V							5.1 v	0.12欧姆
CDLL942/TR	13.2150	RFQ	3989	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL942/tr	Ear99	8541.10.0050	1																15 µA @ 8 V							11.7 v	30欧姆
JANTXV1N5545B-1/TR	8.2327	RFQ	9820	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5545B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V							30 V	100欧姆
APT12M80B	4.6550	RFQ	3904	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT12M80	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	800 v	13A（TC）	10V	800MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2470 pf @ 25 V	-	335W（TC）
JANS1N6320D	350.3400	RFQ	8921	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6320D	Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V							6.8 v	3欧姆
1N6022UR-1/TR	3.7400	RFQ	8488	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264														1.1 V @ 200 ma									82 v
JANTX1N6316US/TR	-	RFQ	8568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	17欧姆
1N1183R	75.5700	RFQ	1631年	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1183	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1183RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												50 V	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	40a	-
HS2222a	8.7514	RFQ	8032	微芯片技术	*	大部分	积极的						HS2222				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1
UZ7806	468.9900	RFQ	5464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C		螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7806	Ear99	8541.10.0050	1																1 mA @ 4.9 V							6.8 v	0.6欧姆
1N5730B	1.8600	RFQ	5823	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5730		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V							5.6 v	25欧姆
1 PMT5936C/TR13	2.7600	RFQ	6286	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V							30 V	28欧姆
JANTXV1N6491CUS/TR	-	RFQ	2090	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载				150-JANTXV1N6491CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V							5.6 v	5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²