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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N3514A	2.4900	RFQ	1500	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3514		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma									6.8 v	3欧姆
1N2807A	94.8900	RFQ	8900	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2807		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V							9.1 v	0.5欧姆
HSM3100GE3/TR13	1.0200	RFQ	2821	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	HSM3100	肖特基		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	810 MV @ 3 A		100 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANTX2N4238	40.5517	RFQ	4486	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/581	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4238		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									60 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JANTXV1N5545B-1	9.1200	RFQ	4702	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5545		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V							30 V	100欧姆
Jan1n4992dus/tr	46.8450	RFQ	6171	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4992DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V							270 v	800欧姆
JAN2N3634	10.5070	RFQ	2468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3634		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
1N756A-1	2.1600	RFQ	6537	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N756		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							8.2 v	8欧姆
JANTXV1N3912AR	-	RFQ	4742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 50 A	150 ns		-65°C〜150°C	50a	-
JANTX1N6487D	-	RFQ	8198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
1N3154UR-1	8.2950	RFQ	8776	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）	1N3154		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V							8.8 v	15欧姆
2N6514	78.7200	RFQ	4211	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			120 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6514	Ear99	8541.29.0095	1									300 v	7 a	-			PNP	-	-	-
SMBJ5936A/TR13	1.5600	RFQ	9405	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5936		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V							30 V	28欧姆
2N4901	45.1535	RFQ	8075	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4901				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
1N5266BUR-1	3.5850	RFQ	9753	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5266		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 52 V							68 v	230欧姆
JANTXV2N1717	-	RFQ	2802	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1									100 v	750 MA	-			NPN	-	-	-
Jan1n4114ur-1	5.7000	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4114			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V							20 v	150欧姆
2N6510	78.7200	RFQ	3086	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			120 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6510	Ear99	8541.29.0095	1									200 v	7 a	-			NPN	-	-	-
JANS1N4483D	258.8850	RFQ	4931	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V							56 v	70欧姆
1N5969	21.1000	RFQ	71	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N5969		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V							6.2 v
Jan1n6642ub	20.6700	RFQ	3376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N6642	标准		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1N4135ur/tr	3.3900	RFQ	9364	微芯片技术	MIL-STD-750	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N4135ur/tr	Ear99	8541.10.0050	291			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V							100 v	1500欧姆
Jan1n5539b-1/tr	5.0407	RFQ	7922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V							19 v	100欧姆
JANTXV1N4478C	30.7500	RFQ	5946	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4478		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 NA @ 28.8 V							36 V	27欧姆
CDLL4899	116.7900	RFQ	6661	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4899		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V							12.8 v	400欧姆
1N4755P/TR8	-	RFQ	1550	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4755		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V							43 V	70欧姆
1 PMT4102C/TR13	1.2450	RFQ	3526	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.61 V							8.7 v	200欧姆
CDLL5268A	3.5850	RFQ	2829	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5268		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 62 V							82 v	330欧姆
CDLL4715C	6.6150	RFQ	1764年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4715C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.3 V							36 V
1N2835RB	96.0150	RFQ	4638	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2835		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 56 V							75 v	9欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²