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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N4570A-1	6.5400	RFQ	5282	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										2 µA @ 3 V	6.4 v	100欧姆
Jan1n4495	9.5100	RFQ	1445	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4495		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1 V @ 200 MA	250 NA @ 144 V	180 v	1300欧姆
JANTX1N964D-1	7.0800	RFQ	4683	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N964		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 9.9 V	13 V	13欧姆
Jan1n3018bur-1	12.7350	RFQ	6225	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3018		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.2 V @ 200 ma	150 µA @ 5.2 V	8.2 v	4.5欧姆
1N729A	1.9200	RFQ	1010	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N729		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											43 V	84欧姆
1N4904A	24.3600	RFQ	8327	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4904		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											12.8 v	100欧姆
JANTXV1N935B-1	-	RFQ	5550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										10 µA @ 6 V	9 V	20欧姆
JANTX1N4119UR-1	-	RFQ	8454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.3 V	28 V	200欧姆
JAN1N5539CUR-1/TR	25.7887	RFQ	4610	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	10 na @ 17.1 V	19 v	100欧姆
1N4745P/TR12	1.8600	RFQ	5301	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000									1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 12.2 V	16 V	16欧姆
JANTXV1N4956	10.1250	RFQ	7341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4956		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.5 V @ 1 A	50 µA @ 6.2 V	8.2 v	1.5欧姆
1n6018ur	3.5850	RFQ	3530	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6018				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
APTM50HM65FT3G	154.6200	RFQ	2746	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	390W	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）	500V	51a	78MOHM @ 25.5A，10V	5V @ 2.5mA	140NC @ 10V	7000pf @ 25V	-
1N5355C/TR8	3.3900	RFQ	6695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000									1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13 V	18 V	2.5欧姆
1 PMT5933B/TR7	2.2200	RFQ	1819年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000									1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 16.7 V	22 v	17.5欧姆
JANTXV1N6335	14.6700	RFQ	4751	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6335		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.4 V @ 1 A	50 na @ 23 V	30 V	32欧姆
JANTX1N6318	-	RFQ	4594	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.4 V @ 1 A	5 µA @ 2.5 V	5.6 v	8欧姆
JANS1N4480	83.8650	RFQ	3766	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.5 V @ 1 A	50 NA @ 34.4 V	43 V	40欧姆
1N5988B	3.0900	RFQ	2871	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5988		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5988BMS	Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V	3.3 v	95欧姆
1N731	1.9200	RFQ	5265	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N731		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											51 v	115欧姆
1N4127	2.4450	RFQ	4795	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N4127				下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4622-1	5.7750	RFQ	8735	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4622		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 2 V	3.9 v	1650年
SMBJ5929A/TR13	1.5600	RFQ	1391	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5929		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000									1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 11.4 V	15 v	9欧姆
JANTX1N4491US	14.3550	RFQ	2395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.5 V @ 1 A	250 NA @ 96 V	120 v	400欧姆
1 PMT5936/TR7	2.2200	RFQ	3482	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000									1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V	30 V	28欧姆
1月1N3157-1	-	RFQ	8204	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.5 V @ 2 A	10 µA @ 5.5 V	8.8 v	15欧姆
SMBJ5931C/TR13	2.0850	RFQ	8629	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5931		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000									1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 13.7 V	18 V	12欧姆
CDLL5232	2.8650	RFQ	8609	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5232		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 3 V	5.6 v	11欧姆
SMBJ5362B/TR13	1.6650	RFQ	7002	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5362		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000									1.2 V @ 1 A	500 NA @ 20.1 V	28 V	6欧姆
JANS1N4116-1	33.7800	RFQ	6605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18.3 V	24 V	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²