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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N756A-1	2.1600	RFQ	6537	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N756		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							8.2 v	8欧姆
CDLL5268A	3.5850	RFQ	2829	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5268		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 62 V							82 v	330欧姆
CDLL4715C	6.6150	RFQ	1764年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4715C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.3 V							36 V
1N5230BE3	2.8950	RFQ	2920	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 2 V							4.7 v	19欧姆
2N6212	39.5010	RFQ	1666年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6212		3 W	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1									300 v	2 a	5mA			PNP	1.6V @ 125mA，1a	30 @ 1A，5V	-
JANS1N6311	-	RFQ	4864	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
JANTXV1N4486US/TR	15.6275	RFQ	9000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4486US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 60 V							75 v	130欧姆
1N938-1E3	9.9150	RFQ	9161	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N938-1E3	Ear99	8541.10.0050	1												9 V	20欧姆
JANS1N6661	-	RFQ	3794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	225 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	500mA	-
Jan1n4976dus	29.4600	RFQ	6354	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4976		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V							56 v	35欧姆
JANTXV1N6310CUS	54.8400	RFQ	8976	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6310		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
1N4743AP/TR8	1.8900	RFQ	3127	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4743		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V							13 V	10欧姆
JANTX1N971C-1/TR	5.8121	RFQ	9291	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N971C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 21 V							27 V	41欧姆
JANSM2N222222aub/tr	101.2804	RFQ	5582	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSM2N222222AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1									50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
CDLL4767/tr	113.2800	RFQ	9394	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4767/tr	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 6 V							9.1 v	350欧姆
1N2804RB	96.0150	RFQ	9393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2804		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		150 µA @ 4.5 V							6.8 v	0.2欧姆
1N1126A	38.3850	RFQ	2063	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1126	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3.3a	-
1月1N4579AR-1	30.2700	RFQ	9123	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4579		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	50欧姆
1n3611us/tr	8.4150	RFQ	2892	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	下载			到达不受影响	150-1N3611US/TR	Ear99	8541.10.0080	113	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 1 A		1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
CD4623V	4.1550	RFQ	7250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD4623V	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		4 µA @ 2 V							4.3 v	1600欧姆
2N335AT2	65.1035	RFQ	2228	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N335				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX1N4134-1	5.3100	RFQ	7114	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4134		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 69.2 V							91 v	1200欧姆
JANS1N4127UR-1	48.9900	RFQ	8912	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V							56 v	300欧姆
CDLL5531	6.4800	RFQ	6051	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5531		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 9 V							11 V	80欧姆
1N4565-1	3.2100	RFQ	5608	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4565		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	200欧姆
jankccm2n3498	-	RFQ	4136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCM2N3498			100									100 v	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
Jan1n5539b-1/tr	5.0407	RFQ	7922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5539B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V							19 v	100欧姆
SMBG5363B/TR13	2.2500	RFQ	8222	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5363		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 21.6 V							30 V	8欧姆
JANTXV1N6910UTK2	-	RFQ	9368	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6910UTK2	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）	15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
1N4150ur-1/tr	1.4000	RFQ	9975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	1N4150	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	676	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²