RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANS1N5294UR-1/TR	130.3050	RFQ	9980	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5294UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																													100V	825µA	1.2V
JANS1N6322C	280.2750	RFQ	1709年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6322C	Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V							8.2 v	5欧姆
JANTX1N941B-1	-	RFQ	8035	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																15 µA @ 8 V							11.7 v	30欧姆
1N4695ur-1/tr	5.2400	RFQ	8262	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186														1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 6.6 V							8.7 v
R504120T	158.8200	RFQ	8038	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-R504120T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	300A	-
2N6297	27.2384	RFQ	6361	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6297				-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
JANS1N4977CUS/TR	368.3100	RFQ	5196	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4977CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V							62 v	42欧姆
JANTX2N918	10.9193	RFQ	2767	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N918				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q10433412	Ear99	8541.21.0095	1
Jan1n4481us	10.8150	RFQ	9292	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，a	1N4481		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		50 NA @ 37.6 V							47 V	50欧姆
JANTX1N3038DUR-1	46.6950	RFQ	4377	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3038		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V							56 v	110欧姆
JANTXV1N4113-1/TR	8.1662	RFQ	1346	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4113-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V							19 v	150欧姆
1月1N2984RB	-	RFQ	8745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 2 A		10 µA @ 15.2 V							20 v	4欧姆
1N3899R	48.5400	RFQ	3917	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3899	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV2N6546	-	RFQ	8825	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/525	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			175 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	15 a	-			NPN	5V @ 3a，15a	12 @ 5A，2V	-
APT8043SFLLG	20.3800	RFQ	6199	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT8043	MOSFET （金属 o化物）		D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	800 v	20A（TC）		430mohm @ 10a，10v	5V @ 1mA	85 NC @ 10 V		2500 PF @ 25 V	-
1 PMT4131C/TR13	1.2450	RFQ	2812	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V							75 v	250欧姆
JANS1N6319CUS/TR	314.5218	RFQ	3297	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6319CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V							6.2 v	3欧姆
JANTXV1N4476DUS/TR	56.5650	RFQ	8439	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4476DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V							30 V	20欧姆
DN2535N5-G	1.6900	RFQ	162	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	DN2535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	350 v	500mA（TJ）	0V	25ohm @ 120mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	15W（TC）
JANTXV1N6355US/TR	-	RFQ	8603	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载				150-JANTXV1N6355US/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		50 NA @ 152 V							200 v	1800欧姆
1 PMT5947/TR13	2.2200	RFQ	5937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V							82 v	160欧姆
CDLL5524D/TR	16.3950	RFQ	1470	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5524D/tr	Ear99	8541.10.0050	100														1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
1N3662	41.6850	RFQ	9164	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3662	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												300 v	1.1 V @ 35 A		10 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	35a	-
MSASC75H30FX/TR	-	RFQ	3378	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-			到达不受影响	150-MSASC75H30FX/TR			100
1N5935CP/TR12	2.2800	RFQ	1815年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5935		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V							28 V	23欧姆
JANTX1N4481D	36.6000	RFQ	5245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		50 NA @ 37.6 V							47 V	50欧姆
1N4752AE3	3.3300	RFQ	6628	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4752AE3	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V							33 V	45欧姆
1N3155A	15.7600	RFQ	156	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3155		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
JANTXV1N4115CUR-1	32.7450	RFQ	3515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4115		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V							22 v	150欧姆
1N5537D/tr	5.8650	RFQ	3733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5537D/tr	Ear99	8541.10.0050	161														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V							17 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²