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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N5524	1.8150	RFQ	2005	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5524	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3 V							5.6 v
S34140	39.0750	RFQ	6143	微芯片技术	S34	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	S341	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1400 v	1.15 V @ 90 A		10 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	45a	-
90024-06TXV	-	RFQ	6040	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3				TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
CDLL5985	2.2950	RFQ	9893	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	CDLL5985		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma									2.4 v
90024-04TXV	-	RFQ	7664	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3				TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
SMBG5349B/TR13	2.2500	RFQ	3931	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5349		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 A		2 µA @ 8.6 V							12 v	2.5欧姆
JAN1N4982DUS/TR	36.0900	RFQ	5415	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4982DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 76 V							100 v	110欧姆
5822SMGE3/TR13	0.8100	RFQ	5928	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	5822SMGE3	肖特基		do-215ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	500 mv @ 3 a		1.5 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
2N5882	41.7354	RFQ	6033	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5882				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV1N5533BUR-1/TR	17.2900	RFQ	4562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5533BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V							13 V	90欧姆
CDLL5280B	3.1350	RFQ	9355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5280			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V							190 v	2400欧姆
2N3440L	26.6665	RFQ	5504	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3440		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				250 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JAN1N6316DUS	48.9150	RFQ	5594	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	17欧姆
2N4280	12.0750	RFQ	8822	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N4280			1
APTM10DAM02G	234.3620	RFQ	3308	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10	MOSFET （金属 o化物）		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	495a（TC）	10V	2.5MOHM @ 200a，10v	4V @ 10mA	1360 NC @ 10 V	±30V	40000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
JAN2N5153	-	RFQ	9812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N2904AL	12.8079	RFQ	3422	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2904		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA	1µA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
Jan1n3026b-1/tr	6.9160	RFQ	1530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3026B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V							18 V	20欧姆
1 PMT5928E3/TR13	0.7350	RFQ	8066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V							13 V	7欧姆
JANTX1N3029CUR-1	37.3500	RFQ	8023	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3029		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V							24 V	25欧姆
JANTXV2N6675	177.2092	RFQ	1979年	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6675				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
UZ7818	468.9900	RFQ	3946	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7818	Ear99	8541.10.0050	1																20 µA @ 12.9 V							18 V	3.5欧姆
1N4463US	11.4600	RFQ	4380	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4463USMS	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		500 NA @ 4.92 V							8.2 v	3欧姆
JANTX1N4110UR-1/TR	8.6849	RFQ	4696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4110UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.15 V							16 V	100欧姆
CDLL4371A	5.9550	RFQ	6084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4371		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
JANTX2N1715	-	RFQ	4107	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				100 v	750 MA	-			NPN	-	-	-
CD4750A	1.8354	RFQ	3903	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4750A	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma		100 na @ 20.6 V							27 V	35欧姆
1N4148UB2R	27.0900	RFQ	1818年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅	1N4148	标准		UB2	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N4742ur/tr	3.6150	RFQ	6201	微芯片技术	MIL-PRF-19500	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-1N4742ur/tr	Ear99	8541.10.0050	272														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V							22 v	29欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²