电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N2837B | 94.8900 | ![]() | 4183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2837 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 15欧姆 | |||||||||
![]() | UES2603HR2 | 92.0250 | ![]() | 9521 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 标准 | TO-3 | - | 不适用 | 到达不受影响 | 2266-ues2603hr2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 930 MV @ 15 A | 35 ns | -55°C 〜175°C | 30a | - | |||||||||
![]() | 1N5344/TR12 | 2.6250 | ![]() | 9321 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5344 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | |||||||||
1月1N4967 | 5.8950 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4967 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5欧姆 | |||||||||||
![]() | 1N5279B | 3.1200 | ![]() | 7666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5279 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N5279BMS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 NA @ 137 V | 180 v | 2200欧姆 | ||||||||
![]() | S37100 | 56.4750 | ![]() | 1408 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | S37100 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.15 V @ 85 A | 25 µA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 85a | - | |||||||||
![]() | JANS1N4100DUR-1 | 148.5300 | ![]() | 7908 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 v | 200欧姆 | |||||||||||
JANTX1N4626-1 | 6.2000 | ![]() | 448 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4626 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N2985RB | - | ![]() | 3765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N2982RB | - | ![]() | 6706 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 4欧姆 | |||||||||||
JANTX1N759A-1 | 2.3850 | ![]() | 6603 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N759 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9 V | 12 v | 10欧姆 | ||||||||||
CDLL5520B | 6.4800 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5520 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22欧姆 | ||||||||||
![]() | 1月1N976BUR-1 | 4.4400 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N976 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 33 V | 43 V | 93欧姆 | |||||||||
![]() | CDS5297-1/tr | - | ![]() | 4733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | CDS52 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5297-1/tr | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMAJ5936E3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SMAJ5936 | 3 W | DO-214AC(SMAJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4741P/TR12 | 1.8600 | ![]() | 1042 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4741 | 1 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8欧姆 | |||||||||
![]() | 1N6486US | 13.8900 | ![]() | 7755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6486 | 1.5 w | a,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | ||||||||||
![]() | Jan1n6633d | - | ![]() | 4288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | E,轴向 | 5 w | E,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | |||||||||||
JANTX1N749D-1 | 7.3200 | ![]() | 2955 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N749 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N5356AE3/TR12 | - | ![]() | 3429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5356 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13.7 V | 19 v | 3欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N5541BUR-1 | 14.7600 | ![]() | 9114 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5541 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19.8 V | 22 v | 100欧姆 | |||||||||
![]() | JANTXV1N3028CUR-1 | 46.1250 | ![]() | 1891年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3028 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 16.7 V | 22 v | 23欧姆 | |||||||||
![]() | 1N5934AE3/TR13 | - | ![]() | 6109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N5934 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19欧姆 | |||||||||
JAN1N3045B-1 | 9.2700 | ![]() | 7747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3045 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N3334RB | - | ![]() | 2952 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 42.6 V | 56 v | 6欧姆 | |||||||||||
CDLL5253 | 2.8650 | ![]() | 4743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5253 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N2973B | - | ![]() | 7670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/124 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 10 W | DO-213AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||||||||||
JAN1N4125C-1 | 10.5000 | ![]() | 3210 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4125 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250欧姆 | |||||||||||
JANTXV1N6316C | 36.0300 | ![]() | 3441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6316 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 17欧姆 | |||||||||||
![]() | SMAJ5932BE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | SMAJ5932 | 3 W | DO-214AC(SMAJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 v | 14欧姆 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库