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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
Jan1n757dur-1	14.2500	RFQ	1833年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N757		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V							9.1 v	10欧姆
JANTXV1N6326D	45.0600	RFQ	4162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6326D	Ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V							12 v	7欧姆
SMBG5355C/TR13	2.8650	RFQ	1998	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5355		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V							18 V	2.5欧姆
1N4943	6.4050	RFQ	4306	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N4943	Ear99	8541.10.0080	1
1N3006A	36.9900	RFQ	6412	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3006		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V							105 v	45欧姆
1月1N3957	6.2400	RFQ	5137	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/228	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N3957	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											1000 v	1.1 V @ 1 A		100 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N3213	65.8800	RFQ	7595	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3213	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3213MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											500 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JAN1N6490DUS	-	RFQ	3554	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
1N4751CP/TR8	2.2800	RFQ	1783年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4751		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V							30 V	40欧姆
JANTXV1N4486US/TR	15.6275	RFQ	9000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4486US/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 MA		250 na @ 60 V							75 v	130欧姆
JANTXV2N3867U4	172.9000	RFQ	6545	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	3 a	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JANTXV2N3867	-	RFQ	2542	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	3 ma	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JANS1N4099D-1/TR	94.7100	RFQ	3768	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4099D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V							6.8 v	200欧姆
2N3762	27.5443	RFQ	5466	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			40 V	1.5 a	10µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	30 @ 1A，1.5V	-
Jan1n4995us/tr	-	RFQ	5914	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4995US/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V							360 v	1400欧姆
JANSD2N3500L	41.5800	RFQ	6222	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSD2N3500L			1																			150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTXV1N6912UTK2/TR	521.7750	RFQ	9039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6912UTK2/TR	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）											45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
JANS1N4573AUR-1	81.7500	RFQ	2311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	100欧姆
1N4942	5.0700	RFQ	6688	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4942	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	45pf @ 12V，1MHz
JANTXV1N6332US/TR	22.6800	RFQ	7440	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6332US/TR	Ear99	8541.10.0050	100													1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V							22 v	20欧姆
JANS1N4471US	-	RFQ	5269	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V							18 V	11欧姆
1N2491	44.1600	RFQ	1581年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2491	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											50 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	6a	-
JANTXV1N4554B	-	RFQ	4852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 A		20 µA @ 2 V							5.1 v	0.14欧姆
1 PMT5926C/TR7	-	RFQ	4842	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	5.5欧姆
SMBG5374A/TR13	2.2200	RFQ	5005	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5374		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A		500 NA @ 54 V							75 v	45欧姆
CD4744A	1.8354	RFQ	6417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4744A	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11.4 V							15 v	14欧姆
CDLL5277/tr	3.7800	RFQ	7971	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5277/tr	Ear99	8541.10.0050	250													1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V							160 v	1700欧姆
JANTX2N5666S	-	RFQ	7478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
LND150K1-G	0.5000	RFQ	42	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LND150	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	500 v	13ma（tj）	0V	1000OHM @ 500µA，0V	-	±20V	10 pf @ 25 V	耗尽模式	360MW（TA）
1N3034BUR-1/TR	15.4500	RFQ	2877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	100													1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V							39 v	60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²