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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N2837B Microchip Technology 1N2837B 94.8900
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2837 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 69.2 V 91 v 15欧姆
UES2603HR2 Microchip Technology UES2603HR2 92.0250
RFQ
ECAD 9521 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-204AA,TO-3 标准 TO-3 - 不适用 到达不受影响 2266-ues2603hr2 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 930 MV @ 15 A 35 ns -55°C 〜175°C 30a -
1N5344/TR12 Microchip Technology 1N5344/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9321 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5344 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 10 µA @ 5.9 V 8.2 v 1.5欧姆
JAN1N4967 Microchip Technology 1月1N4967 5.8950
RFQ
ECAD 7765 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4967 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
1N5279B Microchip Technology 1N5279B 3.1200
RFQ
ECAD 7666 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5279 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1N5279BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 137 V 180 v 2200欧姆
S37100 Microchip Technology S37100 56.4750
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 S37100 标准 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.15 V @ 85 A 25 µA @ 1000 V -65°C 〜200°C 85a -
JANS1N4100DUR-1 Microchip Technology JANS1N4100DUR-1 148.5300
RFQ
ECAD 7908 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
JANTX1N4626-1 Microchip Technology JANTX1N4626-1 6.2000
RFQ
ECAD 448 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4626 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 5.6 v 1400欧姆
JANTX1N2985RB Microchip Technology JANTX1N2985RB -
RFQ
ECAD 3765 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JANTXV1N2982RB Microchip Technology JANTXV1N2982RB -
RFQ
ECAD 6706 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 13.7 V 18 V 4欧姆
JANTX1N759A-1 Microchip Technology JANTX1N759A-1 2.3850
RFQ
ECAD 6603 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N759 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 9 V 12 v 10欧姆
CDLL5520B Microchip Technology CDLL5520B 6.4800
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5520 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 1 V 3.9 v 22欧姆
JAN1N976BUR-1 Microchip Technology 1月1N976BUR-1 4.4400
RFQ
ECAD 8437 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N976 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 33 V 43 V 93欧姆
CDS5297-1/TR Microchip Technology CDS5297-1/tr -
RFQ
ECAD 4733 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 CDS52 - 到达不受影响 150-CDS5297-1/tr 50
SMAJ5936E3/TR13 Microchip Technology SMAJ5936E3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAJ5936 3 W DO-214AC(SMAJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28欧姆
1N4741P/TR12 Microchip Technology 1N4741P/TR12 1.8600
RFQ
ECAD 1042 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4741 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 8.4 V 11 V 8欧姆
1N6486US Microchip Technology 1N6486US 13.8900
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1N6486 1.5 w a,平方米 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
JAN1N6633D Microchip Technology Jan1n6633d -
RFQ
ECAD 4288 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 E,轴向 5 w E,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 µA @ 1 V 3.6 v 2.5欧姆
JANTX1N749D-1 Microchip Technology JANTX1N749D-1 7.3200
RFQ
ECAD 2955 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N749 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
1N5356AE3/TR12 Microchip Technology 1N5356AE3/TR12 -
RFQ
ECAD 3429 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5356 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13.7 V 19 v 3欧姆
JANTX1N5541BUR-1 Microchip Technology JANTX1N5541BUR-1 14.7600
RFQ
ECAD 9114 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 1N5541 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19.8 V 22 v 100欧姆
JANTXV1N3028CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N3028CUR-1 46.1250
RFQ
ECAD 1891年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3028 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 16.7 V 22 v 23欧姆
1N5934AE3/TR13 Microchip Technology 1N5934AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5934 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 18.2 V 24 V 19欧姆
JAN1N3045B-1 Microchip Technology JAN1N3045B-1 9.2700
RFQ
ECAD 7747 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3045 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 v 450欧姆
JANTX1N3334RB Microchip Technology JANTX1N3334RB -
RFQ
ECAD 2952 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 42.6 V 56 v 6欧姆
CDLL5253 Microchip Technology CDLL5253 2.8650
RFQ
ECAD 4743 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5253 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
JANTX1N2973B Microchip Technology JANTX1N2973B -
RFQ
ECAD 7670 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 10 W DO-213AA(DO-4) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
JAN1N4125C-1 Microchip Technology JAN1N4125C-1 10.5000
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4125 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 35.8 V 47 V 250欧姆
JANTXV1N6316C Microchip Technology JANTXV1N6316C 36.0300
RFQ
ECAD 3441 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6316 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 17欧姆
SMAJ5932BE3/TR13 Microchip Technology SMAJ5932BE3/TR13 0.6450
RFQ
ECAD 2398 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SMAJ5932 3 W DO-214AC(SMAJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 15.2 V 20 v 14欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库