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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | （amp） | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 噪音图 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -测试 | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4526 | 62.1150 |  | 2734 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 1N4526 | 标准 | DO-203AB（DO-5） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV1N5313-1/TR | 36.5700 | | 6338 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5313 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5313-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5313ur-1/tr | 21.9800 | | 6764 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 100V | 4.73mA | 2.75V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CDLL5288/tr | 25.2900 | | 6937 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5288/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 429µA | 1.05V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N5287UR-1/TR | 38.4300 | | 7056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5287 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5287UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6306 | - | | 9382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab，do-5，螺柱 | 标准 | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 150 v | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 70a | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N4109DUR-1/TR | 16.3058 | | 8233 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA（） | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4109DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 11.4 V | 15 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANS1N4113UR-1 | 48.9900 | | 6975 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TA） | 表面安装 | DO-213AA（） | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 14.5 V | 19 v | 150欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n4616 | 6.0914 | | 7174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500兆 | DO-7（do-204AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n4616 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 4 µA @ 1 V | 2.2 v | 1300欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n757a-1/tr | 1.9418 | | 5899 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 通过洞 | DO-204AH，DO-35，轴向 | 500兆 | DO-35（do-204AH） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N757A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ARF466FL | 148.7910 | | 6881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 1000 v | - | ARF466 | 40.68MHz | MOSFET | T3 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | n通道 | 13a | 150W | 16dB | - | 150 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMAJ4755CE3/TR13 | 0.6450 | | 9360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac，SMA | SMAJ4755 | 2 w | DO-214AC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF460BG | 56.6600 | | 8272 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 500 v | TO-247-3 | ARF460 | 40.68MHz | MOSFET | TO-247CS | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 30 | n通道 | 14a | 50 mA | - | 15DB | - | 125 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CD5301 | 19.4400 | | 3036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | CD530 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD5301 | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV1N3295R | - | | 2501 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa，do-8，螺柱 | 标准 | DO-205AA（DO-8） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1.55 V @ 310 A | 10 mA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N5295-1/TR | 34.1550 | | 6696 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5295 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5295-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 902µA | 1.25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SMBJ4742A/TR13 | 0.8850 | | 2959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA，SMB | SMBJ4742 | 2 w | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 v | 9欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDS5300UR-1/tr | - | | 6661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | CDS53 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5300UR-1/tr | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N5314-1/TR | 32.2200 | | 1653 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5314 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5314-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5301 | 18.6000 | | 9245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜175°C | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5301 | 475MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5301 | 1 | 100V | 1.54mA | 1.55V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DN2540N5-G | 1.7600 | | 495 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | DN2540 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 400 v | 500mA（TJ） | 0V | 25ohm @ 120mA，0v | - | ±20V | 300 pf @ 25 V | 耗尽模式 | 15W（TC） | |||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5305/tr | 25.2900 | | 1012 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL53 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5305/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 2.2mA | 1.85V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jan1n5314ur-1/tr | 36.8400 | | 1944年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1N5314 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5314UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 5.17mA | 2.9V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n5283 | - | | 8225 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Janhca1n5283 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 242µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jankca1n5287 | - | | 8195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/463 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 500MW | do-7 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANKCA1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5287/tr | 18.7950 | | 5800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N5287/tr | 100 | 100V | 363µA | 1V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5287 | 18.6000 | | 8711 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | - | 通过洞 | do-204aa，do-7，轴向 | 1N5287 | 500MW | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5287 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 100V | 363µA | 1V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL5289/tr | 25.2900 | | 4104 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL52 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5289/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 100V | 473µA | 1.05V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N3051B-1 | - | | 5141 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDLL251/TR | 28.5000 | | 6317 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | - | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | CDLL25 | 500MW | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 到达不受影响 | 150-CDLL251/tr | 100 | 80V | 6.16mA | 4.03V |
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标准产品单位
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