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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N4748PE3/TR12	0.9150	RFQ	1845年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4748		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000													1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 16.7 V							22 v	23欧姆
89100-02TX	-	RFQ	3587	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																				-			-	-	-	-
JANS2N4029	145.2008	RFQ	5717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		80 V	1 a	10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
2N4233	35.1253	RFQ	2288	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4233				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N2222AL	7.5943	RFQ	1013	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222		500兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6327	418.4180	RFQ	3910	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	30 a	-			PNP	-	-	-
1N5828	46.1100	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	1N5828MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											40 V	870 mv @ 40 a	10 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	15a	-
APL502B2G	55.1100	RFQ	7624	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APL502	MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	58A（TC）	15V	90mohm @ 29a，12v	4V @ 2.5mA	±30V	9000 PF @ 25 V	-	730W（TC）
SMAJ5936E3/TR13	0.6450	RFQ	4604	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5936		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500													1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V							30 V	28欧姆
CDLL4910A	104.3100	RFQ	5271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4910		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														15 µA @ 8 V							12.8 v	50欧姆
1N721A	1.9200	RFQ	4999	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N721		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					20 v	20欧姆
JANTXV1N6335	14.6700	RFQ	4751	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6335		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 A	50 na @ 23 V							30 V	32欧姆
JANTX1N6318	-	RFQ	4594	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 A	5 µA @ 2.5 V							5.6 v	8欧姆
1N4741P/TR12	1.8600	RFQ	1042	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4741		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000													1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
BZV55C4V7	2.9400	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C4V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 2 V							4.7 v
1N5922D	7.5450	RFQ	2912	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5922		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 6 V							7.5 v	3欧姆
CDLL3036B	15.3000	RFQ	2458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3036		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 35.8 V							47 V	80欧姆
JANTXV1N6355US	-	RFQ	4088	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 A	50 NA @ 152 V							200 v	1800欧姆
1N4687UR-1	5.0850	RFQ	8330	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4687		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 100 ma	4 µA @ 2 V							4.3 v
1N6486US	13.8900	RFQ	7755	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a	1N6486		1.5 w	a，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A	50 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
JANTX1N4491US	14.3550	RFQ	2395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A	250 NA @ 96 V							120 v	400欧姆
Jan1n3824aur-1/tr	12.4355	RFQ	2037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3824AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V							4.3 v	9欧姆
SMBG5367C/TR13	2.8650	RFQ	1667年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5367		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A	500 na @ 31 V							43 V	20欧姆
JAN1N4496CUS	26.7600	RFQ	4837	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4496		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1 V @ 200 MA	250 NA @ 160 V							200 v	1500欧姆
1N4737CP/TR8	2.2800	RFQ	9451	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4737		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500													1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 5 V							7.5 v	4欧姆
JANTX1N2973B	-	RFQ	7670	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 2 A	25 µA @ 6.9 V							9.1 v	2欧姆
1 PMT5930CE3/TR13	0.7350	RFQ	1999	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 12.2 V							16 V	10欧姆
SMBJ5362B/TR13	1.6650	RFQ	7002	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5362		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A	500 NA @ 20.1 V							28 V	6欧姆
1 PMT5933AE3/TR13	-	RFQ	2192	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000													1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 16.7 V							22 v	17.5欧姆
SMBJ5353A/TR13	1.6350	RFQ	2570	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5353		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000													1.2 V @ 1 A	1 µA @ 11.5 V							16 V	2.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²