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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N3498U4	-	RFQ	4647	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											100 v	500 MA	50NA（iCBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10v	-
CDLL3154A/TR	6.8400	RFQ	9280	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3154A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
JAN1N4107DUR-1/TR	16.3058	RFQ	2774	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4107DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V							13 V	200欧姆
1N5370AE3/TR8	2.6250	RFQ	7417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V							56 v	35欧姆
JANTX1N3021CUR-1	37.3500	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
JANTXV1N4475C	31.6350	RFQ	2615	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4475		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V							27 V	18欧姆
JANTXV1N2823RB	-	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2823		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 22.8 V							30 V	3欧姆
jankca1n5542c	-	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5542C	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V							24 V	100欧姆
JANS1N823-1/TR	125.9550	RFQ	8208	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N823-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V							6.2 v	15欧姆
JANTX1N5524B-1/TR	5.3865	RFQ	4710	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5524B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
JANTXV1N4624-1	-	RFQ	2347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							4.7 v	1550年
JANTXV1N3033BUR-1	18.0150	RFQ	5799	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3033		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 27.4 V							36 V	50欧姆
jankccr2n5151	-	RFQ	2472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JankCCR2N5151	Ear99	8541.29.0095	1											80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANS2N3501U4	-	RFQ	6472	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											150 v	300 MA	50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
S16-4148/TR7	3.9150	RFQ	3365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	S16-4148	标准		16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	8独立	75 v	400mA（DC）	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-55°C〜150°C
JANTX1N6642US	7.2750	RFQ	9517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1N6931UTK1AS	259.3500	RFQ	8628	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6931UTK1AS			1
JANTX1N44483C	18.9300	RFQ	1581年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4483		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 na @ 44.8 V							56 v	70欧姆
SMBJ5914AE3/TR13	0.8850	RFQ	1553	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5914		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V							3.6 v	9欧姆
1N3020B-1/tr	7.4214	RFQ	4005	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3020B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V							10 v	7欧姆
JAN1N4126DUR-1	27.9150	RFQ	5057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4126			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V							51 v	300欧姆
1N4754AE3	-	RFQ	5394	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	1N4754			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1N4754AE3MS	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N962DUR-1	24.2250	RFQ	1176	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N962		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	9.5欧姆
JANTX1N5618/TR	5.1450	RFQ	2334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5618/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JAN1N3022CUR-1	32.5950	RFQ	5755	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3022		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
1月1N989CUR-1/TR	-	RFQ	9500	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载				150-JAN1N989CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V							150 v	1500欧姆
JAN1N6337DUS	43.0800	RFQ	5560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	包	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6337		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响	JAN1N6337DUSMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V							36 V	50欧姆
S50480	158.8200	RFQ	5064	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-S50480	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	300A	-
S4205T	102.2400	RFQ	2806	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S4205T			1
JANTX1N4130C-1/TR	12.1695	RFQ	7908	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4130C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V							68 v	700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²