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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SBR8040	131.4300	RFQ	4951	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									40 V		740 mv @ 80 a			-65°C〜175°C	80a	-
1N3157ur-1/tr	62.0700	RFQ	8624	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100															10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
1N3514A	2.4900	RFQ	1500	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3514		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma									6.8 v	3欧姆
JANTXV1N4996CUS/TR	-	RFQ	2892	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4996CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V							390 v	1800欧姆
JANS1N7043CAT1	304.7550	RFQ	1060	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		肖特基		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									100 v		1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	35a	600pf @ 0v，1MHz
APT2X101DQ60J	24.4600	RFQ	117	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								2独立	600 v	100a	2.2 V @ 100 A	160 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
UPS170/TR7	0.6150	RFQ	1877年	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UPS170				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
1N827AUR-1E3/TR	10.6650	RFQ	6229	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N827AUR-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.2 v	10欧姆
JAN2N3500L	12.5818	RFQ	9655	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3500		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JANS1N4133CUR-1/TR	91.5802	RFQ	9037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4133CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V							87 v	1欧姆
JANTXV1N4579AR-1	39.3150	RFQ	4270	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4579		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V							6.4 v	50欧姆
LSM535J/TR13	1.1550	RFQ	7134	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM535	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									35 v		520 mv @ 5 a		2 ma @ 35 V	-55°C〜150°C	5a	-
1N4782A-1/TR	67.2000	RFQ	7985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4782A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100															10 µA @ 6 V							8.5 v	100欧姆
1N3767	59.5650	RFQ	4052	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3767	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3767MS	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									900 v		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 900 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTXV1N754CUR-1	19.3500	RFQ	8696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V							6.8 v	5欧姆
JANTXV1N4986D	23.4600	RFQ	3534	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4986D	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 114 V							150 v	330欧姆
JANS1N4488D	343.5150	RFQ	2814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANS1N4488D	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V							91 v	200欧姆
CDLL5519BE3	5.9052	RFQ	8435	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5519BE3	Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
1N5816E3	62.4150	RFQ	6673	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									150 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
JAN1N4126DUR-1	27.9150	RFQ	5057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4126			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V							51 v	300欧姆
1月1N5617	4.4700	RFQ	71	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5617	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									400 v		1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTXV1N4460DUS	38.5950	RFQ	5287	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4460DUS	Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V							6.2 v	4欧姆
1N2804RB	96.0150	RFQ	9393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2804		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 10 A		150 µA @ 4.5 V							6.8 v	0.2欧姆
1N2274	74.5200	RFQ	5110	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2274	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									200 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	6a	-
JANTX2N5154P	20.5352	RFQ	6158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTX2N5154P			1																			80 V	2 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
1N4976US	9.4650	RFQ	7319	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4976		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.5 V @ 1 A		2 µA @ 42.6 V							56 v	35欧姆
JANTXV1N6334US	22.3050	RFQ	9730	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6334		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.4 V @ 1 A		50 NA @ 21 V							27 V	27欧姆
JANTXV1N3017B-1	11.8800	RFQ	2387	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3017		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1													1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V							7.5 v	4欧姆
APTM60H23FT1G	67.4700	RFQ	7605	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTM60	MOSFET （金属 o化物）	208W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）		600V	20a	276mohm @ 17a，10v	5V @ 1mA	165nc @ 10V	5316pf @ 25V	-
1N3665	41.6850	RFQ	9438	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-208AA		标准		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3665	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									600 v		1.1 V @ 35 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²