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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N4235L	39.7936	RFQ	5497	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JAN2N4235L	Ear99	8541.29.0095	1															60 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
1N5370A/TR8	-	RFQ	3135	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000											1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V						56 v	35欧姆
MSCC60AM23C4AG	250.2300	RFQ	8292	微芯片技术	-	管子	积极的		-	底盘安装	模块	MSCC60	MOSFET （金属 o化物）	-	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCC60AM23C4AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n通道		600V	81A（TC）	-	-	-	-	-
JANTX1N5533CUR-1/TR	33.6357	RFQ	9984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5533CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
JANTXV1N3027CUR-1/TR	41.0438	RFQ	8783	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3027CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
2N5410	287.8650	RFQ	2642	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			52 w	TO-111	-			到达不受影响	150-2N5410	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	5 a	-			PNP	600mv @ 200µA，2mA	-	-
JANTXV1N4560B	-	RFQ	6878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.5 V @ 2 A	20 µA @ 1 V						5.1 v	0.12欧姆
1 PMT5943A/TR13	2.2200	RFQ	4789	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000											1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 42.6 V						56 v	86欧姆
JANTXV2N3634UB/TR	17.8486	RFQ	7913	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															140 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTX1N981C-1/TR	8.0598	RFQ	7420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N981C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 52 V						68 v	230欧姆
2N2060L	34.8593	RFQ	4433	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2060		2.12W	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															60V	500mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，5V	-
JANTX1N4119UR-1	-	RFQ	8454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.3 V						28 V	200欧姆
JANTXV2N2907AL	6.7830	RFQ	4003	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907		500兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
SMBJ4760/TR13	0.8700	RFQ	1940年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4760		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000											1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 51.7 V						68 v	150欧姆
SMAJ4753E3/TR13	0.6450	RFQ	2487	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4753		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500											1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
CDLL4922A/TR	23.3250	RFQ	6299	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4922A/TR	Ear99	8541.10.0050	1												15 µA @ 12 V						19.2 v	150欧姆
CDLL5520B	6.4800	RFQ	5366	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5520		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 1 V						3.9 v	22欧姆
JANTXV2N718A	37.0538	RFQ	5101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/181	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															30 V	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JAN1N5540C-1/TR	9.9351	RFQ	6070	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5540C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
2N6046	613.4700	RFQ	7466	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			114 W	TO-63	-			到达不受影响	150-2N6046	Ear99	8541.29.0095	1															60 V	20 a	-			NPN	-	-	-
1N6912U	259.3500	RFQ	4724	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6912U			1
1月1N969DUR-1	14.2500	RFQ	7455	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N969		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 17 V						22 v	29欧姆
JAN1N6940UTK3AS	-	RFQ	2960	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		SIC （碳化硅）		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								15 v	500 mv @ 150 A	5 ma @ 15 V	-65°C〜175°C	150a
JANTXV1N4987CUS/TR	41.0400	RFQ	4896	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4987CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100											1.5 V @ 1 A	2 µA @ 121.6 V						160 v	350欧姆
1月1N4619-1	3.7500	RFQ	4922	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4619		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	400 na @ 1 V						3 V	1600欧姆
JAN2N3637	10.6134	RFQ	8135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3637		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTXV2N2946AUB	-	RFQ	7571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			400兆	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															35 v	100 ma	10µA（ICBO）			PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
1N4743E3/TR13	0.8100	RFQ	4861	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4743		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000											1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 9.9 V						13 V	10欧姆
CDLL4696/tr	3.2585	RFQ	1754年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4696/tr	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.9 V						9.1 v
JANTX1N5546D-1/TR	19.5776	RFQ	9820	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5546D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1											1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V						33 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²